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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
SRS10100 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS10100MNG -
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 ECAD 5055 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SRS10100 Schottky TO-263AB (D²PAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 10A 900 mV a 5 A 100 µA a 100 V -55°C ~ 150°C
SS26HR5G Taiwan Semiconductor Corporation SS26HR5G -
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 ECAD 7836 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SS26 Schottky DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 700 mV a 2 A 400 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 2A -
SFA1001GH Taiwan Semiconductor Corporation SFA1001GH -
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 ECAD 1770 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 Standard TO-220AC - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SFA1001GH EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 975 mV a 10 A 35 ns 10 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 10A 70 pF a 4 V, 1 MHz
BZT52C13K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13K RKG 0,0474
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 ECAD 8813 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT52C 200 mW SOD-523F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 100 nA a 10 V 13 V 30 Ohm
ZM4748A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4748A 0,0830
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 ECAD 1651 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AB, MELF ZM4748 1 W MELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-ZM4748ATR EAR99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 16,7 V 22 V 23 Ohm
MBRF2545CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2545CT -
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 ECAD 5464 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata MBRF2545 Schottky ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 25A 820 mV a 12,5 A 2 mA a 45 V -55°C ~ 150°C
1N5408GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5408GHB0G -
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 ECAD 3038 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale 1N5408 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1000 V 1 V a 3 A 5 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 3A 25 pF a 4 V, 1 MHz
SRAF560 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF560C0G -
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 ECAD 7508 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-2 Pacchetto completo SRAF560 Schottky ITO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 700 mV a 5 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 5A -
HS1GL RHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL RHG -
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 ECAD 1176 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB HS1G Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 1 A 50 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1A 20 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C200P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PMTG -
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 ECAD 5600 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 150 V 200 V 750 Ohm
1N4733G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4733G A0G -
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 ECAD 3905 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TA) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4733 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 1 V 5,1 V 7 Ohm
S10JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10JCHR7G -
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 ECAD 4521 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC S10J Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,1 V a 10 A 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 10A 60 pF a 4 V, 1 MHz
2M47ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M47ZHB0G -
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 ECAD 9475 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale 2M47 2 W DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 500 nA a 35,8 V 47 V 40 Ohm
ES1LGHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1LGHR3G -
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 ECAD 5315 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AC, SMA ES1L Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 1 A 35 ns 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1A 18 pF a 4 V, 1 MHz
SK85C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK85C R6 -
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 ECAD 3216 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SK85CR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 750 mV a 8 A 500 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 8A -
AZ23C8V2 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C8V2RFG 0,0786
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 ECAD 1422 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 mW SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 paio di anodo comune 100 nA a 6 V 8,2 V 7 Ohm
SS310H Taiwan Semiconductor Corporation SS310H 0,4700
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 ECAD 3 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 850 mV a 3 A 100 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 3A -
1N5230B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5230B A0G -
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 ECAD 7884 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% 100°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5230 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,1 V a 200 mA 5 µA a 2 V 4,7 V 19 Ohm
BZD17C13P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13PMTG -
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 ECAD 2528 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,53% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD17 800 mW SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 2 µA a 10 V 13 V 10 Ohm
BZT52C10S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10S RRG -
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 ECAD 4937 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-90, SOD-323F BZT52C 200 mW SOD-323F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V a 10 mA 180 nA a 7 V 10 V 20 Ohm
SK810CH Taiwan Semiconductor Corporation SK810CH 0,3477
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 ECAD 3692 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 900 mV a 8 A 500 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 8A -
SS19L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L RVG -
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 ECAD 6258 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS19 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 90 V 800 mV a 1 A 50 µA a 90 V -55°C ~ 150°C 1A -
FR306G Taiwan Semiconductor Corporation FR306G 0,1731
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 ECAD 1909 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale FR306 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,3 V a 3 A 500 n 5 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 3A 30 pF a 4 V, 1 MHz
BZX55C9V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C9V1 A0G -
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 ECAD 3280 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX55 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1 V a 100 mA 100 nA a 6,8 V 9,1 V 10 Ohm
MBRF1660H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1660H -
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 ECAD 9932 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 Pacchetto completo Schottky ITO-220AC - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-MBRF1660H EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 750 mV a 16 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 16A -
BZD17C43P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43PMHG -
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 ECAD 6945 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,97% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD17 800 mW SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 33 V 43 V 45 Ohm
SFF1002G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1002G -
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 ECAD 1909 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata SFF1002 Standard ITO-220AB - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SFF1002G EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 10 A (CC) 975 mV a 5 A 35 ns 10 µA a 100 V -55°C ~ 150°C
SS23L Taiwan Semiconductor Corporation SS23L 0,2625
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 ECAD 7801 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123 SS23 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-SS23LTR EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 500 mV a 2 A 400 µA a 30 V -55°C ~ 125°C 2A -
SK520C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK520C R6 -
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 ECAD 8454 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SK520CR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 950 mV a 5 A 300 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 5A -
S1KLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1KLHRVG -
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 ECAD 4730 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB S1K Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 800 V 1,1 V a 1 A 1,8 µs 5 µA a 800 V -55°C ~ 175°C 1A 9 pF a 4 V, 1 MHz
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    2000+

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