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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RS3D | 0,1648 | ![]() | 9836 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | RS3D | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 150 n | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||||
| RSFKL RHG | - | ![]() | 3586 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | RSFKL | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,3 V a 500 mA | 500 n | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 500mA | 4pF a 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SRT115HA1G | - | ![]() | 6817 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | T-18, assiale | SRT115 | Schottky | TS-1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 900 mV a 1 A | 100 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | ||||||||||||
| HS1FL R3G | - | ![]() | 6597 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | HS1F | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 300 V | 950 mV a 1 A | 50 n | 5 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
| SS12LSHRVG | 0,0972 | ![]() | 9015 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123H | SS12 | Schottky | SOD-123HE | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 450 mV a 1 A | 400 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 1A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | MBR30100CT | 0,8994 | ![]() | 5414 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | MBR30100 | Schottky | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 30A | 940 mV a 30 A | 200 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
![]() | SRT12A1G | - | ![]() | 9688 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e scatola (TB) | Interrotto alla SIC | Foro passante | T-18, assiale | SRT12 | Schottky | TS-1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 550 mV a 1 A | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | SK54C | 0,1897 | ![]() | 2131 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SK54 | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 550 mV a 5 A | 500 µA a 40 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | HS3D V7G | - | ![]() | 6076 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | HS3D | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 50 n | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SK53C M6G | - | ![]() | 5799 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SK53 | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 550 mV a 5 A | 500 µA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | ||||||||||||
| 1SMA4758HR3G | - | ![]() | 2372 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1SMA4758 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA a 42,6 V | 56 V | 110 Ohm | |||||||||||||||
![]() | SR3040PT | 1.6215 | ![]() | 9219 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SR3040 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 30A | 550 mV a 15 A | 1 mA a 40 V | -55°C ~ 125°C | ||||||||||||
![]() | SR002 | - | ![]() | 7777 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Schottky | DO-204AL (DO-41) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-SR002TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 550 mV a 500 mA | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 500mA | 110 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BAV70RFG | 0,2200 | ![]() | 3502 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV70 | Standard | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 1 paio di catodo comune | 70 V | 200mA | 1,25 V a 150 mA | 6 ns | 2,5 µA a 70 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | SR10150HC0G | - | ![]() | 9802 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | SR10150 | Schottky | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 10A | 950 mV a 5 A | 100 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
![]() | HS5J V7G | 1.4800 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | HS5J | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 5 A | 75 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 5A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | HS1MF-T | 0,1037 | ![]() | 6457 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-221AC, cavi piatti SMA | Standard | SMAF | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-HS1MF-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,7 V a 1 A | 75 ns | 5 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 8 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BZX55B4V7 A0G | - | ![]() | 4038 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | BZX55 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V a 100 mA | 500 nA a 1 V | 4,7 V | 60 Ohm | |||||||||||||
| RS2DFSH | 0,0690 | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-128 | Standard | SOD-128 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-RS2DFSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 28.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 2 A | 150 n | 1 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 11 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
| BZD27C56PRTG | - | ![]() | 7465 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±7,14% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 43 V | 56 V | 60 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SRA1650C0G | - | ![]() | 3184 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SRA1650 | Schottky | TO-220AC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 700 mV a 16 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 16A | - | ||||||||||||
| BZT52B43-G | 0,0466 | ![]() | 2918 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | BZT52B | 410 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZT52B43-GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 29,4 V | 43 V | 130 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SRS1040 | 0,6690 | ![]() | 4833 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SRS1040 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-SRS1040TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 10A | 550 mV a 5 A | 500 µA a 40 V | -55°C ~ 125°C | ||||||||||||
![]() | HS2KH | 0,1146 | ![]() | 5948 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-HS2KHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,7 V a 2 A | 75 ns | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 30 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | HER3004PTH | 1.8804 | ![]() | 1321 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | Standard | TO-247AD (TO-3P) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-HER3004PTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 300 V | 30A | 1 V a 15 A | 50 n | 10 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
![]() | UGF1006GA | 0,4786 | ![]() | 2077 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | UGF1006 | Standard | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-UGF1006GA | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 400 V | 10A | 1,25 V a 5 A | 20 ns | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||
![]() | HER157GH | 0,1203 | ![]() | 7405 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | Standard | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-HER157GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,7 V a 1,5 A | 75 ns | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 1,5 A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1SMB5952 | 0,1453 | ![]() | 4336 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 1SMB5952 | 3 W | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA a 98,8 V | 130 V | 450 Ohm | ||||||||||||||
![]() | KBU602G T0G | - | ![]() | 3350 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBU | Standard | KBU | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | KBU602GT0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 6 A | 5 µA a 100 V | 6A | Monofase | 100 V | |||||||||||||
![]() | 1PGSMB5933R5G | 0,7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 1PGSMB5933 | 3 W | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA a 16,7 V | 22 V | 17,5 Ohm |

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