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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | 1N5236BBULK | 0,1800 |  | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5236BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V a 200 mA | 3 µA a 6 V | 7,5 V | 6 Ohm | ||||||||||||
|  | 1N5915BBULK | 0,2500 |  | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1,5 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5915BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 25 µA a 1 V | 3,9 V | 7,5 Ohm | |||||||||||||
|  | 1N5361AT/R | 0,1500 |  | 7 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5361AT/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 19,4 V | 27 V | 5 Ohm | ||||||||||||
|  | 1N5349BBULK | 0,3600 |  | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5349BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 1 A | 2 µA a 9,1 V | 12 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||
|  | SR1R | 0,2500 |  | 15 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | SMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-SR1RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2000 V | 3 V a 500 mA | 200 n | 5 µA a 2000 V | -40°C ~ 150°C | 500mA | 5 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
|  | 10A07H | 0,3600 |  | 2 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | D-6, assiale | Standard | D6 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-10A07HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1 V a 10 A | 10 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 10A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
|  | RBV3504 | 2.3100 |  | 800 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV3504 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 17,5 A | 10 µA a 400 V | 35A | Monofase | 400 V | |||||||||||
|  | MR754T/R | 0,2900 |  | 2 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Automobilistico | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | D-6, assiale | Standard | D6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-MR754T/RTR | 8541.10.0000 | 800 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 900 mV a 6 A | 25 µA a 400 V | -65°C ~ 175°C | 6A | - | |||||||||||
|  | BY299BULK | 0,2300 |  | 500 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | Standard | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BY299ALL'INGROSSO | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,3 V a 2 A | 250 n | 10 µA a 800 V | -50°C ~ 125°C | 2A | 28 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
|  | 1N5253BT/R | 0,0400 |  | 60 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5253BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 19 V | 25 V | 35 Ohm | ||||||||||||
|  | SB3B0-T/R | 0,3300 |  | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Schottky | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-SB3B0-T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 790 mV a 3 A | 500 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||
|  | 1N4732AT/R | 0,0600 |  | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4732AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,7 V | 8 Ohm | ||||||||||||
|  | BR1502 | 2.3500 |  | 900 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR1502 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 7,5 A | 10 µA a 200 V | 15A | Monofase | 200 V | ||||||||||||
|  | 1N4739ALLA FUSIONE | 0,1800 |  | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4739ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 7 V | 9,1 V | 5 Ohm | ||||||||||||
|  | 1N5225BBULK | 0,1800 |  | 500 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5225BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V a 200 mA | 50 µA a 1 V | 3 V | 29 Ohm | ||||||||||||
|  | 1N5251BT/R | 0,0400 |  | 20 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5251BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 17 V | 22 V | 29 Ohm | ||||||||||||
|  | SB390 | 0,1338 |  | 7 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Schottky | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-SB390TR | 8541.10.0000 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 790 mV a 3 A | 500 µA a 500 V | -65°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||
|  | 1N5338B | 0,2600 |  | 12 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5338BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 1 V | 5,1 V | 1,5 Ohm | |||||||||||
|  | BY133T/R | 0,0400 |  | 140 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BY133T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1300 V | 1,1 V a 1 A | 1,5 µs | 5 µA a 1300 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
|  | 1N5392SFUSI | 0,1800 |  | 20 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5392SFUSI | 8541.10.0000 | 500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 100 V | -65°C ~ 175°C | 1,5 A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
|  | 1N5932BT/R | 0,0500 |  | 20 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1,5 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5932BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1 µA a 15,2 V | 20 V | 14 Ohm | |||||||||||||
|  | 1N4935SFUSI | 0,1800 |  | 51 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4935SFUSI | 8541.10.0000 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,2 V a 1 A | 150 n | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
|  | 1N5403SFUSI | 0,1800 |  | 13 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5403SFUSI | 8541.10.0000 | 500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 300 V | 1 V a 3 A | 5 µA a 300 V | -65°C ~ 175°C | 3A | 28 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
|  | 1N4743SFUSI | 0,1800 |  | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±10% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4743SFUSI | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 9,9 V | 13 V | 10 Ohm | ||||||||||||
|  | 1N4736AT/R | 0,0500 |  | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4736AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 4 V | 6,8 V | 3,5 Ohm | ||||||||||||
|  | 1N5229BT/R | 0,0400 |  | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5229BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 22 Ohm | ||||||||||||
|  | BR608 | 0,8900 |  | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-6 | Standard | BR-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR608 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V a 3 A | 10 µA a 800 V | 6A | Monofase | 800 V | ||||||||||||
|  | 1N5923BBULK | 0,1600 |  | 7 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1,5 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5923BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 5 µA a 6,5 V | 8,2 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||
|  | 1N5394T/R | 0,0400 |  | 40 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5394T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 300 V | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 300 V | -65°C ~ 175°C | 1,5 A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
|  | SNOA | 0,1000 |  | 15 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | SMA (DO-214AC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-SNOATR | 8541.10.0000 | 10.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 1,5 A | 30 pF a 4 V, 1 MHz | 

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