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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SRS2090HMNG | - | ![]() | 6595 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SRS2090 | Standard | TO-263AB (D²PAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 90 V | 20A | 920 mV a 10 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
| SK29A M2G | - | ![]() | 2140 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SK29 | Schottky | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 850 mV a 2 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | |||||||||||||
![]() | BZT52B5V6S | 0,0343 | ![]() | 1514 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 mW | SOD-323F | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZT52B5V6STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 900 nA a 2 V | 5,6 V | 40 Ohm | |||||||||||||
| BZD17C62P TAPPETO | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,45% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 47 V | 62 V | 80 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZT52C68K | 0,0511 | ![]() | 1276 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 mW | SOD-523F | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZT52C68KTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 200 nA a 52 V | 68 V | 240 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SK55C V6G | - | ![]() | 1186 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SK55 | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 750 mV a 5 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | MBRF1635C0G | - | ![]() | 6326 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | MBRF1635 | Schottky | ITO-220AC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 35 V | 630 mV a 16 A | 500 µA a 35 V | -55°C ~ 150°C | 16A | - | ||||||||||||
![]() | BZT52B3V9S RRG | - | ![]() | 6905 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 mW | SOD-323F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V a 10 mA | 2,7 µA a 1 V | 3,9 V | 90 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZX84C2V7 RFG | 0,0511 | ![]() | 5210 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 20 µA a 1 V | 2,7 V | 100 ohm | |||||||||||||
![]() | ESH3BH | 0,2277 | ![]() | 3833 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-ESH3BHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 900 mV a 3 A | 20 ns | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | 3A | 45 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SRF2040HC0G | - | ![]() | 1311 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | SRF2040 | Schottky | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 20A | 550 mV a 10 A | 500 µA a 40 V | -55°C ~ 125°C | ||||||||||||
![]() | BZX585B3V9RSG | 0,0476 | ![]() | 4080 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZX585B3 | 200 mW | SOD-523F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 2,7 µA a 1 V | 3,9 V | 90 Ohm | ||||||||||||||
![]() | UGF1004G | 0,4737 | ![]() | 8726 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | UGF1004 | Standard | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 10A | 950 mV a 5 A | 20 ns | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||
| HSDLW | 0,0907 | ![]() | 9291 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123W | Standard | SOD-123W | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-HSDLWTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1 V a 800 mA | 50 n | 1 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 800 mA | 17 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1SMB5953R5G | - | ![]() | 4953 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 1SMB5953 | 3 W | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA a 114 V | 150 V | 600 Ohm | ||||||||||||||
| ES2JA R3G | 0,7700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | ES2J | Standard | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 2 A | 35 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SRF1640HC0G | - | ![]() | 8888 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | SRF1640 | Schottky | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 16A | 550 mV a 8 A | 500 µA a 40 V | -55°C ~ 125°C | ||||||||||||
![]() | MBR20L100CTH | 1.1409 | ![]() | 8265 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | MBR20 | Schottky | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-MBR20L100CTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 20A | 850 mV a 20 A | 20 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
![]() | TSZU52C4V7 | 0,0669 | ![]() | 7304 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±4,99% | -55°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 0603 (1608 metri) | TSZU52 | 150 mW | 0603 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-TSZU52C4V7TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 20.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA a 2 V | 4,71 V | 78 Ohm | |||||||||||||
![]() | S3DBHR5G | - | ![]() | 7819 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | S3D | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,15 V a 3 A | 1,5 µs | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 40 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | PU8JC | 0,2643 | ![]() | 4371 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | PU8J | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-PU8JCTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 2 V a 8 A | 25 ns | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 58 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HS3A V6G | - | ![]() | 8995 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | HS3A | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 50 n | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | MBR2045PTH | - | ![]() | 4001 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-247-3 | MBR2045 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 20A | 840 mV a 20 A | 100 µA a 45 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
![]() | S3AHR7G | - | ![]() | 6331 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | S3A | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,15 V a 3 A | 1,5 µs | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 30 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SR109 R0G | - | ![]() | 4994 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | SR109 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 850 mV a 1 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | BZV55C62 | 0,0333 | ![]() | 9283 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZV55C | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZV55C62TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 100 nA a 47 V | 62 V | 150 ohm | |||||||||||||
![]() | S8GCHR7G | - | ![]() | 8906 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | S8GC | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 985 mV a 8 A | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 48 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | HER102G R0G | - | ![]() | 2857 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | HER102 | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1 V a 1 A | 50 n | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZT55B16L1G | - | ![]() | 2486 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZT55 | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V a 10 mA | 100 nA a 12 V | 16 V | 40 Ohm | |||||||||||||
| HDBLS107G C1G | - | ![]() | 3645 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HDBLS107 | Standard | DBLS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,7 V a 1 A | 5 µA a 1000 V | 1A | Monofase | 1 kV |

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