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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
DBLS155G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS155G 0,7700
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 ECAD 6 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DBLS155 Standard DBLS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.500 1,1 V a 1,5 A 2 µA a 600 V 1,5 A Monofase 600 V
HS1FL RUG Taiwan Semiconductor Corporation TAPPETO HS1FL -
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 ECAD 2463 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB HS1F Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 300 V 950 mV a 1 A 50 n 5 µA a 300 V -55°C ~ 150°C 1A 20 pF a 4 V, 1 MHz
BZS55C2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C2V4 0,0340
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 ECAD 2444 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 1206 (3216 metri) BZS55 500 mW 1206 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZS55C2V4TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1,5 V a 10 mA 50 µA a 1 V 2,4 V 85 Ohm
MBRF1545CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1545CT 1.1900
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 ECAD 5 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata MBRF1545 Schottky ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 15A 840 mV a 15 A 500 µA a 45 V -55°C ~ 150°C
BZV55C4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C4V3L0G 0,0333
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 ECAD 7215 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55C 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 1 µA a 1 V 4,3 V 75 Ohm
MTZJ3V3SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V3SA 0,0305
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 ECAD 3407 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ3 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-MTZJ3V3SATR EAR99 8541.10.0050 10.000 20 µA a 1 V 3,3 V 120 Ohm
1N5400GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400GHB0G -
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 ECAD 8612 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale 1N5400 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 50 V 1,1 V a 3 A 5 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 3A 25 pF a 4 V, 1 MHz
HS1JL RQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1JL RQG -
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 ECAD 8435 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB HS1J Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 1 A 75 ns 5 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
1N4754G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754G R0G 0,0627
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 ECAD 6366 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TA) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4754 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 29,7 V 39 V 60 Ohm
SS16LSH Taiwan Semiconductor Corporation SS16LSH 0,0712
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 ECAD 6081 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123H SS16 Schottky SOD-123HE scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-SS16LSHTR EAR99 8541.10.0080 20.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 700 mV a 1 A 400 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 1A 80 pF a 4 V, 1 MHz
TUAS8GH Taiwan Semiconductor Corporation TUAS8GH 0,2466
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 ECAD 2648 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-277, 3-PowerDFN TUAS8 Standard SMPC4.6U scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-TUAS8GHTR EAR99 8541.10.0080 6.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 400 V 1,1 V a 8 A 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 8A 62 pF a 4 V, 1 MHz
MTZJ36SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ36SC 0,0305
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 ECAD 7267 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ36 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-MTZJ36SCTR EAR99 8541.10.0050 10.000 200 nA a 27 V 34,27 V 75 Ohm
ES3HB Taiwan Semiconductor Corporation ES3HB 0,4770
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 ECAD 4249 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI Standard DO-214AA (PMI) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-ES3HBTR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 500 V 1,45 V a 3 A 35 ns 10 µA a 500 V -55°C ~ 150°C 3A 34 pF a 4 V, 1 MHz
SF18G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF18G B0G -
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 ECAD 2872 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Massa Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale SF18 Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 1 A 35 ns 5 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
1SMA4738 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4738 0,0655
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 ECAD 8194 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1 W DO-214AC (SMA) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-1SMA4738TR EAR99 8541.10.0050 7.500 5 µA a 6 V 8,2 V 4,5 Ohm
SS13H Taiwan Semiconductor Corporation SS13H 0,0734
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 ECAD 8936 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA SS13 Schottky DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 500 mV a 1 A 200 µA a 30 V -55°C ~ 125°C 1A -
MBRS1060 Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1060 0,4783
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 ECAD 9665 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB MBRS1060 Schottky TO-263AB (D2PAK) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-MBRS1060TR EAR99 8541.10.0080 1.600 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 800 mV a 10 A 100 µA a 60 V -55°C ~ 175°C 10A -
UF4004HR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4004HR1G -
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 ECAD 1449 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale UF4004 Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1 V a 1 A 50 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1A 17 pF a 4 V, 1 MHz
SF11GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF11GHB0G -
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 ECAD 4645 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale SF11 Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 950 mV a 1 A 35 ns 5 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 1A 20 pF a 4 V, 1 MHz
MBRF3045CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF3045CTH 1.0110
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 ECAD 9529 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata MBRF3045 Schottky ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 30A 820 mV a 30 A 200 µA a 45 V -55°C ~ 150°C
MBRF1660 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1660C0G -
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 ECAD 2296 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-2 Pacchetto completo MBRF1660 Schottky ITO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 750 mV a 16 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 16A -
1N5820HA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5820HA0G -
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 ECAD 8346 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale 1N5820 Schottky DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 475 mV a 3 A 500 µA a 20 V -55°C ~ 125°C 3A 200 pF a 4 V, 1 MHz
MBR2060PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2060PTHC0G -
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 ECAD 3944 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 MBR2060 Schottky TO-247AD (TO-3P) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 60 V 20A 950 mV a 20 A 100 µA a 60 V -55°C ~ 150°C
MBRS1060CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1060CTH 0,5920
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 ECAD 3878 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB MBRS1060 Schottky TO-263AB (D2PAK) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-MBRS1060CTHTR EAR99 8541.10.0080 1.600 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 60 V 10A 900 mV a 10 A 100 µA a 60 V -55°C ~ 150°C
HER606GH Taiwan Semiconductor Corporation HER606GH 0,5466
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 ECAD 8949 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante R-6, assiale Standard R-6 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-HER606GHTR EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 6 A 75 ns 10 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 6A 65 pF a 4 V, 1 MHz
AZ23C6V8 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C6V8 0,0786
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 ECAD 4988 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 mW SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-AZ23C6V8TR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 paio di anodo comune 100 nA a 3 V 6,8 V 8 Ohm
SF27GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF27GHA0G -
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 ECAD 5598 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale SF27 Standard DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 500 V 1,7 V a 2 A 35 ns 5 µA a 500 V -55°C ~ 150°C 2A 20 pF a 4 V, 1 MHz
1N5255B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5255B A0G -
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 ECAD 3210 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% 100°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5255 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,1 V a 200 mA 100 nA a 21 V 28 V 44 Ohm
S5B R6G Taiwan Semiconductor Corporation S5B R6G -
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 ECAD 8176 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-S5BR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 100 V 1,15 V a 5 A 1,5 µs 10 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 5A 60 pF a 4 V, 1 MHz
BZT55C6V2 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V2L0G 0,0350
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 ECAD 5045 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZT55 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 2 V 6,2 V 10 Ohm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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