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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
BZD27C36PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PHM2G -
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 ECAD 4041 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,55% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 27 V 36 V 40 Ohm
GBU803 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU803D2G -
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 ECAD 4718 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, GBU GBU803 Standard GBU scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 20 1,1 V a 8 A 5 µA a 200 V 8A Monofase 200 V
ES3CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3CHM6G -
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 ECAD 5673 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC ES3C Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 950 mV a 3 A 35 ns 10 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 3A 45 pF a 4 V, 1 MHz
SS25LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS25LHRQG -
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 ECAD 2720 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS25 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 700 mV a 2 A 400 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 2A -
TUAU6GH Taiwan Semiconductor Corporation TUAU6GH 0,3996
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 ECAD 1520 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-277, 3-PowerDFN TUAU6 Standard SMPC4.6U scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-TUAU6GHTR EAR99 8541.10.0080 6.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 6 A 50 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 175°C 6A 64 pF a 4 V, 1 MHz
BZT52C16-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C16-G RHG 0,0445
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 ECAD 6068 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZT52C 350 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 11,2 V 16 V 40 Ohm
TUAS4GH Taiwan Semiconductor Corporation TUAS4GH 0.2022
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 ECAD 7337 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-277, 3-PowerDFN TUAS4 Standard SMPC4.6U scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-TUAS4GHTR EAR99 8541.10.0080 6.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 400 V 1,1 V a 4 A 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 4A 33 pF a 4 V, 1 MHz
1SMA4760 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4760 0,0935
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 ECAD 6728 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1SMA4760 1,25 W DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1 µA a 51,7 V 68 V 150 ohm
BZD17C16PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16PH 0,2790
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 ECAD 2124 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZD17 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZD17C16PHTR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 200 mA 1 µA a 12 V 16 V 15 Ohm
BZV55B7V5 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B7V5 L0G 0,0357
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 ECAD 5476 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55B 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 100 mA 100 nA a 5 V 7,5 V 7 Ohm
SF27G Taiwan Semiconductor Corporation SF27G -
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 ECAD 2812 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale Standard DO-204AC (DO-15) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SF27GTR EAR99 8541.10.0080 3.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 500 V 1,7 V a 2 A 35 ns 5 µA a 500 V -55°C ~ 150°C 2A 20 pF a 4 V, 1 MHz
BZS55C2V4 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C2V4RXG 0,0340
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 ECAD 1474 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 1206 (3216 metri) BZS55 500 mW 1206 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 10 mA 50 µA a 1 V 2,4 V 85 Ohm
1SMB5943 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5943 0,1453
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 ECAD 1774 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 1SMB5943 3 W DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA a 42,6 V 56 V 86 Ohm
DBL201G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL201G C1G -
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 ECAD 1999 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DBL201 Standard DBL scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 1,15 V a 2 A 2 µA a 5 V 2A Monofase 50 V
SFF1007GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1007GH -
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 ECAD 7416 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata SFF1007 Standard ITO-220AB - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SFF1007GH EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 500 V 10 A (CC) 1,7 V a 5 A 35 ns 10 µA a 500 V -55°C ~ 150°C
1N4760A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4760A R1G -
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 ECAD 1895 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4760 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 51,7 V 68 V 150 ohm
GBLA01HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBLA01HD2G -
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 ECAD 4189 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Interrotto alla SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, GBL GBLA01 Standard GBL scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 25 1 V a 4 A 5 µA a 100 V 4A Monofase 100 V
BAT43 R0 Taiwan Semiconductor Corporation BAT43R0 -
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 ECAD 7797 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Obsoleto Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale Schottky DO-35 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato BAT43R0 EAR99 8541.10.0070 10.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 1 V a 200 mA 5 ns 500 nA a 25 V -65°C ~ 125°C 200mA 7 pF a 1 V, 1 MHz
US1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1J R3G 0,5700
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 ECAD 6 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AC, SMA US1J Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 1 A 75 ns 5 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
BZT52B11S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B11S RRG -
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 ECAD 1278 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-90, SOD-323F BZT52B 200 mW SOD-323F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V a 10 mA 90 nA a 8 V 11 V 20 Ohm
2M30ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M30ZHA0G -
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 ECAD 4904 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale 2M30 2 W DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 500 nA a 22,8 V 30 V 20 Ohm
BZX79C43 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C43 0,0287
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 ECAD 3047 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX79 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZX79C43TR EAR99 8541.10.0050 20.000 1,5 V a 100 mA 50 nA a 30,1 V 43 V 150 ohm
SF36G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF36G A0G 0,3380
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 ECAD 7895 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro tagliato (CT) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SF36 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 3 A 35 ns 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 3A 60 pF a 4 V, 1 MHz
HS5J R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS5J R6 -
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 ECAD 6395 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-HS5JR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 5 A 75 ns 10 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 5A 50 pF a 4 V, 1 MHz
TSD30H150CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD30H150CW 1.4064
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 ECAD 3664 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB TSD30 TO-263AB (D²PAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 800
BZT52B33-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B33-G DX 0,0461
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 ECAD 8967 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZT52B 410 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 23,1 V 33 V 80 Ohm
BZD27C68P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P DX -
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 ECAD 1219 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,88% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 51 V 68 V 80 Ohm
ESH3B R7 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B R7 -
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 ECAD 2622 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-ESH3BR7TR EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 900 mV a 3 A 20 ns 5 µA a 100 V -55°C ~ 175°C 3A 45 pF a 4 V, 1 MHz
BZX85C33 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C33 0,0645
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 ECAD 4733 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale BZX85 1,3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZX85C33TR EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 10 mA 500 nA a 24 V 33 V 35 Ohm
MBR16150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR16150HC0G -
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 ECAD 5266 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-2 MBR16150 Schottky TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 950 mV a 16 A 100 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 16A -
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196-LFBGA Tampone esposto

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