Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZD17C120P RFG | - | ![]() | 3877 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5,41% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 91 V | 120 V | 300 ohm | ||||||||||||
![]() | MBRF30200CTHC0G | - | ![]() | 6317 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | MBRF30200 | Schottky | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 30A | 1,05 V a 30 A | 200 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | 2M16ZHB0G | - | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 2M16 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 8 Ohm | ||||||||||||
![]() | SS22L | 0,2625 | ![]() | 6335 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123 | SS22 | Schottky | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-SS22LTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 500 mV a 2 A | 400 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 2A | - | ||||||||||
![]() | ES2AAH | 0,1886 | ![]() | 3964 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-ES2AAHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 950 mV a 2 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 25 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SK520C M6G | - | ![]() | 4448 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SK520 | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 950 mV a 5 A | 300 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | ||||||||||
| S1BLHMQG | - | ![]() | 6232 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | S1B | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 1 A | 1,8 µs | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 9 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| SS13H | 0,0734 | ![]() | 8936 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SS13 | Schottky | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 500 mV a 1 A | 200 µA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 1A | - | |||||||||||
![]() | MBRS15100CTH | 0,7552 | ![]() | 5241 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MBRS15100 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-MBRS15100CTHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 15A | 920 mV a 7,5 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | SF11GHB0G | - | ![]() | 4645 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | SF11 | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 950 mV a 1 A | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | GPA804C0G | - | ![]() | 2232 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-220-2 | GPA804 | Standard | TO-220AC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 8 A | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SR1502 R0G | - | ![]() | 1321 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | R-6, assiale | SR1502 | Schottky | R-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 550 mV a 15 A | 500 µA a 20 V | -50°C ~ 150°C | 15A | - | ||||||||||
| BZD17C180P R3G | 0,3540 | ![]() | 8037 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,38% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 130 V | 180 V | 450 Ohm | ||||||||||||
![]() | SRT15HA1G | - | ![]() | 3891 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Interrotto alla SIC | Foro passante | T-18, assiale | SRT15 | Schottky | TS-1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 700 mV a 1 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | ||||||||||
| BZD27C68PHRUG | - | ![]() | 4764 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5,88% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 51 V | 68 V | 80 Ohm | ||||||||||||
![]() | TSZU52C39RG | 0,0669 | ![]() | 7951 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | ±5% | -55°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 0603 (1608 metri) | TSZU52 | 150 mW | 0603 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 29 V | 39 V | 90 Ohm | |||||||||||
![]() | 2A02GHA0G | - | ![]() | 6030 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 2A02 | Standard | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 2 A | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MUR440SHM6G | - | ![]() | 5025 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | MUR440 | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,25 V a 4 A | 50 n | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | 4A | 65 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MUR160A B0G | - | ![]() | 8503 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Massa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MUR160 | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,25 V a 1 A | 50 n | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 27 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SFT12GHR0G | - | ![]() | 8029 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | T-18, assiale | SFT12 | Standard | TS-1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 950 mV a 1 A | 35 ns | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
| ESGLWH | 0,0948 | ![]() | 2661 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123W | ESGLW | Standard | SOD-123W | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 800 mA | 35 ns | 1 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 800 mA | 20 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| SS26LHRQG | - | ![]() | 8605 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | SS26 | Schottky | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 700 mV a 2 A | 400 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | |||||||||||
| RSFAL RHG | - | ![]() | 4822 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | RSFAL | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1,3 V a 500 mA | 150 n | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 500mA | 4pF a 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZT55C4V3L1G | - | ![]() | 5833 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZT55 | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V a 10 mA | 1 µA a 1 V | 4,3 V | 75 Ohm | |||||||||||
![]() | SRS1690MNG | - | ![]() | 3473 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SRS1690 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 90 V | 16A | 900 mV a 8 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
| BZD27C15P M2G | - | ![]() | 8736 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,12% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 11 V | 14,7 V | 10 Ohm | ||||||||||||
| S1BL | 0,4500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | S1B | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 1 A | 1,8 µs | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 9 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HS3M | 0.2021 | ![]() | 6125 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | HS3M | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 75 ns | 10 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| RS1DL RVG | 0,4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | RS1D | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 800 mA | 150 n | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 800 mA | 10 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SF23GHA0G | - | ![]() | 7486 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | SF23 | Standard | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 950 mV a 2 A | 35 ns | 5 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 40 pF a 4 V, 1 MHz |

Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

Unità di prodotto standard

Produttori mondiali

Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)