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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
BZX55C5V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C5V1 A0G -
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 ECAD 9616 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX55 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1 V a 100 mA 100 nA a 1 V 5,1 V 35 Ohm
PU2JB Taiwan Semiconductor Corporation PU2JB 0,1258
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 ECAD 7867 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI PU2J Standard DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-PU2JBTR EAR99 8541.10.0080 6.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,5 V a 2 A 25 ns 2 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 2A 22 pF a 4 V, 1 MHz
HS3G R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS3G R7 -
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 ECAD 1168 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-HS3GR7TR EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 3 A 50 n 10 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 3A 80 pF a 4 V, 1 MHz
BZY55C9V1 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C9V1RYG -
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 ECAD 9022 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 0805 (metrico 2012) BZY55 500 mW 0805 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 10 mA 100 nA a 6,8 V 9,1 V 10 Ohm
RS1ML MHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1MLMHG -
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 ECAD 1408 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB RS1M Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 1,3 V a 800 mA 500 n 5 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 800 mA 10 pF a 4 V, 1 MHz
ES1DL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1DL RHG -
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 ECAD 5587 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB ES1D Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 950 mV a 1 A 35 ns 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 1 V, 1 MHz
BZD27C150P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PRTG -
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 ECAD 1905 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,12% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 110 V 147 V 300 ohm
1N5251B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5251B 0,0271
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 ECAD 3544 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% 200°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5251 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-1N5251BTR EAR99 8541.10.0050 10.000 1,1 V a 200 mA 100 nA a 17 V 22 V 29 Ohm
SS110LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS110LHRVG 0,2235
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 ECAD 1285 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS110 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 800 mV a 1 A 50 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 1A -
BZV55C5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C5V6 L0G 0,0333
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 ECAD 6491 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55C 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 1 V 5,6 V 25 Ohm
TSS54L-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS54L-F0RWG -
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 ECAD 1647 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Massa Obsoleto Montaggio superficiale 1005 (2512 metri) Schottky 1005 - 1801-TSS54L-F0RWG OBSOLETO 1 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 1 V a 100 mA 5 ns 2 µA a 25 V -65°C ~ 125°C 200mA 10 pF a 1 V, 1 MHz
ES1GLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1GLHM2G -
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 ECAD 4411 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB ES1G Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 1 A 35 ns 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1A 8 pF a 4 V, 1 MHz
ES3J M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3JM6G -
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 ECAD 2163 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC ES3J Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 3 A 35 ns 10 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 3A 30 pF a 4 V, 1 MHz
BZY55C36 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C36RYG -
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 ECAD 1178 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 0805 (metrico 2012) BZY55 500 mW 0805 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 10 mA 100 nA a 27 V 36 V 80 Ohm
TSZL52C8V2 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C8V2RWG -
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 ECAD 5735 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 125°C (TJ) Montaggio superficiale 1005 (2512 metri) TSZL52 200 mW 1005 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 6 V 8,2 V 7 Ohm
PU1JLW Taiwan Semiconductor Corporation PU1JLW 0,0933
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 ECAD 9454 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123W PU1J Standard SOD-123W scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-PU1JLWTR EAR99 8541.10.0080 20.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,5 V a 1 A 25 ns 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 17 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C82PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PHMQG -
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 ECAD 2321 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,09% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 62 V 82 V 200 ohm
1N4002GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002GHR0G -
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 ECAD 5593 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4002 Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 100 V 1 V a 1 A 5 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
BZX79B11 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B11 0,0305
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 ECAD 4069 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX79 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZX79B11TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1,5 V a 100 mA 8 mA a 100 mV 11 V 20 Ohm
1SMA5955 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5955 0,0935
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 ECAD 5601 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1SMA5955 1,5 W DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 500 nA a 136,8 V 180 V 900 Ohm
HS3A R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3A R6 -
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 ECAD 7628 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-HS3AR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 1 V a 3 A 50 n 10 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 3A 80 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C68P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P RVG 0,6900
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 ECAD 2 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 51 V 68 V 80 Ohm
BZT55B12 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B12 0,0544
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 ECAD 2993 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Variante SOD-80 500 mW QMMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT55B12TR EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V a 10 mA 100 nA a 9,1 V 12 V 20 Ohm
BZX85C4V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C4V3 A0G -
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 ECAD 7221 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale BZX85 1,3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 10 mA 3 µA a 1 V 4,3 V 13 Ohm
BZX79C68 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C68 A0G -
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 ECAD 4888 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX79 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 100 mA 50 nA a 47,6 V 68 V 240 Ohm
SK12BH Taiwan Semiconductor Corporation SK12BH -
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 ECAD 6033 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI Schottky DO-214AA (PMI) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SK12BHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 500 mV a 1 A 500 µA a 20 V -55°C ~ 125°C 1A -
SF803GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF803GHC0G -
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 ECAD 7103 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-3 SF803 Standard TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 975 mV a 8 A 35 ns 10 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 8A 70 pF a 4 V, 1 MHz
HS3M M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3M M6 -
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 ECAD 3740 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-HS3MM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 1,7 V a 3 A 75 ns 10 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 3A 50 pF a 4 V, 1 MHz
1M110Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M110Z A0G -
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 ECAD 6327 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1M110 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA a 83,6 V 110 V 450 Ohm
S8GC Taiwan Semiconductor Corporation S8GC 0,1915
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 ECAD 3541 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC S8GC Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 400 V 10 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 8A 48 pF a 4 V, 1 MHz
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  • Standard Product Unit

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