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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5239BT/R | 0,0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5239BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 3 µA a 7 V | 9,1 V | 10 Ohm | ||||||||||||
![]() | BYD13KBULK | 0,2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Valanga | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BYD13KBULK | 8541.10.0000 | 500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,05 V a 1 A | 1 µA a 800 V | 175°C | 1,4A | - | |||||||||||
![]() | HER303T/R | 0,1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-HER303T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 3 A | 50 n | 10 µA a 200 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HER503BULK | 0,3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-HER503ALL'INGROSSO | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 5 A | 50 n | 10 µA a 200 V | -65°C ~ 150°C | 5A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N5380BBULK | 0,3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5380BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 91,2 V | 120 V | 170 Ohm | ||||||||||||
![]() | HER302T/R | 0,1700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-HER302T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 3 A | 50 n | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BYV26E | 0,2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Valanga | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BYV26E | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 2,5 V a 1 A | 75 ns | 5 µA a 1000 V | -65°C ~ 175°C | 1A | - | ||||||||||
![]() | FR205T/R | 0,0800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | Standard | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR205T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,3 V a 2 A | 250 n | 10 µA a 600 V | -65°C ~ 150°C | 2A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | FR301SFUSI | 0,2100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR301SFUSI | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1,3 V a 3 A | 150 n | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4743ABULK | 0,1800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4743ABULK | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 9,9 V | 13 V | 10 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N4007C.BO | 0,1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2439-1N4007C.BO | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 1 A | 2 µs | 5 µA a 1000 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N754ABULK | 0,2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N754ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 200 mA | 100 nA a 1 V | 6,8 V | 5 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N748AT/R | 0,0300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N748AT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 3,9 V | 23 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N5339B | 0,2600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5339BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 2 V | 5,6 V | 1 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N4744T/R | 0,0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4744T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 11,4 V | 15 V | 14 Ohm | ||||||||||||
![]() | FR307SFUSI | 0,2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-FR307SFUSI | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,3 V a 3 A | 500 n | 10 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 60 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N5250BBULK | 0,1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5250BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 15 V | 20 V | 25 Ohm | ||||||||||||
![]() | BYD13JBULK | 0,2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Valanga | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BYD13JBULK | 8541.10.0000 | 500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,05 V a 1 A | 1 µA a 600 V | 175°C | 1,4A | - | |||||||||||
![]() | 1N4737ABULK | 0,1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4737ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 5 V | 7,5 V | 4 Ohm | ||||||||||||
![]() | HER108T/R | 0,1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-HER108T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,7 V a 1 A | 75 ns | 5 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4758AT/R | 0,0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4758AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 42,6 V | 56 V | 110 Ohm | ||||||||||||
![]() | SN1K | 0,0382 | ![]() | 45 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | SMA (DO-214AC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-SN1KTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1 V a 1 A | 2 µs | 2 µA a 800 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 30 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | ESJA04-03A | 0,6500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | Assiale | Standard | M1A | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-ESJA04-03A | 8541.10.0000 | 300 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 3000 V | 12 V a 10 mA | 80 ns | 2μA a 3000 V | 120°C (massimo) | 1mA | - | ||||||||||
![]() | 1N4756AT/R | 0,0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4756AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 35,8 V | 47 V | 80 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N5391SFUSI | 0,1800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5391SFUSI | 8541.10.0000 | 500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 1,5 A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1N5354BBULK | 0,3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 5 W | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5354BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 12,9 V | 17 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N5247BT/R | 0,0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N5247BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA a 13 V | 17 V | 19 Ohm | ||||||||||||
![]() | HER301BULK | 0,2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-HER301SFUSI | 8541.10.0000 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 3 A | 50 n | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4745A | 0,5750 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1 W | DO-41 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-1N4745ATR | 8541.10.0000 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 12,2 V | 16 V | 16 Ohm | ||||||||||||
![]() | BR600 | 0,7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. | - | Borsa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-6 | Standard | BR-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2439-BR600 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V a 3 A | 10 µA a 50 V | 6A | Monofase | 50 V |

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