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Diodi(453)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BR610 | 0,3900 |  | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-6 | Standard | BR-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-BR610 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V a 3 A | 10 µA a 1000 V | 6A | Monofase | 1 kV | ||||||||||
| 1N4741T/R | 0,0600 | | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4741T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 8,4 V | 11 V | 8 Ohm | |||||||||||
| 1N4755AT/R | 0,0600 | | 15 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4755AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 32,7 V | 43 V | 70 Ohm | |||||||||||
 | 1N5228BT/R | 0,0400 | | 20 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5228BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 3,9 V | 23 Ohm | |||||||||||
| KBP206 | 0,8500 | | 19 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -50°C ~ 125°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBP | Standard | KBP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-KBP206 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 1 A | 10 µA a 600 V | 2A | Monofase | 600 V | ||||||||||
| 1N5229BBULK | 0,1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5229BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 22 Ohm | |||||||||||
| 1N751ABULK | 0,2100 | | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N751ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 1 V | 5,1 V | 17 Ohm | |||||||||||
| 1N5353BBULK | 0,3900 | | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5353BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 12,2 V | 16 V | 2,5 Ohm | |||||||||||
| BR802 | 0,9100 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-10 | Standard | BR-10 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR802 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V a 4 A | 10 µA a 200 V | 8A | Monofase | 200 V | |||||||||||
| BYD13GBULK | 0,2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Valanga | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BYD13GBULK | 8541.10.0000 | 500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,05 V a 1 A | 1 µA a 400 V | 175°C | 1,4A | - | ||||||||||
| BR2504W | 2.5800 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-50W | Standard | BR-50W | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR2504W | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 400 V | 25A | Monofase | 400 V | |||||||||||
| RBV1506D | 1.6500 | | 50 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV1506D | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 15 A | 10 µA a 600 V | 15A | Monofase | 600 V | ||||||||||
| RBV2502 | 1.5900 | | 500 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV2502 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 200 V | 25A | Monofase | 200 V | ||||||||||
| 1N4746A | 0,1000 | | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Scatola | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4746A | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 13,7 V | 18 V | 20 Ohm | |||||||||||
| RBV1001 | 1.2400 | | 400 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV1001 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 5 A | 10 µA a 100 V | 10A | Monofase | 100 V | ||||||||||
| FR207SFUSI | 0,2800 | | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | Standard | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR207SFUSI | 8541.10.0000 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,3 V a 2 A | 500 n | 10 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 2A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
 | BY399 | 0,2400 | | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-BY399 | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,25 V a 3 A | 250 n | 10 µA a 800 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||
| BR810 | 1.2200 | | 400 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-10 | Standard | BR-10 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-BR810 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V a 4 A | 10 µA a 1000 V | 8A | Monofase | 1 kV | ||||||||||
| SN13 | 0,0420 | | 50 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | SMA (DO-214AC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-SN13TR | 8541.10.0000 | 10.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1300 V | 1 V a 1 A | 2 µs | 2 µA a 1300 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 30 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
| RBV804 | 1.2800 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV804 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 4 A | 10 µA a 400 V | 8A | Monofase | 400 V | ||||||||||
| BR801 | 1.3500 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-10 | Standard | BR-10 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR801 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V a 4 A | 10 µA a 100 V | 8A | Monofase | 100 V | |||||||||||
| BR5006 | 4.0000 | | 300 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR5006 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 600 V | 50A | Monofase | 600 V | |||||||||||
| 1N5930BT/R | 0,1300 | | 40 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1,5 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5930BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1 µA a 12,2 V | 16 V | 10 Ohm | ||||||||||||
| 1N5244BT/R | 0,0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5244BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 10 V | 14 V | 15 Ohm | |||||||||||
| BR5010 | 4.9000 | | 600 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR5010 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 1000 V | 50A | Monofase | 1 kV | |||||||||||
| FR106T/R | 0,0400 | | 35 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR106T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,3 V a 1 A | 500 n | 5 µA a 800 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
| BY255 | 0,2500 | | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-BY255 | 8541.10.0000 | 1.250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1300 V | 1,1 V a 3 A | 20 µA a 1300 V | -65°C ~ 175°C | 3A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
| KBL401 | 1.0200 | | 2 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBL | Standard | KBL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-KBL401 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 4 A | 10 µA a 100 V | 4A | Monofase | 100 V | ||||||||||
| BR5008 | 2.9900 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR5008 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 800 V | 50A | Monofase | 800 V | |||||||||||
| 1N5242BBULK | 0,1800 | | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5242BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V a 200 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 30 Ohm |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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