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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
MBRF790 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF790C0G -
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 ECAD 7628 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 Pacchetto completo MBRF790 Schottky ITO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 90 V 920 mV a 7,5 A 100 µA a 90 V -55°C ~ 150°C 7,5 A -
1N4747AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4747AH 0,1188
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 ECAD 9927 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4747 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 15,2 V 20 V 95 Ohm
1N4762A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4762A B0G -
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 ECAD 8195 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Massa Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4762 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 5 µA a 62,2 V 82 V 200 ohm
BZX55C33 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C33 A0G -
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 ECAD 2952 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX55 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1 V a 100 mA 100 nA a 24 V 33 V 80 Ohm
UGF1606GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1606GHC0G -
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 ECAD 6503 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata UGF1606 Standard ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 400 V 16A 1,25 V a 8 A 25 ns 10 µA a 400 V -55°C ~ 175°C
BZD27C220P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PMTG -
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 ECAD 8758 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,66% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 160 V 220,5 V 900 Ohm
BZT52B62-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B62-G 0,0461
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 ECAD 3844 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123F BZT52B 410 mW SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT52B62-GTR EAR99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 45 nA a 43,4 V 62 V 215 Ohm
SR002 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR002 R0G -
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 ECAD 9652 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale SR002 Schottky DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 550 mV a 500 mA 500 µA a 20 V -55°C ~ 125°C 500mA 110 pF a 4 V, 1 MHz
SS14LH Taiwan Semiconductor Corporation SS14LH 0,2235
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 ECAD 5415 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123 SS14 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-SS14LHTR EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 550 mV a 1 A 400 µA a 40 V -55°C ~ 125°C 1A -
SR506H Taiwan Semiconductor Corporation SR506H 0,2041
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 ECAD 7344 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SR506 Schottky DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 700 mV a 5 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 5A -
FR154G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR154G B0G -
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 ECAD 1996 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Massa Attivo Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale FR154 Standard DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 1,5 A 150 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1,5 A 20 pF a 4 V, 1 MHz
MTZJ3V0SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V0SB R0G 0,0305
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 ECAD 6239 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ3 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 50 µA a 1 V 3,12 V 120 Ohm
BZD27C120PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120PHRQG -
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 ECAD 9425 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,39% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 91 V 120,5 V 300 ohm
MTZJ2V0SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SB R0G 0,0305
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 ECAD 9590 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ2 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 120 µA a 500 mV 2,11 V 100 ohm
ESJLWH Taiwan Semiconductor Corporation ESJLWH 0,0948
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 ECAD 3063 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123W ESJLW Standard SOD-123W scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 800 mA 35 ns 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 800 mA 19 pF a 4 V, 1 MHz
BZX55C27 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C27 0,0287
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 ECAD 8345 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX55 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZX55C27TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 100 mA 100 nA a 20 V 27 V 80 Ohm
BZD27C15P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P R3G 0,1600
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 ECAD 3173 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,12% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.800 1,2 V a 200 mA 1 µA a 11 V 14,7 V 10 Ohm
1SMB5955HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5955HR5G -
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 ECAD 5370 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 1SMB5955 3 W DO-214AA (PMI) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 850 1 µA a 136,8 V 180 V 900 Ohm
MUR320S R6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR320S R6 -
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 ECAD 2031 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-MUR320SR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 875 mV a 3 A 25 ns 5 µA a 200 V -55°C ~ 175°C 3A -
SRT13 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT13 A0G -
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 ECAD 9581 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante T-18, assiale SRT13 Schottky TS-1 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 550 mV a 1 A 500 µA a 30 V -55°C ~ 125°C 1A -
BZT52C33K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C33K 0,0474
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 ECAD 5944 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT52C 200 mW SOD-523F scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT52C33KTR EAR99 8541.10.0050 6.000 100 nA a 25 V 33 V 80 Ohm
BZT52B4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V3 0,0412
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 ECAD 5395 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123F BZT52B 500 mW SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT52B4V3TR EAR99 8541.10.0050 6.000 1 V a 10 mA 2,7 µA a 1 V 4,3 V 90 Ohm
S1JFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation S1JFSHMWG 0,4800
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 ECAD 801 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-128 S1J Standard SOD-128 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 600 V 1,1 V a 1 A 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 9 pF a 4 V, 1 MHz
1N4933G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933G R1G -
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 ECAD 7789 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4933 Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 1,2 V a 1 A 200 n 5 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
1N4763AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4763AHB0G -
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 ECAD 3946 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4763 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 5 µA a 69,2 V 91 V 250 Ohm
BZT52B3V9 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V9 RHG 0,2700
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 ECAD 32 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123F BZT52B 500 mW SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V a 10 mA 2,7 µA a 1 V 3,9 V 90 Ohm
BZX55C51 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C51A0G -
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 ECAD 1887 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX55 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1 V a 100 mA 100 nA a 38 V 51 V 125 Ohm
MBS4 Taiwan Semiconductor Corporation MBS4 0,5000
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 ECAD 2 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 4-BESOP (0,173", larghezza 4,40 mm) MBS4 Standard MBS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 1 V a 2 A 5 µA a 400 V 800 mA Monofase 400 V
SFAF806GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF806GHC0G -
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 ECAD 5838 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 Pacchetto completo SFAF806 Standard ITO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 8 A 35 ns 10 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 8A 60 pF a 4 V, 1 MHz
S1ALHMHG Taiwan Semiconductor Corporation S1ALHMHG -
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 ECAD 7746 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB S1A Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 50 V 1,1 V a 1 A 1,8 µs 5 µA a 50 V -55°C ~ 175°C 1A 9 pF a 4 V, 1 MHz
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