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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SR003HR0G | - | ![]() | 2564 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | SR003 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 550 mV a 500 mA | 500 µA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 500mA | 110 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SK82C V7G | - | ![]() | 1187 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SK82 | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 8A | - | |||||||||||||
| BZD27C100PHMQG | - | ![]() | 9280 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 75 V | 100 V | 200 ohm | ||||||||||||||
| S1DLHRQG | - | ![]() | 4177 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | S1D | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 1 A | 1,8 µs | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 9 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52B4V7 RHG | 0,0412 | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123F | BZT52B | 500 mW | SOD-123F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V a 10 mA | 2,7 µA a 2 V | 4,7 V | 80 Ohm | |||||||||||||
| BZD27C220PHRHG | - | ![]() | 1718 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5,66% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 160 V | 220,5 V | 900 Ohm | ||||||||||||||
| HS1GL RQG | - | ![]() | 8971 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | HS1G | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 1 A | 50 n | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | MTZJ39SD R0G | 0,0305 | ![]() | 8354 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AG, DO-34, assiale | MTZJ39 | 500 mW | DO-34 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 nA a 30 V | 37,58 V | 85 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SFAF2001GHC0G | - | ![]() | 6648 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SFAF2001 | Standard | ITO-220AC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 975 mV a 20 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 20A | 170 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | UGA15120H | - | ![]() | 4578 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | Standard | TO-220AC | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-UGA15120H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1200 V | 2,9 V a 15 A | 65 ns | 5 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 15A | - | |||||||||||
![]() | S5D | 0,2127 | ![]() | 7239 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | S5D | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,5 µs | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 5A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SFT14G R0G | 0,0848 | ![]() | 7571 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | T-18, assiale | SFT14 | Standard | TS-1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 950 mV a 1 A | 35 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BAS21C RFG | 0,0523 | ![]() | 4425 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS21 | Standard | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 1 paio di catodo comune | 250 V | 200mA | 1,25 V a 200 mA | 50 n | 100 nA a 200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | SR805HA0G | - | ![]() | 5381 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | SR805 | Schottky | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 700 mV a 8 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 8A | - | ||||||||||||
![]() | BA157G B0G | - | ![]() | 8212 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Massa | Interrotto alla SIC | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | BA157 | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,2 V a 1 A | 150 n | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZX84C3V9RFG | 0,0511 | ![]() | 5809 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 1 V | 3,9 V | 90 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N5237B A0G | - | ![]() | 4239 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | ±5% | 100°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5237 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V a 200 mA | 3 µA a 6,5 V | 8,2 V | 8 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1PGSMC5354HR7G | - | ![]() | 9885 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 nA a 12,9 V | 17 V | 3 Ohm | ||||||||||||||
![]() | MBR16100HC0G | - | ![]() | 1059 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-220-2 | MBR1610 | Schottky | TO-220AC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 850 mV a 16 A | 300 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 16A | - | ||||||||||||
![]() | MUR440SH | 0,2675 | ![]() | 3669 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,25 V a 4 A | 50 n | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | 4A | 65 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
| SS1H20LW | 0,4000 | ![]() | 6531 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123W | SS1H20 | Schottky | SOD-123W | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 850 mV a 1 A | 500 nA a 200 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | ABS8H | 0,1788 | ![]() | 9477 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | ABS8 | Standard | ABS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 950 mV a 400 mA | 10 µA a 800 V | 800 mA | Monofase | 800 V | |||||||||||||
| BZD17C33P RQG | - | ![]() | 9437 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,06% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 24 V | 33 V | 15 Ohm | ||||||||||||||
![]() | S1GB | 0,0991 | ![]() | 3048 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | S1G | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 1 A | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 12 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SR302HR0G | - | ![]() | 8934 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | DO-201AD, assiale | SR302 | Schottky | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 550 mV a 3 A | 500 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 3A | - | ||||||||||||
| ES1GLMHG | - | ![]() | 7993 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | ES1G | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 1 A | 35 ns | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 8 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||||
| S1JLWH | 0,3900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123W | S1J | Standard | SOD-123W | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,1 V a 1 A | 1 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | UGF1004GA | 0,4786 | ![]() | 6431 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | UGF1004 | Standard | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-UGF1004GA | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 200 V | 10A | 1,25 V a 10 A | 20 ns | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||
| SK36A | 0,1053 | ![]() | 1999 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SK36 | Schottky | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 720 mV a 3 A | 200 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||||
![]() | 1N5817R1G | - | ![]() | 5825 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5817 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 450 mV a 1 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 1A | 55 pF a 4 V, 1 MHz |

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