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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ES3DH | 0,2277 | ![]() | 2836 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 950 mV a 3 A | 35 ns | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 45 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | ES3G M6G | - | ![]() | 8121 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | ES3G | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 3 A | 35 ns | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 30 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | HS1BL | 0,2228 | ![]() | 7412 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123 | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-HS1BLTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 950 mV a 1 A | 50 n | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| BZD17C51PMHG | - | ![]() | 9139 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5,88% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 39 V | 51 V | 60 Ohm | ||||||||||||
![]() | MBRF1635C0G | - | ![]() | 6326 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | MBRF1635 | Schottky | ITO-220AC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 35 V | 630 mV a 16 A | 500 µA a 35 V | -55°C ~ 150°C | 16A | - | ||||||||||
![]() | BZS55B5V6RXG | - | ![]() | 1738 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 1206 (3216 metri) | BZS55 | 500 mW | 1206 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V a 10 mA | 100 nA a 1 V | 5,6 V | 30 Ohm | |||||||||||
| ES1HLMHG | - | ![]() | 6752 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | ES1H | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 500 V | 1,7 V a 1 A | 35 ns | 5 µA a 500 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 8 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BAS85-L0L1G | - | ![]() | 1901 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Schottky | MiniMELF | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | BAS85-L0L1G | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 30 V | 800 mV a 100 mA | 5 ns | 2 µA a 25 V | 125°C (massimo) | 200mA | 10 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SS39R7G | - | ![]() | 8182 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SS39 | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 850 mV a 3 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||
![]() | MBR10H35C0 | - | ![]() | 4130 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | MBR10 | - | 1801-MBR10H35C0 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SK82CHM6G | - | ![]() | 1609 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SK82 | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 550 mV a 8 A | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 8A | - | ||||||||||
![]() | BZX584B5V1 | 0,0639 | ![]() | 7189 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 mW | SOD-523F | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZX584B5V1TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 104.000 | 2 µA a 2 V | 5,1 V | 60 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1SMB5953H | 0,1560 | ![]() | 2134 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 1SMB5953 | 3 W | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA a 114 V | 150 V | 600 Ohm | ||||||||||||
![]() | RS3MM6G | - | ![]() | 8156 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | RS3M | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,3 V a 3 A | 500 n | 10 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||
![]() | HS2GAH | 0,0948 | ![]() | 2178 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-HS2GAHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 15.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 1,5 A | 50 n | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1,5 A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MUR440S V7G | 1.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro tagliato (CT) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | MUR440 | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,25 V a 4 A | 50 n | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | 4A | 65 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | PE2BB | 0,4600 | ![]() | 4431 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | Standard | DO-214AA (PMI) | - | 1 (illimitato) | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 900 mV a 2 A | 20 ns | 2 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | 2A | 30 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | SR215HA0G | - | ![]() | 5833 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | SR215 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 950 mV a 2 A | 100 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | ||||||||||
![]() | BZD17C24PH | 0,2790 | ![]() | 3524 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | BZD17 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZD17C24PHTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 200 mA | 1 µA a 18 V | 24 V | 15 Ohm | |||||||||||
![]() | SS1H15LW | 0,1011 | ![]() | 2234 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123W | SS1H15 | Schottky | SOD-123W | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-SS1H15LWTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 850 mV a 1 A | 500 nA a 150 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | ||||||||||
| BZD17C120P RQG | - | ![]() | 3069 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5,41% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 91 V | 120 V | 300 ohm | ||||||||||||
| BZY55B5V1 | 0,0413 | ![]() | 2381 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 0805 (metrico 2012) | BZY55 | 500 mW | 0805 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZY55B5V1TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 10 mA | 100 nA a 1 V | 5,1 V | 50 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZY55B8V2RYG | - | ![]() | 6169 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 0805 (metrico 2012) | BZY55 | 500 mW | 0805 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V a 10 mA | 100 nA a 6,2 V | 8,2 V | 7 Ohm | |||||||||||
![]() | SRAF1090C0G | - | ![]() | 4869 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SRAF1090 | Schottky | ITO-220AC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 850 mV a 10 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | 10A | - | ||||||||||
![]() | SR005HR1G | - | ![]() | 7660 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | SR005 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 700 mV a 500 mA | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 500mA | 80 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| BZD27C200PW | 0,4900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 200 mA | 1 µA a 150 V | 200 V | 750 Ohm | ||||||||||||
![]() | SK55C V6G | - | ![]() | 1186 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SK55 | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 750 mV a 5 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | ||||||||||
![]() | 2M140ZHA0G | - | ![]() | 1328 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 2M140 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 500 ohm | ||||||||||||
![]() | 1SMB5947HR5G | - | ![]() | 1008 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 1SMB5947 | 3 W | DO-214AA (PMI) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA a 62,2 V | 82 V | 160 Ohm | ||||||||||||
![]() | SRS2090HMNG | - | ![]() | 6595 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SRS2090 | Standard | TO-263AB (D²PAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 90 V | 20A | 920 mV a 10 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C |

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