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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
BYG23M R3G Taiwan Semiconductor Corporation BYG23M R3G -
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 ECAD 7112 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AC, SMA BYG23 Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 1,7 V a 1,5 A 65 ns 1μA a 1000 V -55°C ~ 150°C 1,5 A 15 pF a 4 V, 1 MHz
UDZS36B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS36B 0,0416
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 ECAD 4454 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-90, SOD-323F UDZS36 200 mW SOD-323F scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-UDZS36BTR EAR99 8541.10.0050 6.000 45 nA a 27 V 36 V 100 ohm
TS20K60-T Taiwan Semiconductor Corporation TS20K60-T 1.2200
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 ECAD 2824 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4SIP,TS4K Standard TS4K - 1801-TS20K60-T 500 1,05 V a 10 A 5 µA a 600 V 20A Monofase 600 V
RS3J Taiwan Semiconductor Corporation RS3J 0,1648
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 ECAD 2894 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC RS3J Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 250 n 10 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 3A -
TSSA5U60HE3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U60HE3G 0,4035
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 ECAD 9391 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale DO-214AC, SMA TSSA5 Schottky DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 560 mV a 5 A 300 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 5A -
TSP3H150S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP3H150S S1G 0,9400
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 ECAD 767 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-277, 3-PowerDFN TSP3H150 Schottky TO-277A (SMPC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 860 mV a 3 A 20 ns 100 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 3A 150 pF a 4 V, 1 MHz
SR109HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR109HR0G -
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 ECAD 6685 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale SR109 Schottky DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 90 V 850 mV a 1 A 100 µA a 90 V -55°C ~ 150°C 1A -
1PGSMC5362 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5362R7G -
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 ECAD 7206 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 850 500 nA a 21,2 V 28 V 6 Ohm
SR2090H Taiwan Semiconductor Corporation SR2090H -
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 ECAD 6674 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 SR2090 Schottky TO-220AB - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SR2090H EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 90 V 20 A (CC) 900 mV a 10 A 100 µA a 90 V -55°C ~ 150°C
BZT52B11S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B11S 0,0343
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 ECAD 6727 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-90, SOD-323F BZT52B 200 mW SOD-323F scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT52B11STR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 90 nA a 8 V 11 V 20 Ohm
BZD27C16P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P RVG -
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 ECAD 5507 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,55% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 12 V 16,2 V 15 Ohm
SFA801GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA801GHC0G -
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 ECAD 7261 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SFA801 Standard TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 975 mV a 8 A 35 ns 10 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 8A 100 pF a 4 V, 1 MHz
SRS1060 Taiwan Semiconductor Corporation SRS1060 0,6690
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 ECAD 2720 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SRS1060 Schottky TO-263AB (D2PAK) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-SRS1060TR EAR99 8541.10.0080 1.600 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 60 V 10A 700 mV a 5 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C
TSP15U120S Taiwan Semiconductor Corporation TSP15U120S 0,9788
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 ECAD 3692 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-277, 3-PowerDFN TSP15 Schottky TO-277A (SMPC) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-TSP15U120STR EAR99 8541.10.0080 6.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 120 V 750 mV a 15 A 250 µA a 120 V -55°C ~ 150°C 15A -
MMBD4148 Taiwan Semiconductor Corporation MMBD4148 0,0301
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 ECAD 3639 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD4148 Standard SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-MMBD4148TR EAR99 8541.10.0070 6.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 75 V 1 V a 10 mA 4nn 5 µA a 75 V -55°C ~ 150°C 200mA 4pF a 0 V, 1 MHz
TSF20L100C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20L100C 1.9000
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 ECAD 1 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata TSF20 Schottky ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 10A 860 mV a 10 A 100 µA a 100 V -55°C ~ 150°C
BZX79B5V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B5V1 A0G -
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 ECAD 6351 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX79 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 100 mA 2 mA a 2 V 5,1 V 60 Ohm
BZV55B33 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B33 L1G -
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 ECAD 3216 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55B 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V a 100 mA 100 nA a 24 V 33 V 80 Ohm
ZM4741A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4741A L0G 0,0830
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 ECAD 2542 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AB, MELF ZM4741 1 W MELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 8,4 V 11 V 8 Ohm
MBR1660 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1660C0G -
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 ECAD 8584 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-2 MBR1660 Schottky TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 750 mV a 16 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 16A -
3A100H Taiwan Semiconductor Corporation 3A100H 0,1041
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 ECAD 3304 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale 3A100 Standard DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1000 V 1,1 V a 3 A 5 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 3A 27 pF a 4 V, 1 MHz
2M30Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M30Z A0G -
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 ECAD 4310 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale 2M30 2 W DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 500 nA a 22,8 V 30 V 20 Ohm
KBPF404G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF404G 0,6672
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 ECAD 7329 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, KBPF KBPF404 Standard KBPF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-KBPF404G EAR99 8541.10.0080 2.100 1,1 V a 2 A 5 µA a 400 V 4A Monofase 400 V
MBRAD1560DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1560DH 0,9300
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 ECAD 6560 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MBAD1560 Schottky ThinDPAK - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 4.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 60 V 15A 750 mV a 7,5 A 100 µA a 60 V -55°C ~ 150°C
BZS55B3V6 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B3V6RXG -
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 ECAD 9624 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 1206 (3216 metri) BZS55 500 mW 1206 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 10 mA 2 µA a 1 V 3,6 V 85 Ohm
BZD27C43PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43PH 0,2933
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 ECAD 4384 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,98% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZD27C43PHTR EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 33 V 43 V 45 Ohm
BZX79C62 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C62 0,0333
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 ECAD 6857 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX79 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZX79C62TR EAR99 8541.10.0050 20.000 1,5 V a 100 mA 50 nA a 43,4 V 62 V 215 Ohm
SFT15GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation SFT15GHA1G -
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 ECAD 5487 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Interrotto alla SIC Foro passante T-18, assiale SFT15 Standard TS-1 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 300 V 1,3 V a 1 A 35 ns 5 µA a 300 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
HS5B Taiwan Semiconductor Corporation HS5B 0,6870
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 ECAD 1606 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-HS5BTR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 1 V a 5 A 50 n 10 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 5A 80 pF a 4 V, 1 MHz
1N4003G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003G -
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 ECAD 4962 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-204AL (DO-41) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-1N4003GTR EAR99 8541.10.0080 5.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1 V a 1 A 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
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    30.000.000

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