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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
BZT52B3V6S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V6S RRG -
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 ECAD 5385 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-90, SOD-323F BZT52B 200 mW SOD-323F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V a 10 mA 4,5 µA a 1 V 3,6 V 90 Ohm
BZX85C5V6 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C5V6 R0G 0,0645
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 ECAD 2505 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale BZX85 1,3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 10 mA 1 µA a 2 V 5,6 V 7 Ohm
BZT52C68-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68-G 0,0424
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 ECAD 6485 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123F BZT52C 500 mW SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT52C68-GTR EAR99 8541.10.0050 6.000 1 V a 10 mA 45 nA a 47,6 V 68 V 240 Ohm
SS36LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS36LHMHG -
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 ECAD 6420 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS36 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 750 mV a 3 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 3A -
1PGSMB5926H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5926H 0,1798
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 ECAD 8293 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101, 1PGSMB59 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 3 W DO-214AA (PMI) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA a 8,4 V 11 V 5,5 Ohm
MTZJ9V1SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ9V1SA 0,0305
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 ECAD 6934 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ9 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-MTZJ9V1SATR EAR99 8541.10.0050 10.000 500 nA a 6 V 9,1 V 25 Ohm
BZD17C100P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100P R3G -
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 ECAD 3938 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD17 800 mW SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.800 1,2 V a 200 mA 1 µA a 75 V 100 V 200 ohm
BZT52C43-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43-G RHG 0,0445
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 ECAD 3317 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZT52C 350 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 32 V 43 V 100 ohm
UG06DHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UG06DHA0G -
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 ECAD 5048 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante T-18, assiale UG06 Standard TS-1 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 950 mV a 600 mA 15 ns 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 600mA 9 pF a 4 V, 1 MHz
1N5223B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5223B 0,0271
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 ECAD 5416 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% 100°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5223 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-1N5223BTR EAR99 8541.10.0050 10.000 1,1 V a 200 mA 75 µA a 1 V 2,7 V 30 Ohm
1M150Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M150Z A0G -
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 ECAD 6615 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1M150 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA a 114 V 150 V 1000 ohm
SR1502HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1502HR0G -
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 ECAD 9585 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Foro passante R-6, assiale SR1502 Schottky R-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 550 mV a 15 A 500 µA a 20 V -50°C ~ 150°C 15A -
RS1ML RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1MLRFG -
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 ECAD 4790 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB RS1M Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 1,3 V a 800 mA 500 n 5 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 800 mA 10 pF a 4 V, 1 MHz
MUR320S R7 Taiwan Semiconductor Corporation MUR320SR7 -
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 ECAD 9777 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-MUR320SR7TR EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 875 mV a 3 A 25 ns 5 µA a 200 V -55°C ~ 175°C 3A -
SR515H Taiwan Semiconductor Corporation SR515H 0,2082
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 ECAD 3831 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SR515 Schottky DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 1,05 V a 5 A 100 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 5A -
MTZJ43S R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ43S R0G 0,0305
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 ECAD 7504 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ43 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 200 nA a 33 V 42,5 V 90 Ohm
1N5393GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5393GHR0G -
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 ECAD 3923 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale 1N5393 Standard DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1 V a 1,5 A 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 1,5 A 15 pF a 4 V, 1 MHz
1PGSMB5933HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5933HR5G 0,6300
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 ECAD 1 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 1PGSMB5933 3 W DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 850 1 µA a 16,7 V 22 V 17,5 Ohm
SS23LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS23LHRTG -
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 ECAD 6774 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS23 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 500 mV a 2 A 400 µA a 30 V -55°C ~ 150°C 2A -
2M170Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M170Z 0,1580
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 ECAD 4967 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale 2M170 2 W DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.500 500 nA a 130,4 V 170 V 675 Ohm
HS3D R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3D R6 -
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 ECAD 4151 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-HS3DR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 1 V a 3 A 50 n 10 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 3A 80 pF a 4 V, 1 MHz
SF67GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF67GHA0G -
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 ECAD 9888 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SF67 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 500 V 1,7 V a 6 A 35 ns 5 µA a 500 V -55°C ~ 150°C 6A 50 pF a 4 V, 1 MHz
BZT55C13 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C13 0,0350
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 ECAD 9885 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Variante SOD-80 500 mW QMMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT55C13TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 10 V 13 V 26 Ohm
1N5408G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5408G 0,7200
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 ECAD 46 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro tagliato (CT) Interrotto alla SIC Foro passante DO-201AD, assiale 1N5408 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1000 V 1 V a 3 A 5 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 3A 25 pF a 4 V, 1 MHz
SK53BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK53BHR5G -
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 ECAD 5560 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SK53 Schottky DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 550 mV a 5 A 500 µA a 30 V -55°C ~ 150°C 5A -
1SMA4737HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4737HR3G -
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 ECAD 2227 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1SMA4737 1,25 W DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.800 5 µA a 5 V 7,5 V 4 Ohm
SSL33 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SSL33R7 -
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 ECAD 8216 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SSL33R7TR EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 410 mV a 3 A 200 µA a 30 V -55°C ~ 125°C 3A -
TSS0230LU Taiwan Semiconductor Corporation TSS0230LU 0,0766
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 ECAD 8904 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 0603 (1608 metri) TSS0230 Schottky 0603 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-TSS0230LUTR EAR99 8541.10.0070 4.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 35 V 500 mV a 200 mA 30 µA a 10 V -40°C ~ 125°C 200mA -
SF33GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF33GHB0G -
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 ECAD 1575 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SF33 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 950 mV a 3 A 35 ns 5 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 3A 80 pF a 4 V, 1 MHz
KBL405G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL405G T0G -
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 ECAD 3992 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Vassoio Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, KBL Standard KBL scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato KBL405GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1,1 V a 4 A 10 µA a 600 V 4A Monofase 600 V
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