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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi HTSUS Pacchetto standard Velocità Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
FR106T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR106T/R 0,0400
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ECAD 35 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-FR106T/RTR 8541.10.0000 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,3 V a 1 A 500 n 5 µA a 800 V -65°C ~ 150°C 1A 50 pF a 4 V, 1 MHz
BY255 EIC SEMICONDUCTOR INC. BY255 0,2500
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ECAD 5 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) Informazioni REACH disponibili su richiesta 2439-BY255 8541.10.0000 1.250 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1300 V 1,1 V a 3 A 20 µA a 1300 V -65°C ~ 175°C 3A 50 pF a 4 V, 1 MHz
KBL401 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL401 1.0200
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ECAD 2 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo -50°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, KBL Standard KBL scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) Informazioni REACH disponibili su richiesta 2439-KBL401 8541.10.0000 100 1,1 V a 4 A 10 µA a 100 V 4A Monofase 100 V
BR5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5008 2.9900
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ECAD 1 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio 4 quadrati, BR-50 Standard BR-50 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-BR5008 8541.10.0000 50 1,1 V a 25 A 10 µA a 800 V 50A Monofase 800 V
1N5242BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BBULK 0,1800
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ECAD 3 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo ±5% 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N5242BBULK 8541.10.0000 500 1,1 V a 200 mA 1 µA a 9,1 V 12 V 30 Ohm
1N4937T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4937T/R 0,0400
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ECAD 10 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4937 Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N4937T/RTR 8541.10.0000 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,2 V a 1 A 150 n 5 µA a 600 V -65°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
FR106BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR106SFUSI 0,2100
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ECAD 37 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-FR106SFUSI 8541.10.0000 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,3 V a 1 A 500 n 5 µA a 800 V -65°C ~ 150°C 1A 50 pF a 4 V, 1 MHz
1N4734AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4734AT/R 0,0650
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ECAD 15 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1 W DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N4734AT/RTR 8541.10.0000 5.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 2 V 5,6 V 5 Ohm
1N5233BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5233BT/R 0,0400
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ECAD 20 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N5233BT/RTR 8541.10.0000 10.000 1,1 V a 200 mA 5 µA a 3,5 V 6 V 7 Ohm
GN2MT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. GN2MT/R 0,1100
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ECAD 3 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA Standard SMA (DO-214AC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-GN2MT/RTR 8541.10.0000 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1000 V 1 V a 2 A 5 µA a 1000 V -65°C ~ 150°C 2A 75 pF a 4 V, 1 MHz
1N5931ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5931ABULK 0,2100
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ECAD 14 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo ±10% -65°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1,5 W DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N5931ABULK 8541.10.0000 500 1 µA a 13,7 V 18 V 12 Ohm
RBV1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1004 1.3800
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ECAD 2 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, RBV-25 Standard RBV-25 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) Informazioni REACH disponibili su richiesta 2439-RBV1004 8541.10.0000 100 1 V a 5 A 10 µA a 400 V 10A Monofase 400 V
RBV606 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV606 1.1000
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ECAD 900 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, RBV-25 Standard RBV-25 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) Informazioni REACH disponibili su richiesta 2439-RBV606 8541.10.0000 100 1 V a 3 A 10 µA a 600 V 6A Monofase 600 V
1N5391T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5391T/R 0,0400
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ECAD 25 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N5391T/RTR 8541.10.0000 5.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 50 V 1,1 V a 1,5 A 5 µA a 50 V -65°C ~ 175°C 1,5 A 15 pF a 4 V, 1 MHz
RBV2508 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2508 1.7400
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ECAD 700 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, RBV-25 Standard RBV-25 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) Informazioni REACH disponibili su richiesta 2439-RBV2508 8541.10.0000 100 1,1 V a 12,5 A 10 µA a 800 V 25A Monofase 800 V
SS1D EIC SEMICONDUCTOR INC. SS1D 0,1300
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ECAD 15 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA Standard SMA (DO-214AC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) Informazioni REACH disponibili su richiesta 2439-SS1DTR 8541.10.0000 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 950 mV a 1 A 35 ns 5 µA a 200 V -65°C ~ 150°C 1A 50 pF a 4 V, 1 MHz
1N4740A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740A 0,1050
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ECAD 21 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Scatola Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1 W DO-41 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N4740A 8541.10.0000 1.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 7,6 V 10 V 7 Ohm
SS3D/B EIC SEMICONDUCTOR INC. SS3D/B 0,4400
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ECAD 10 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) Informazioni REACH disponibili su richiesta 2439-SS3D/BTR 8541.10.0000 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 950 mV a 3 A 35 ns 10 µA a 200 V -65°C ~ 150°C 3A 50 pF a 4 V, 1 MHz
1N5399T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5399T/R 0,0400
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ECAD 10 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N5399T/RTR 8541.10.0000 5.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1000 V 1,1 V a 1,5 A 5 µA a 1000 V -65°C ~ 175°C 1,5 A 15 pF a 4 V, 1 MHz
BA159BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BA159SFUSI 0,2100
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ECAD 17 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-BA159SFUSI 8541.10.0000 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 1,3 V a 1 A 250 n 5 µA a 1000 V -65°C ~ 150°C 1A 20 pF a 4 V, 1 MHz
SF16-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SF16-Sfuso 0,2200
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ECAD 16 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) Informazioni REACH disponibili su richiesta 2439-SF16-Sfuso 8541.10.0000 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,7 V a 1 A 35 ns 5 µA a 400 V -65°C ~ 150°C 1A 50 pF a 4 V, 1 MHz
1N4748A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4748A 0,0600
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ECAD 10 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1 W DO-41 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N4748ATR 8541.10.0000 5.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 16,7 V 22 V 23 Ohm
1N4741ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741ABULK 0,1800
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ECAD 4 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1 W DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N4741ABULK 8541.10.0000 500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 8,4 V 11 V 8 Ohm
BA158BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BA158SFUSI 0,2100
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ECAD 13 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-BA158SFUSI 8541.10.0000 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,3 V a 1 A 150 n 5 µA a 600 V -65°C ~ 150°C 1A 20 pF a 4 V, 1 MHz
SB390-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SB390-BULK 0,4000
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ECAD 2 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale Schottky DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) Informazioni REACH disponibili su richiesta 2439-SB390-BULK 8541.10.0000 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 90 V 790 mV a 3 A 500 µA e 500 µV -65°C ~ 150°C 3A -
HER506T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER506T/R 0,2800
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ECAD 15 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-HER506T/RTR 8541.10.0000 1.250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 5 A 75 ns 10 µA a 600 V -65°C ~ 150°C 5A 50 pF a 4 V, 1 MHz
1N5341B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5341B 0,4360
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ECAD 24 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale 5 W DO-15 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N5341BTR 8541.10.0000 3.000 1,2 V a 1 A 1 µA a 3 V 6,2 V 1 Ohm
1N5818BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5818SFUSI 0,2100
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ECAD 4 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Schottky DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N5818SFUSI 8541.10.0000 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 550 mV a 1 A 1 mA a 30 V -65°C ~ 125°C 1A 110 pF a 4 V, 1 MHz
1N4749AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749AT/R 0,0400
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ECAD 10 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1 W DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N4749AT/RTR 8541.10.0000 5.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 18,2 V 24 V 25 Ohm
1N5251BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5251BBULK 0,1800
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ECAD 4 0.00000000 EIC SEMICONDUCTOR INC. - Borsa Attivo ±5% 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 2439-1N5251BBULK 8541.10.0000 500 1,1 V a 200 mA 100 nA a 17 V 22 V 29 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock