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Diodi(453)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4742AT/R | 0,0510 |  | 15 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4742AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 9,1 V | 12 V | 9 Ohm | |||||||||||
| 1N5363BBULK | 0,4100 | | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5363BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 22,8 V | 30 V | 8 Ohm | |||||||||||
| 1N4007 | 0,1300 | | 17 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Scatola | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4007 | 8541.10.0000 | 1.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 1 A | 2 µs | 5 µA a 1000 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
| HER103BULK | 0,2100 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-HER103ALL'INGROSSO | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 1 A | 50 n | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
| RBV5010 | 3.9300 | | 260 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV5010 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 1000 V | 50A | Monofase | 1 kV | ||||||||||
| FR101T/R | 0,0400 | | 35 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR101T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1,3 V a 1 A | 150 n | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
 | FR307T/R | 0,1600 | | 7 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR307T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,3 V a 3 A | 500 n | 10 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
| 1N4758AT/R | 0,0600 | | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4758AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 42,6 V | 56 V | 110 Ohm | |||||||||||
| RBV1010 | 1.6900 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV1010 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 5 A | 10 µA a 1000 V | 10A | Monofase | 1 kV | ||||||||||
| RBV800 | 1.0900 | | 700 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV800 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 4 A | 10 µA a 50 V | 8A | Monofase | 50 V | ||||||||||
| FR302T/R | 0,1100 | | 2 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR302T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1,3 V a 3 A | 150 n | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||
| BR1004 | 0,9800 | | 2 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-10 | Standard | BR-10 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR1004 | 8541.10.0000 | 200 | 1,1 V a 5 A | 10 µA a 400 V | 10A | Monofase | 400 V | |||||||||||
| BR2510 | 2.8100 | | 250 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR2510 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 1000 V | 25A | Monofase | 1 kV | |||||||||||
| BR1504 | 2.5400 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR1504 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 7,5 A | 10 µA a 400 V | 15A | Monofase | 400 V | |||||||||||
| RBV1006 | 1.4600 | | 500 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV1006 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 5 A | 10 µA a 600 V | 10A | Monofase | 600 V | ||||||||||
| RBV600 | 0,9900 | | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV600 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 3 A | 10 µA a 50 V | 6A | Monofase | 50 V | ||||||||||
| 1N4728AT/R | 0,0500 | | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-1N4728AT/RTR | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,3 V | 10 Ohm | |||||||||||
| BR1506 | 2.4100 | | 200 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, BR-50 | Standard | BR-50 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR1506 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 7,5 A | 10 µA a 600 V | 15A | Monofase | 600 V | |||||||||||
 | 1N757ABULK | 0,2100 | | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N757ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 200 mA | 100 nA a 1 V | 9,1 V | 10 Ohm | |||||||||||
| KBP208 | 0,8500 | | 2 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -50°C ~ 125°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBP | Standard | KBP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-KBP208 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 1 A | 10 µA a 800 V | 2A | Monofase | 800 V | ||||||||||
| KBL406M | 1.1800 | | 800 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBL | Standard | KBL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-KBL406M | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 4 A | 10 µA a 600 V | 4A | Monofase | 600 V | |||||||||||
| 1N5244BBULK | 0,1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5244BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 10 V | 14 V | 15 Ohm | |||||||||||
| SZ6515 | 0,1052 | | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 5 W | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-SZ6515TR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 11,5 V | 15 V | 2,5 Ohm | |||||||||||
| 1N5234BBULK | 0,1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5234BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 4 V | 6,2 V | 7 Ohm | |||||||||||
| 1N5255BT/R | 0,0850 | | 20 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5255BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 21 V | 28 V | 44 Ohm | |||||||||||
| RBV604 | 1.1600 | | 400 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV604 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 3 A | 10 µA a 400 V | 6A | Monofase | 400 V | ||||||||||
| RBV810 | 1.3000 | | 700 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-RBV810 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V a 4 A | 10 µA a 1000 V | 8A | Monofase | 1 kV | ||||||||||
| 1N4751AT/R | 0,0600 | | 20 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4751AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 22,8 V | 30 V | 40 Ohm | |||||||||||
| 3EZ330D5T/R | 0,2100 | | 9 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-3EZ330D5T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 2 V a 200 mA | 1 µA a 251 V | 330 V | 2200 Ohm | |||||||||||
| 1N4933SFUSI | 0,1800 | | 98 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4933SFUSI | 8541.10.0000 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1,2 V a 1 A | 150 n | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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