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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
HER601G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER601G A0G -
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 ECAD 9364 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante R-6, assiale HER601 Standard R-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 700 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 1 V a 6 A 50 n 10 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 6A 80 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C15PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHMTG -
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 ECAD 2271 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,12% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 11 V 14,7 V 10 Ohm
SRA1620 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1620C0G -
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 ECAD 3510 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SRA1620 Schottky TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 550 mV a 16 A 500 µA a 20 V -55°C ~ 125°C 16A -
BZD27C22P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22P RQG -
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 ECAD 6561 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,66% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 16 V 22,05 V 15 Ohm
SRAF5150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF5150HC0G -
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 ECAD 7929 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-2 Pacchetto completo SRAF5150 Schottky ITO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 950 mV a 5 A 100 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 5A -
MTZJ2V2SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V2SB 0,0305
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 ECAD 1231 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ2 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-MTZJ2V2SBTR EAR99 8541.10.0050 10.000 120 µA a 700 mV 2,2 V 100 ohm
BZD27C11P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11P M2G -
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 ECAD 1755 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,45% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 4 µA a 8,2 V 11 V 7 Ohm
MBRF10100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10100CT-Y 0,3952
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 ECAD 8402 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata MBRF10100 Standard ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-MBRF10100CT-Y EAR99 8541.10.0080 1.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 10A 880 mV a 10 A 100 µA a 100 V -55°C ~ 150°C
SS115LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS115LHMHG -
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 ECAD 5686 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS115 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 900 mV a 1 A 50 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 1A -
GBPC5008M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5008M T0G -
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 ECAD 4605 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Vassoio Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Terminale CQ 4 quadrati, GBPC40-M GBPC5008 Standard GBPC40-M scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 100 1,1 V a 25 A 10 µA a 800 V 50A Monofase 800 V
TSI20H150CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H150CW 2.7300
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 ECAD 4 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Obsoleto Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STI20 Schottky I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 10A 720 mV a 10 A 100 µA a 150 V -55°C ~ 150°C
1N4757A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4757A A0G -
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 ECAD 4523 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4757 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA a 38,8 V 51 V 95 Ohm
MUR190 Taiwan Semiconductor Corporation MUR190 0,1366
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 ECAD 9984 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale MUR190 Standard DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 900 V 1,7 V a 1 A 75 ns 5 µA a 900 V -55°C ~ 175°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
1N4760A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4760A A0G -
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 ECAD 6979 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4760 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA a 51,7 V 68 V 150 ohm
UF1B Taiwan Semiconductor Corporation UF1B -
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 ECAD 3353 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-204AL (DO-41) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-UF1BTR EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 1 V a 1 A 50 n 5 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 1A 17 pF a 4 V, 1 MHz
MTZJ47S Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ47S 0,0305
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 ECAD 8540 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ47 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-MTZJ47STR EAR99 8541.10.0050 10.000 200 nA a 36 V 46,5 V 90 Ohm
TSF20H120C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20H120C 1.1298
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 ECAD 9120 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata TSF20 Schottky ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 120 V 10A 870 mV a 10 A 250 µA a 120 V -55°C ~ 150°C
SR103 Taiwan Semiconductor Corporation SR103 -
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 ECAD 6645 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Schottky DO-204AL (DO-41) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SR103TR EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 550 mV a 1 A 500 µA a 30 V -55°C ~ 125°C 1A -
BZT52C11-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C11-G 0,0445
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 ECAD 3642 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZT52C 350 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT52C11-GTR EAR99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 8 V 11 V 20 Ohm
BZD27C7V5PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHRFG -
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 ECAD 8090 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,04% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 50 µA a 3 V 7,45 V 2 Ohm
SS15L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS15L DX -
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 ECAD 5145 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS15 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 700 mV a 1 A 400 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 1A -
RSFALHM2G Taiwan Semiconductor Corporation RSFALHM2G -
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 ECAD 9540 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB RSFAL Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 1,3 V a 500 mA 150 n 5 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 500mA 4pF a 4V, 1MHz
RS3K R7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3K R7G -
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 ECAD 5622 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC RS3K Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,3 V a 3 A 500 n 10 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 3A -
1N4743A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4743A R1G -
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 ECAD 1239 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4743 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 32,7 V 13 V 70 Ohm
MBR15150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR15150CT -
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 ECAD 4794 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-3 MBR15150 Schottky TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 15A 1,05 V a 7,5 A 100 µA a 150 V -55°C ~ 150°C
BZT55C4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C4V3L0G 0,0350
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 ECAD 6187 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZT55 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 1 µA a 1 V 4,3 V 75 Ohm
SS1H20LS Taiwan Semiconductor Corporation SS1H20LS 0,5100
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 ECAD 70 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123H SS1H20 Schottky SOD-123HE scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 850 mV a 1 A 1 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 1A -
SR105H Taiwan Semiconductor Corporation SR105H -
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 ECAD 5265 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Schottky DO-204AL (DO-41) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SR105HTR EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 700 mV a 1 A 500 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 1A -
BZT55C8V2 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C8V2L0G 0,0350
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 ECAD 7553 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZT55 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 6,2 V 8,2 V 7 Ohm
MBRS1635HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1635HMNG -
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 ECAD 2790 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB MBRS1635 Schottky TO-263AB (D²PAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 35 V 630 mV a 16 A 500 µA a 35 V -55°C ~ 150°C 16A -
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