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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S3GBHR5G | - | ![]() | 8064 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | S3G | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,15 V a 3 A | 1,5 µs | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 40 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SFF10L04GA | 0,4119 | ![]() | 5827 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | SFF10L04 | Standard | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-SFF10L04GA | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 200 V | 5A | 1,3 V a 5 A | 35 ns | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
![]() | MBRF3035CTHC0G | - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | MBRF3035 | Schottky | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 35 V | 30A | 820 mV a 30 A | 200 µA a 35 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
![]() | BZV55B11L1G | - | ![]() | 2362 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZV55B | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V a 100 mA | 100 nA a 8,2 V | 11 V | 20 Ohm | ||||||||||||||
![]() | S15GCHV7G | - | ![]() | 2455 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | S15G | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 15 A | 1 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 15A | 93 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
| SK320AH | 0,1251 | ![]() | 2386 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SK320 | Schottky | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 950 mV a 3 A | 100 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4764AHB0G | - | ![]() | 5734 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4764 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA a 76 V | 100 V | 350 Ohm | |||||||||||||||
![]() | SK19B M4G | - | ![]() | 9625 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SK19 | Schottky | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 850 mV a 3 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | LSR103L0 | - | ![]() | 2779 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF | Schottky | MELF | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-LSR103L0TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 550 mV a 1 A | 1 mA a 30 V | -65°C ~ 125°C | 1A | 110 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | HER1607G | - | ![]() | 9266 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-220-3 | HER1607 | Standard | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 800 V | 16A | 1,7 V a 8 A | 80 ns | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
![]() | MUR305S M6 | - | ![]() | 6704 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-MUR305SM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 875 mV a 3 A | 25 ns | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 175°C | 3A | - | ||||||||||||
| TAPPETO BZD17C75P | - | ![]() | 4861 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 56 V | 75 V | 100 ohm | |||||||||||||||
![]() | BZV55C75L0G | 0,0333 | ![]() | 9483 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZV55C | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 100 nA a 56 V | 75 V | 170 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZT52C16K | 0,0474 | ![]() | 3378 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 mW | SOD-523F | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZT52C16KTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 100 nA a 12 V | 16 V | 40 Ohm | |||||||||||||||
![]() | SF61G A0G | - | ![]() | 8589 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | SF61 | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 975 mV a 6 A | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 6A | 100 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | HER306G A0G | - | ![]() | 2616 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | HER306 | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 3 A | 75 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 35 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SR1620PT C0G | - | ![]() | 7962 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-247-3 | SR1620 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 20 V | 16A | 550 mV a 8 A | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | |||||||||||||
| BZD27C13P MQG | - | ![]() | 9789 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,41% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 2 µA a 10 V | 13,25 V | 10 Ohm | |||||||||||||||
| RS1GLHMQG | - | ![]() | 8153 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | RS1G | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 800 mA | 150 n | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 800 mA | 10 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | HS3KR7 | - | ![]() | 2343 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-HS3KR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,7 V a 3 A | 75 ns | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SS26L | 0,2625 | ![]() | 5501 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123 | SS26 | Schottky | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-SS26LTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 700 mV a 2 A | 400 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | |||||||||||||
![]() | MTZJ22SA | 0,0305 | ![]() | 7668 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AG, DO-34, assiale | MTZJ22 | 500 mW | DO-34 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-MTZJ22SATR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 nA a 17 V | 20,68 V | 30 Ohm | |||||||||||||||
![]() | SR109 R0G | - | ![]() | 4994 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | SR109 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 850 mV a 1 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | AZ23C51RFG | 0,0786 | ![]() | 4295 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 paio di anodo comune | 100 nA a 38 V | 51 V | 100 ohm | ||||||||||||||
| S1GLHM2G | - | ![]() | 3367 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | S1G | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 1 A | 1,8 µs | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 9 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BZT52C4V3K RKG | 0,0474 | ![]() | 8030 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 mW | SOD-523F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 90 Ohm | |||||||||||||||
![]() | RS3K M6G | - | ![]() | 3978 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | RS3K | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,3 V a 3 A | 500 n | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | UGF1005GH | 0,5148 | ![]() | 5582 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | UGF1005 | Standard | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-UGF1005GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 300 V | 10A | 1,25 V a 5 A | 20 ns | 10 µA a 300 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
![]() | M3Z47VC | 0,0294 | ![]() | 6269 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-90, SOD-323F | M3Z47 | 200 mW | SOD-323F | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-M3Z47VCTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 100 nA a 35 V | 47 V | 110 Ohm | |||||||||||||||
| HDBLS107G C1G | - | ![]() | 3645 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HDBLS107 | Standard | DBLS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,7 V a 1 A | 5 µA a 1000 V | 1A | Monofase | 1 kV |

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