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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
BZT52C47K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C47K RKG 0,0474
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 ECAD 7310 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT52C 200 mW SOD-523F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 2 µA a 36 V 47 V 170 Ohm
1PGSMA110ZHR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA110ZHR3G -
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 ECAD 6261 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1PGSMA110 1,25 W DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.800 1,2 V a 200 mA 1 µA a 83,6 V 110 V 450 Ohm
HS3G R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS3G R7 -
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 ECAD 1168 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-HS3GR7TR EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 3 A 50 n 10 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 3A 80 pF a 4 V, 1 MHz
1N4752A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752A 0,1118
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 ECAD 3606 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4752 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 25,1 V 33 V 45 Ohm
HER1603G Taiwan Semiconductor Corporation HER1603G 0,8244
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 ECAD 5181 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Standard TO-220AB - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-HER1603G EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 200 V 16 A (CC) 1 V a 8 A 50 n 10 µA a 200 V -55°C ~ 150°C
BZD27C150P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PRTG -
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 ECAD 1905 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,12% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 110 V 147 V 300 ohm
TSS54L-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS54L-F0RWG -
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 ECAD 1647 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Massa Obsoleto Montaggio superficiale 1005 (2512 metri) Schottky 1005 - 1801-TSS54L-F0RWG OBSOLETO 1 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 1 V a 100 mA 5 ns 2 µA a 25 V -65°C ~ 125°C 200mA 10 pF a 1 V, 1 MHz
BZD27C7V5PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHR3G 0,1089
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 ECAD 6577 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi ±6,04% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.800 1,2 V a 200 mA 50 µA a 3 V 7,45 V 2 Ohm
BZV55C5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C5V6 L0G 0,0333
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 ECAD 6491 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55C 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 1 V 5,6 V 25 Ohm
2M22ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M22ZHB0G -
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 ECAD 6689 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale 2M22 2 W DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 500 nA a 16,7 V 22 V 12 Ohm
TPAR3D Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3D 0,2997
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 ECAD 5702 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-277, 3-PowerDFN TPAR3 Valanga TO-277A (SMPC) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-TPAR3DTR EAR99 8541.10.0080 6.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 1,55 V a 3 A 120 n 10 µA a 200 V -55°C ~ 175°C 3A 58 pF a 4 V, 1 MHz
BZY55C9V1 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C9V1RYG -
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 ECAD 9022 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 0805 (metrico 2012) BZY55 500 mW 0805 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 10 mA 100 nA a 6,8 V 9,1 V 10 Ohm
BZX55C5V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C5V1 A0G -
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 ECAD 9616 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX55 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1 V a 100 mA 100 nA a 1 V 5,1 V 35 Ohm
BZT55B22 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B22 0,0385
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 ECAD 4660 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Variante SOD-80 500 mW QMMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT55B22TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 16 V 22 V 55 Ohm
ESH3B R6 Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B R6 -
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 ECAD 4439 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-ESH3BR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 900 mV a 3 A 20 ns 5 µA a 100 V -55°C ~ 175°C 3A 45 pF a 4 V, 1 MHz
US1K Taiwan Semiconductor Corporation US1K 0,0757
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 ECAD 8110 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA US1K Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,7 V a 1 A 75 ns 5 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
RS1JL MQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLMQG -
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 ECAD 7680 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB RS1J Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,3 V a 800 mA 250 n 5 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 800 mA 10 pF a 4 V, 1 MHz
MTZJ18B R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ18B R0G -
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 ECAD 1043 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2,5% -65°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 200 nA a 13 V 17.26 V 45 Ohm
SR1620PT Taiwan Semiconductor Corporation SR1620PT 1.9651
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 ECAD 7993 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 SR1620 Schottky TO-247AD (TO-3P) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SR1620PT EAR99 8541.10.0080 900 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 20 V 16 A (CC) 550 mV a 8 A 500 µA a 20 V -55°C ~ 125°C
SFF10L08G Taiwan Semiconductor Corporation SFF10L08G 0,4119
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 ECAD 2929 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata SFF10L08 Standard ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-SFF10L08G EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 600 V 5A 1,7 V a 5 A 35 ns 10 µA a 600 V -55°C ~ 150°C
1M120Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M120Z B0G -
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 ECAD 5940 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Massa Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1M120 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 5 µA a 91,2 V 120 V 550 Ohm
RS1AL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL RFG -
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 ECAD 2711 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB RS1A Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 1,3 V a 800 mA 150 n 5 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 800 mA 10 pF a 4 V, 1 MHz
BZV55C27 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C27 0,0333
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 ECAD 7850 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55C 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZV55C27TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 20 V 27 V 80 Ohm
MBRF2535CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2535CT C0G -
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 ECAD 3112 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata MBRF2535 Schottky ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 35 V 25A 820 mV a 12,5 A 2 mA a 35 V -55°C ~ 150°C
TSZL52C8V2 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C8V2RWG -
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 ECAD 5735 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 125°C (TJ) Montaggio superficiale 1005 (2512 metri) TSZL52 200 mW 1005 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 6 V 8,2 V 7 Ohm
BZT52B18 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B18 DX 0,2700
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 ECAD 25 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123F BZT52B 500 mW SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V a 10 mA 45 nA a 12,6 V 18 V 45 Ohm
PU1JLW Taiwan Semiconductor Corporation PU1JLW 0,0933
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 ECAD 9454 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123W PU1J Standard SOD-123W scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-PU1JLWTR EAR99 8541.10.0080 20.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,5 V a 1 A 25 ns 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 17 pF a 4 V, 1 MHz
ES1HR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1HR3G -
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 ECAD 1182 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA ES1H Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 500 V 1,7 V a 1 A 35 ns 5 µA a 500 V -55°C ~ 150°C 1A 16 pF a 4 V, 1 MHz
1N4752AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752AHR1G -
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 ECAD 8974 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4752 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 25,1 V 33 V 45 Ohm
BZT52C18-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C18-G 0,0445
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 ECAD 7144 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZT52C 350 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT52C18-GTR EAR99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 12,6 V 18 V 45 Ohm
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