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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52B6V8 | 0,0412 | ![]() | 3943 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123F | BZT52B | 500 mW | SOD-123F | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZT52B6V8TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V a 10 mA | 1,8 µA a 4 V | 6,8 V | 15 Ohm | |||||||||||
![]() | BZX84C39RFG | 0,0511 | ![]() | 4619 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 27,3 V | 39 V | 130 Ohm | |||||||||||
![]() | MBAD8100H | 0,7200 | ![]() | 4559 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MBAD8100 | Schottky | ThinDPAK | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 4.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 850 mV a 8 A | 10 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 198 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
| BZD27C15PHRFG | - | ![]() | 1361 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,12% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 11 V | 14,7 V | 10 Ohm | ||||||||||||
![]() | SS34 | 0,1983 | ![]() | 5221 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SS34 | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 500 µA a 40 V | -55°C ~ 125°C | 3A | - | |||||||||||
| ESH2CA | 0,1650 | ![]() | 9919 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | ESH2 | Standard | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 900 mV a 1 A | 25 ns | 1 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 25 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| BZD27C160PHRUG | - | ![]() | 3987 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5,55% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 120 V | 162 V | 350 Ohm | ||||||||||||
| ES1FL RHG | - | ![]() | 1378 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | ES1F | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 300 V | 1,3 V a 1 A | 35 ns | 5 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 8 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZT55C15L0G | 0,0350 | ![]() | 7358 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZT55 | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 100 nA a 11 V | 15 V | 30 Ohm | |||||||||||
| BZT52C22-G RHG | 0,0445 | ![]() | 1151 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | BZT52C | 350 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 15,4 V | 22 V | 55 Ohm | ||||||||||||
![]() | SSL34R6G | - | ![]() | 6178 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-SSL34R6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 410 mV a 3 A | 500 µA a 40 V | -55°C ~ 125°C | 3A | - | ||||||||||
![]() | TST30L45C | 2.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | TST30 | Schottky | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 15A | 670 mV a 30 A | 650 µA a 45 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
| BZD27C68P M2G | - | ![]() | 3598 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5,88% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 51 V | 68 V | 80 Ohm | ||||||||||||
| BZY55C22 | 0,0350 | ![]() | 1720 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 0805 (metrico 2012) | BZY55 | 500 mW | 0805 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZY55C22TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 10 mA | 100 nA a 16 V | 22 V | 55 Ohm | ||||||||||||
![]() | MTZJ9V1SC | 0,0305 | ![]() | 2842 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AG, DO-34, assiale | MTZJ9 | 500 mW | DO-34 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-MTZJ9V1SCTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 500 nA a 6 V | 9,1 V | 25 Ohm | ||||||||||||
![]() | SF2003G C0G | - | ![]() | 7790 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | SF2003 | Standard | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 975 mV a 10 A | 35 ns | 5 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 20A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | UG06C A0G | - | ![]() | 1493 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | T-18, assiale | UG06 | Standard | TS-1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 950 mV a 600 mA | 15 ns | 5 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 600mA | 9 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
| BZD27C180PHRVG | 0,1094 | ![]() | 6356 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,4% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 130 V | 179,5 V | 450 Ohm | ||||||||||||
| BZD27C18P RQG | - | ![]() | 3669 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,4% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 13 V | 17,95 V | 15 Ohm | ||||||||||||
| BZD27C82PRTG | - | ![]() | 9619 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,09% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 62 V | 82 V | 200 ohm | ||||||||||||
![]() | BZT55B27 | 0,0389 | ![]() | 7085 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante SOD-80 | 500 mW | QMMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZT55B27TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 100 nA a 20 V | 27 V | 80 Ohm | ||||||||||||
![]() | HER1605PT C0G | - | ![]() | 9629 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | HER1605 | Standard | TO-247AD (TO-3P) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 400 V | 16A | 1,3 V a 8 A | 50 n | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
![]() | SF33G R0G | - | ![]() | 7609 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | DO-201AD, assiale | SF33 | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 950 mV a 3 A | 35 ns | 5 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZD27C180P | 0,2888 | ![]() | 5561 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,41% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZD27C180PTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 130 V | 179,5 V | 450 Ohm | |||||||||||
![]() | MBR20100PT | - | ![]() | 8312 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-247-3 | MBR20100 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 20A | 950 mV a 20 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | S2A R5G | 0,4700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | S2A | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,15 V a 2 A | 1,5 µs | 1 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 30 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
| 1PGSMA4747 | 0,1086 | ![]() | 6930 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4747 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 15,2 V | 20 V | 22 Ohm | ||||||||||||
| BZD27C43PRFG | - | ![]() | 4209 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,97% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 33 V | 43 V | 45 Ohm | ||||||||||||
![]() | RS3JHR7G | - | ![]() | 7264 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | RS3J | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,3 V a 3 A | 500 n | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||
![]() | 1N914B | 0,0177 | ![]() | 7678 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N914 | Standard | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-1N914BTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 100 V | 1 V a 100 mA | 4nn | 5 µA a 75 V | -65°C ~ 150°C | 150mA | 4pF a 0 V, 1 MHz |

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