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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FBR5006 | 4.4000 | ![]() | 599 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FBR5006 | 8541.10.0000 | 50 | 1,3 V a 25 A | 10 µA a 600 V | 50A | Monofase | 600 V | |||||||||||
![]() | RBV3502 | 1.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV3502 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 17,5 A | 10 µA a 200 V | 35A | Monofase | 200 V | ||||||||||
![]() | BR804 | 0,9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-10 | Standard | BR-10 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR804 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V a 4 A | 10 µA a 400 V | 8A | Monofase | 400 V | |||||||||||
![]() | HER101T/R | 0,0500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-HER101T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 1 A | 50 n | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BR3504W | 2.5900 | ![]() | 600 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-50W | Standard | BR-50W | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR3504W | 8541.10.0000 | 40 | 1,1 V a 17,5 A | 10 µA a 400 V | 35A | Monofase | 400 V | |||||||||||
![]() | SF55-Sfuso | 0,5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-SF55-Sfuso | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 300 V | 1,7 V a 5 A | 35 ns | 10 µA a 300 V | -65°C ~ 150°C | 5A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||
![]() | 1N5362BT/R | 0,1100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5362BT/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 21,2 V | 28 V | 6 Ohm | |||||||||||
![]() | BR5000 | 2.8100 | ![]() | 250 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR5000 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 50 V | 50A | Monofase | 50 V | |||||||||||
![]() | BR5006W | 3.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-50W | Standard | BR-50W | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR5006W | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 600 V | 50A | Monofase | 600 V | |||||||||||
![]() | RBV2501 | 1.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV2501 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 100 V | 25A | Monofase | 100 V | ||||||||||
![]() | 1N5230BT/R | 0,0400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5230BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 2 V | 4,7 V | 19 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N4730AT/R | 0,1500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-1N4730AT/RTR | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 9 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N4006SFUSO | 0,1300 | ![]() | 48 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-1N4006SFUSO | 1.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,1 V a 1 A | 2 µs | 5 µA a 800 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | FR103T/R | 0,0400 | ![]() | 35 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR103T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 1 A | 150 n | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1N5818T/R | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Schottky | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5818T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 550 mV a 1 A | 1 mA a 30 V | -65°C ~ 125°C | 1A | 110 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4750AT/R | 0,0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4750AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 20,6 V | 27 V | 35 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N757AT/R | 0,0300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N757AT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 nA a 1 V | 9,1 V | 10 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N5395T/R | 0,0400 | ![]() | 35 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5395T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 175°C | 1,5 A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N5233BBULK | 0,1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5233BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 3,5 V | 6 V | 7 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N5338A | 0,4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5338A | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 1 V | 5,1 V | 1,5 Ohm | |||||||||||
![]() | MR2504 | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Automobilistico | Borsa | Attivo | Montaggio superficiale | Pulsante micro | Standard | SIG | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-MR2504 | 8541.10.0000 | 500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1 V a 25 A | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 175°C | 25A | - | |||||||||
![]() | SK15 | 0,1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-SK15TR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 500 mV a 1 A | 500 µA a 50 V | -40°C ~ 125°C | 1A | - | |||||||||
![]() | HER102BULK | 0,2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-HER102BULK | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 1 A | 50 n | 5 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SF28-T/R | 0,1600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | Standard | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-SF28-T/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 4 V a 2 A | 35 ns | 20 µA a 800 V | -65°C ~ 150°C | 2A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||
![]() | 1N5402T/R | 0,0800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5402T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 950 mV a 3 A | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 3A | 28 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N5359B | 0,1150 | ![]() | 6 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5359BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 18,2 V | 24 V | 3,5 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N5250BT/R | 0,0400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5250BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 15 V | 20 V | 25 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N5396SFUSI | 0,1800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5396SFUSI | 8541.10.0000 | 500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 500 V | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 500 V | -65°C ~ 175°C | 1,5 A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4755ABULK | 0,1800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4755ABULK | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 32,7 V | 43 V | 70 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N5359A | 0,1330 | ![]() | 6 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5359ATR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 17,3 V | 24 V | 3,5 Ohm |

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