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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR10150H | - | ![]() | 6951 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | MBR1015 | Schottky | TO-220AC | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-MBR10150H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 1,05 V a 10 A | 100 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 10A | - | |||||||||||
![]() | 1PGSMB5930H | 0,1798 | ![]() | 1588 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 3 W | DO-214AA (PMI) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA a 12,2 V | 16 V | 10 Ohm | |||||||||||||||
| S1DFSH | 0,0590 | ![]() | 5041 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-128 | S1D | Standard | SOD-128 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 1 A | 1 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 9 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | TSS0340L-F0RWG | - | ![]() | 9253 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | 1005 (2512 metri) | Schottky | 1005 | - | 1801-TSS0340L-F0RWG | OBSOLETO | 1 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 40 V | 370 mV a 1 mA | 1 µA a 40 V | -40°C ~ 125°C | 30mA | 1,5 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | SRS16100H | 0,8026 | ![]() | 4259 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SRS16100 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-SRS16100HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 16A | 900 mV a 8 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
| RS1JLMTG | - | ![]() | 7995 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | RS1J | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,3 V a 800 mA | 250 n | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 800 mA | 10 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
| RS1BL RFG | - | ![]() | 3932 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | RS1B | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1,3 V a 800 mA | 150 n | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 800 mA | 10 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
| 1SMA120ZH | 0,1245 | ![]() | 6053 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1SMA120 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1 µA a 91,2 V | 120 V | 550 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX84C6V2 | 0,0511 | ![]() | 7706 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,45% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZX84C6V2TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 4 V | 6,2 V | 10 Ohm | |||||||||||||
| BZD27C18PWH | 0,5400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 200 mA | 1 µA a 13 V | 18 V | 15 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SF13G A0G | - | ![]() | 5541 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | SF13 | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 950 mV a 1 A | 35 ns | 5 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZV55C22L0G | 0,0333 | ![]() | 5062 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZV55C | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 100 nA a 16 V | 22 V | 55 Ohm | |||||||||||||
![]() | SFS1608GH | 0,8349 | ![]() | 1003 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SFS1608 | Standard | TO-263AB (D²PAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 8 A | 35 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 16A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1N4758G R0G | 0,0627 | ![]() | 2235 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TA) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4758 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 42,6 V | 56 V | 110 Ohm | |||||||||||||
![]() | BAV21W RHG | 0,3100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123F | BAV21 | Standard | SOD-123F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 250 V | 1,25 V a 200 mA | 50 n | 100 nA a 200 V | -65°C ~ 150°C | 200mA | 5 pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | S4D V7G | 0,6200 | ![]() | 8047 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro tagliato (CT) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | S4D | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,15 V a 4 A | 1,5 µs | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 4A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZT55C9V1 | 0,0350 | ![]() | 2130 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante SOD-80 | 500 mW | QMMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZT55C9V1TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 100 nA a 6,8 V | 9,1 V | 10 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N5400G | - | ![]() | 5868 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-1N5400GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 3 A | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 25 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
| BZD27C7V5PHRVG | - | ![]() | 1893 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,04% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 50 µA a 3 V | 7,45 V | 2 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZX585B4V3RSG | 0,0476 | ![]() | 3250 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZX585B4 | 200 mW | SOD-523F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 2,7 µA a 1 V | 4,3 V | 90 Ohm | ||||||||||||||
| 1PGSMA4754HR3G | 0,4300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4754 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 29,7 V | 39 V | 60 Ohm | ||||||||||||||
![]() | KBP207GC2 | - | ![]() | 9061 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBP | Standard | KBP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,2 V a 2 A | 10 µA a 1000 V | 2A | Monofase | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | SR1503H | - | ![]() | 1195 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | R-6, assiale | Schottky | R-6 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-SR1503HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 550 mV a 15 A | 500 µA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 15A | - | ||||||||||||
![]() | TSZL52C13RWG | - | ![]() | 8394 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 1005 (2512 metri) | TSZL52 | 200 mW | 1005 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 10 V | 13 V | 25 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZV55C3V0L1G | - | ![]() | 9229 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZV55C | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V a 10 mA | 4 µA a 1 V | 3 V | 85 Ohm | |||||||||||||
![]() | S10JC R6G | - | ![]() | 1293 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-S10JCR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,1 V a 10 A | 1 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 10A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | B0540WF DX | 0,0786 | ![]() | 4615 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123F | B0540 | Schottky | SOD-123F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 510 mV a 500 mA | 20 µA a 40 V | -65°C ~ 150°C | 500mA | - | ||||||||||||
![]() | UF1BHB0G | - | ![]() | 8025 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | UF1B | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1 V a 1 A | 50 n | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 17 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1N4764AHA0G | - | ![]() | 5297 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4764 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA a 76 V | 100 V | 350 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZX55C11 A0G | - | ![]() | 7427 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | BZX55 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V a 100 mA | 100 nA a 8,2 V | 11 V | 20 Ohm |

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