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Diodi(453)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4761AT/R | 0,0500 |  | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4761AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 56 V | 75 V | 175 Ohm | ||||||||||||
| FR102SFUSI | 0,2100 | | 38 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR102SFUSI | 8541.10.0000 | 600 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1,3 V a 1 A | 150 n | 5 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| BR1510 | 2.6600 | | 450 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR1510 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 7,5 A | 10 µA a 1000 V | 15A | Monofase | 1 kV | ||||||||||||
| MBRA210L | 0,3900 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-MBBRA210L | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 10 V | 350 mV a 2 A | 700 µA a 10 V | -65°C ~ 150°C | 2A | - | |||||||||||
| BR2501 | 2.7400 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR2501 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 100 V | 25A | Monofase | 100 V | ||||||||||||
| 1N4007SFUSI | 0,1800 | | 17 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-1N4007SFUSI | 1.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 1 A | 2 µs | 5 µA a 1000 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| BYD33MBULK | 0,2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Valanga | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BYD33MBULK | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,3 V a 1 A | 300 n | 1μA a 1000 V | -65°C ~ 175°C | 1,3 A | - | ||||||||||
| BR1002 | 0,9400 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-10 | BR1002 | Standard | BR-10 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR1002 | 8541.10.0000 | 200 | 1,1 V a 5 A | 10 µA a 200 V | 10A | Monofase | 200 V | |||||||||||
| 1N4005SFUSI | 0,1300 | | 7 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-1N4005SFUSI | 1.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,1 V a 1 A | 2 µs | 5 µA a 600 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N4004T/R | 0,0230 | | 20 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-1N4004T/RTR | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 1 A | 2 µs | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
 | FR305T/R | 0,1400 | | 11 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR305T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,3 V a 3 A | 250 n | 10 µA a 600 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| AR2502 | 0,2800 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Automobilistico | Borsa | Attivo | Montaggio superficiale | Pulsante micro | Standard | Pulsante micro | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-AR2502 | 8541.10.0000 | 500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1 V a 25 A | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 25A | - | |||||||||||
| 1N4728ABULK | 0,1500 | | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-1N4728ABULK | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,3 V | 10 Ohm | ||||||||||||
 | 1N753AT/R | 0,0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N753AT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 nA a 1 V | 6,2 V | 7 Ohm | ||||||||||||
| 1N5241BT/R | 0,0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5241BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 2 µA a 8,4 V | 11 V | 22 Ohm | ||||||||||||
| 1N4759AT/R | 0,0500 | | 20 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4759AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 47,1 V | 62 V | 125 Ohm | ||||||||||||
| 1N4744 | 0,0350 | | 15 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4744TR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 11,4 V | 15 V | 14 Ohm | ||||||||||||
| 1N5340B | 0,2160 | | 24 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5340BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 3 V | 6 V | 1 Ohm | ||||||||||||
| RBV1502 | 1.5100 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV1502 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 7,5 A | 10 µA a 200 V | 15A | Monofase | 200 V | |||||||||||
| BR1001 | 0,9500 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-10 | BR1001 | Standard | BR-10 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR1001 | 8541.10.0000 | 200 | 1,1 V a 5 A | 10 µA a 100 V | 10A | Monofase | 100 V | |||||||||||
| 1N5343B | 0,2590 | | 6 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5343BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 10 µA a 5,7 V | 7,5 V | 1,5 Ohm | ||||||||||||
| 1N4738 | 0,0500 | | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4738TR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 6 V | 8,2 V | 4,5 Ohm | ||||||||||||
| 1N5243BT/R | 0,0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5243BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 500 nA a 9,9 V | 13 V | 13 Ohm | ||||||||||||
| SN1P | 0,1300 | | 15 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | SMA (DO-214AC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-SN1PTR | 8541.10.0000 | 10.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1600 V | 2,2 V a 1 A | 5 µA a 1600 V | -40°C~150°C | 1A | 36 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
| Z1190-T/R | 0,0600 | | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-Z1190-T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 190 V | |||||||||||||
| BR2506 | 2.7800 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR2506 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 600 V | 25A | Monofase | 600 V | ||||||||||||
| 1N4731ABULK | 0,1300 | | 12 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-1N4731ABULK | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 9 Ohm | ||||||||||||
| 1N4756A | 0,1800 | | 9 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4756A | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 35,8 V | 47 V | 80 Ohm | ||||||||||||
| BR2502 | 2.6300 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR2502 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 200 V | 25A | Monofase | 200 V | ||||||||||||
| KBP210 | 0,8500 | | 200 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -50°C ~ 125°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBP | Standard | KBP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-KBP210 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 1 A | 10 µA a 1000 V | 2A | Monofase | 1 kV |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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