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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
HS3M R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3M R6 -
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 ECAD 5117 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-HS3MR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 1,7 V a 3 A 75 ns 10 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 3A 50 pF a 4 V, 1 MHz
1PGSMB5934HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5934HR5G -
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 ECAD 4689 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 1PGSMB5934 3 W DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 850 1 µA a 18,2 V 24 V 19 Ohm
BZD27C12PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12PHRTG -
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 ECAD 6610 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,39% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 3 µA a 9,1 V 12,05 V 7 Ohm
2M27ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M27ZH 0,1667
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 ECAD 7511 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale 2M27 2 W DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.500 500 nA a 20,6 V 27 V 18 Ohm
SF1004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1004GHC0G -
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 ECAD 8978 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 SF1004 Standard TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 975 mV a 5 A 35 ns 10 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 10A 70 pF a 4 V, 1 MHz
MUR860H Taiwan Semiconductor Corporation MUR860H -
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 ECAD 5165 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 Standard TO-220AC - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-MUR860H EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 8 A 50 n 5 µA a 600 V -55°C ~ 175°C 8A -
SF48G Taiwan Semiconductor Corporation SF48G 0,2748
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 ECAD 6868 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SF48 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 4 A 35 ns 5 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 4A 80 pF a 4 V, 1 MHz
SRA1060 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1060C0G -
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 ECAD 3815 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-2 SRA1060 Schottky TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 700 mV a 10 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 10A -
SS14HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS14HR3G -
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 ECAD 8532 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AC, SMA SS14 Schottky DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 500 mV a 1 A 200 µA a 40 V -55°C ~ 125°C 1A -
BZD27C56PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56PHRFG -
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 ECAD 3232 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±7,14% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 43 V 56 V 60 Ohm
RS1KLSH Taiwan Semiconductor Corporation RS1KLSH 0,0666
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 ECAD 1519 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123H RS1K Standard SOD-123HE scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-RS1KLSHTR EAR99 8541.10.0080 20.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,3 V a 1,2 A 300 n 5 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 1,2A -
UGF2006GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF2006GH 0,6996
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 ECAD 3347 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata UGF2006 Standard ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-UGF2006GH EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 400 V 20A 1,25 V a 10 A 20 ns 5 µA a 400 V -55°C ~ 175°C
HS5KH Taiwan Semiconductor Corporation HS5KH 0,2928
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 ECAD 7734 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-HS5KHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,7 V a 5 A 75 ns 10 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 5A 50 pF a 4 V, 1 MHz
US1GH Taiwan Semiconductor Corporation US1GH 0,0907
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 ECAD 6341 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA US1G Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1 V a 1 A 50 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
SFAS801GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation SFAS801GHMNG -
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 ECAD 6901 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SFAS801 Standard TO-263AB (D²PAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 950 mV a 8 A 35 ns 10 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 8A 80 pF a 4 V, 1 MHz
UF1K R1G Taiwan Semiconductor Corporation UF1K R1G -
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 ECAD 3644 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale UF1K Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,7 V a 1 A 75 ns 5 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 1A 17 pF a 4 V, 1 MHz
BAT42W RHG Taiwan Semiconductor Corporation BAT42W DX 0,3600
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 ECAD 10 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123 BAT42 Schottky SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 1 V a 200 mA 5 ns 500 nA a 25 V -55°C ~ 125°C 200mA 10 pF a 1 V, 1 MHz
SR515 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR515B0G -
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 ECAD 5675 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Massa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SR515 Schottky DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 1,05 V a 5 A 100 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 5A -
SS110LS Taiwan Semiconductor Corporation SS110LS 0,4200
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 ECAD 35 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123H SS110 Schottky SOD-123HE scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 800 mV a 1 A 50 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 1A 80 pF a 4 V, 1 MHz
SF61G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF61G A0G -
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 ECAD 8589 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SF61 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 975 mV a 6 A 35 ns 5 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 6A 100 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C13P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P MQG -
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 ECAD 9789 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,41% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 2 µA a 10 V 13,25 V 10 Ohm
UF4005HA0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4005HA0G -
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 ECAD 6871 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale UF4005 Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 1 A 75 ns 5 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 17 pF a 4 V, 1 MHz
UG06CHA1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06CHA1G -
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 ECAD 5428 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante T-18, assiale UG06 Standard TS-1 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 950 mV a 600 mA 15 ns 5 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 600mA 9 pF a 4 V, 1 MHz
BZT52C16K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C16K 0,0474
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 ECAD 3378 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT52C 200 mW SOD-523F scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT52C16KTR EAR99 8541.10.0050 6.000 100 nA a 12 V 16 V 40 Ohm
SK320AH Taiwan Semiconductor Corporation SK320AH 0,1251
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 ECAD 2386 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA SK320 Schottky DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 950 mV a 3 A 100 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 3A -
BZD17C75P RUG Taiwan Semiconductor Corporation TAPPETO BZD17C75P -
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 ECAD 4861 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD17 800 mW SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.800 1,2 V a 200 mA 1 µA a 56 V 75 V 100 ohm
LL4448 Taiwan Semiconductor Corporation LL4448 0,0263
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 ECAD 6899 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Standard MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-LL4448TR EAR99 8541.10.0070 2.500 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 75 V 1 V a 100 mA 4 ns 5 µA a 75 V -65°C ~ 175°C 150mA 4pF a 0 V, 1 MHz
RSFJL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFJL RHG -
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 ECAD 2950 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB RSFJL Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,3 V a 500 mA 250 n 5 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 500mA 4pF a 4V, 1MHz
BZD17C16P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P DX -
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 ECAD 4278 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5.625% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD17 800 mW SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 12 V 16 V 15 Ohm
BZV55B11 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B11L1G -
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 ECAD 2362 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55B 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V a 100 mA 100 nA a 8,2 V 11 V 20 Ohm
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196-LFBGA Tampone esposto

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