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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | 2M75ZHA0G | - |  | 2731 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 2M75 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 nA a 56 V | 75 V | 90 Ohm | ||||||||||||||
| 1SMA4743R3G | - |  | 1702 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1SMA4743 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA a 9,9 V | 13 V | 10 Ohm | |||||||||||||||
|  | SF2003GHC0G | - |  | 5685 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | SF2003 | Standard | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 975 mV a 10 A | 35 ns | 5 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 20A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
|  | MUR460S | 0,6400 |  | 3 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | MUR460 | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 50 n | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 4A | 65 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
|  | TSZU52C5V6 RGG | 0,0669 |  | 1669 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | ±5% | -55°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 0603 (1608 metri) | TSZU52 | 150 mW | 0603 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 1 V | 5,6 V | 40 Ohm | |||||||||||||
|  | RS3D M6 | - |  | 1895 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-RS3DM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 3 A | 150 n | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||
|  | SF37GHA0G | - |  | 4037 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | SF37 | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 500 V | 1,7 V a 3 A | 35 ns | 5 µA a 500 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
| 1SMA180ZHR3G | - |  | 7400 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1SMA180 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA a 136,8 V | 180 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||
|  | SK84C R7 | - |  | 7304 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-SK84CR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 550 mV a 8 A | 500 µA a 40 V | -55°C ~ 125°C | 8A | - | ||||||||||||
| TAPPETO SS110L | 0,2100 |  | 2696 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | SS110 | Schottky | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 800 mV a 1 A | 50 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | |||||||||||||
| BZD27C62P RVG | 0,3900 |  | 11 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 47 V | 62 V | 80 Ohm | ||||||||||||||
|  | SR30150PTHC0G | - |  | 6322 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SR30150 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 30A | 1 V a 15 A | 500 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|  | SK86C | 0,2997 |  | 9637 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SK86 | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 500 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 8A | - | |||||||||||||
| BYG20G | 0,0999 |  | 3814 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | BYG20 | Standard | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,4 V a 1,5 A | 75 ns | 1 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1,5 A | - | ||||||||||||
| 1SMA4752HR3G | - |  | 4425 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1SMA4752 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA a 25,1 V | 33 V | 45 Ohm | |||||||||||||||
|  | 1SMC5352M6G | - |  | 1362 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | 1SMC5352 | 5 W | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA a 11,5 V | 15 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||||
|  | HER206G | 0,1247 |  | 6083 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | HER206 | Standard | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 2 A | 75 ns | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
|  | SS1H15LSH | 0,1278 |  | 5565 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123H | SS1H15 | Schottky | SOD-123HE | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-SS1H15LSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 850 mV a 1 A | 1 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | ||||||||||||
|  | BZT55C11L0G | 0,0350 |  | 8434 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZT55 | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 100 nA a 8,2 V | 11 V | 20 Ohm | |||||||||||||
|  | HERF1006G | - |  | 1759 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | HERF1006 | Standard | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 600 V | 10A | 1,7 V a 10 A | 80 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
|  | TS15PL06GHC2G | - |  | 1013 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 SIP, TS-6P | TS15PL06 | Standard | TS-6P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 930 mV a 7,5 A | 5 µA a 800 V | 15A | Monofase | 800 V | |||||||||||||
|  | 1N5819R1G | - |  | 1697 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5819 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 600 mV a 1 A | 1 mA a 40 V | -55°C ~ 125°C | 1A | 55 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
|  | 1SMB5956HR5G | - |  | 1823 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 1SMB5956 | 3 W | DO-214AA (PMI) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA a 152 V | 200 V | 1200 Ohm | ||||||||||||||
|  | PUAD10BCH | 0,9500 |  | 4 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | PUAD10 | Standard | ThinDPAK | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 10A | 950 mV a 10 A | 25 ns | 2 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||
|  | SR202H | - |  | 7112 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | Schottky | DO-204AC (DO-15) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-SR202H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 550 mV a 2 A | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 2A | - | ||||||||||||
|  | HER155G B0G | - |  | 9292 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Massa | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | HER155 | Standard | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1 V a 1,5 A | 50 n | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1,5 A | 35 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
| DBLS152GHRDG | - |  | 2775 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DBLS152 | Standard | DBLS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V a 1,5 A | 2 µA a 100 V | 1,5 A | Monofase | 100 V | ||||||||||||||
|  | RS2JH | 0,0964 |  | 9538 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-RS2JHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,3 V a 2 A | 250 n | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
| TAPPETO SS23L | - |  | 9788 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | SS23 | Schottky | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 500 mV a 2 A | 400 µA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | |||||||||||||
| 1PGSMA120ZH | 0,1156 |  | 4410 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1PGSMA120 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 91,2 V | 120 V | 550 Ohm | 

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