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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
BZT55C13 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C13 0,0350
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 ECAD 9885 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Variante SOD-80 500 mW QMMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT55C13TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 10 V 13 V 26 Ohm
KBL405G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL405G T0G -
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 ECAD 3992 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Vassoio Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, KBL Standard KBL scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato KBL405GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1,1 V a 4 A 10 µA a 600 V 4A Monofase 600 V
BZS55B5V6 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B5V6RXG -
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 ECAD 1738 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 1206 (3216 metri) BZS55 500 mW 1206 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 10 mA 100 nA a 1 V 5,6 V 30 Ohm
BZY55B8V2 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B8V2RYG -
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 ECAD 6169 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 0805 (metrico 2012) BZY55 500 mW 0805 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 10 mA 100 nA a 6,2 V 8,2 V 7 Ohm
S15JC Taiwan Semiconductor Corporation S15JC 0,2997
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 ECAD 9393 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 600 V 1,1 V a 15 A 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 15A 93 pF a 4 V, 1 MHz
ES1HL MHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1HLMHG -
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 ECAD 6752 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB ES1H Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 500 V 1,7 V a 1 A 35 ns 5 µA a 500 V -55°C ~ 150°C 1A 8 pF a 1 V, 1 MHz
ES3G R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3G R7G -
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 ECAD 1650 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC ES3G Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 3 A 35 ns 10 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 3A 30 pF a 4 V, 1 MHz
HS2GAH Taiwan Semiconductor Corporation HS2GAH 0,0948
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 ECAD 2178 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-HS2GAHTR EAR99 8541.10.0080 15.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 1,5 A 50 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1,5 A 50 pF a 4 V, 1 MHz
MUR440S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S V7G 1.3400
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 ECAD 2 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro tagliato (CT) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC MUR440 Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,25 V a 4 A 50 n 10 µA a 400 V -55°C ~ 175°C 4A 65 pF a 4 V, 1 MHz
MTZJ43S R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ43S R0G 0,0305
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 ECAD 7504 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ43 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 200 nA a 33 V 42,5 V 90 Ohm
SS35 Taiwan Semiconductor Corporation SS35 0,2809
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 ECAD 9035 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SS35TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 750 mV a 3 A 500 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 3A -
HS1JL RHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1JL RHG -
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 ECAD 9063 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB HS1J Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 1 A 75 ns 5 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C200PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PW 0,4900
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 ECAD 18 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 200 mA 1 µA a 150 V 200 V 750 Ohm
BZV55C22 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C22 0,0333
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 ECAD 5452 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55C 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZV55C22TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 16 V 22 V 55 Ohm
TST20U60C Taiwan Semiconductor Corporation TST20U60C 2.6300
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 ECAD 5 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 TST20 Schottky TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 630 mV a 10 A 300 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 10A -
SS1H15LW Taiwan Semiconductor Corporation SS1H15LW 0,1011
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 ECAD 2234 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123W SS1H15 Schottky SOD-123W scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-SS1H15LWTR EAR99 8541.10.0080 20.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 850 mV a 1 A 500 nA a 150 V -55°C ~ 175°C 1A -
SFT17G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT17G R0G -
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 ECAD 4010 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Foro passante T-18, assiale SFT17 Standard TS-1 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 500 V 1,7 V a 1 A 35 ns 5 µA a 500 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
BZT52B3V6S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V6S RRG -
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 ECAD 5385 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-90, SOD-323F BZT52B 200 mW SOD-323F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V a 10 mA 4,5 µA a 1 V 3,6 V 90 Ohm
BAS85 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BAS85L0G -
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 ECAD 9786 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Schottky MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 10.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 800 mV a 100 mA 5 ns 2 µA a 25 V 125°C (massimo) 200mA 10 pF a 1 V, 1 MHz
TSZL52C4V7-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C4V7-F0RWG -
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 ECAD 8704 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 125°C (TJ) Montaggio superficiale 1005 (2512 metri) 200 mW 1005 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-TSZL52C4V7-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 mV a 10 mA 5 µA a 2 V 4,7 V 78 Ohm
MTZJ3V9SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V9SA R0G 0,0305
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 ECAD 3621 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ3 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 5 µA a 1 V 3,88 V 100 ohm
SRS2050 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2050MG -
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 ECAD 6216 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SRS2050 Standard TO-263AB (D²PAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 50 V 20A 700 mV a 10 A 500 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
HERA801G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERA801G C0G -
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 ECAD 9098 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-2 HERA801 Standard TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 1 V a 8 A 50 n 10 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 8A 65 pF a 4 V, 1 MHz
AZ23C13 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C13RFG 0,0786
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 ECAD 8803 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 mW SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 paio di anodo comune 100 nA a 10 V 13 V 25 Ohm
1M150Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M150Z A0G -
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 ECAD 6615 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1M150 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA a 114 V 150 V 1000 ohm
RB520G-30 RLG Taiwan Semiconductor Corporation RB520G-30RLG 0,0587
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 ECAD 4923 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-723 RB520 Schottky SOD-723 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 5.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 450 mV a 10 mA 500 nA a 10 V 125°C (massimo) 100mA -
1N5223B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5223B 0,0271
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 ECAD 5416 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% 100°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5223 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-1N5223BTR EAR99 8541.10.0050 10.000 1,1 V a 200 mA 75 µA a 1 V 2,7 V 30 Ohm
SF801GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF801GHC0G -
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 ECAD 6329 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 SF801 Standard TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 975 mV a 8 A 35 ns 10 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 8A 70 pF a 4 V, 1 MHz
BAV20WS-G RRG Taiwan Semiconductor Corporation BAV20WS-G RRG 0,0334
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 ECAD 4092 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 BAV20 Standard SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 150 V 1,25 V a 100 mA 50 n 100 nA a 150 V -65°C ~ 150°C 200mA 5 pF a 0 V, 1 MHz
TSF40H150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H150C 1.7502
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 ECAD 4549 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata TSF40 Schottky ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 20A 710 mV a 20 A 150 µA a 150 V -55°C ~ 150°C
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