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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MURF30020 | - | ![]() | 7055 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Standard | TO-244 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 150A | 1 V a 150 A | 25 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MBRT20040R | 98.8155 | ![]() | 4826 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MBRT20040 | Schottky, Polarità inversa | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1082 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 40 V | 100A | 750 mV a 100 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||
![]() | S16MR | 4.5900 | ![]() | 5544 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | S16M | Standard, polarità inversa | - | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S16MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 16 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 16A | - | |||||
![]() | MBRH200150 | 70.0545 | ![]() | 7763 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | Schottky | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 880 mV a 200 A | 1 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 200A | - | |||||||
![]() | MBRH20080R | 70.0545 | ![]() | 3860 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | MBRH20080 | Schottky, Polarità inversa | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRH20080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 80 V | 840 mV a 200 A | 5 mA a 20 V | 200A | - | ||||||
![]() | S16DR | 4.5900 | ![]() | 5318 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | S16D | Standard, polarità inversa | - | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S16DRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 16 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 16A | - | |||||
![]() | FR85DR02 | 24.1260 | ![]() | 5504 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR85DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,4 V a 85 A | 200 n | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 85A | - | |||||
![]() | MUR10060CTR | - | ![]() | 3340 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Torre Gemella | Standard | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MUR10060CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 600 V | 50A | 1,7 V a 50 A | 110 n | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||
![]() | MBRF60040R | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 40 V | 300 A (CC) | 650 mV a 300 A | 10 mA a 20 V | -40°C ~ 175°C | ||||||||
![]() | FST7360M | - | ![]() | 4808 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 60 V | 35A | 750 mV a 35 A | 1 mA a 60 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MSRTA60060A | 109.2000 | ![]() | 8253 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRTA60060 | Standard | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 600 V | 600 A (CC) | 1,2 V a 600 A | 25 µA a 600 V | -40°C ~ 175°C | ||||||
![]() | MBRTA500100 | - | ![]() | 8135 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 250A | 840 mV a 250 A | 1 mA a 100 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MSRTA6001 | 109.2000 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Modulo 3-SMD | - | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MSRTA6001GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | - | 1600 V | 600 A (CC) | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MBRF20030R | - | ![]() | 2084 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 30 V | 100A | 700 mV a 100 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MBRT40040 | 118.4160 | ![]() | 1032 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT40040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 200A | 750 mV a 200 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||
![]() | MUR2X120A04 | 50.2485 | ![]() | 2845 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MUR2X120 | Standard | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 2 Indipendente | 400 V | 120A | 1,3 V a 120 A | 25 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | ||||||
![]() | FST6380M | - | ![]() | 9771 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 80 V | 30A | 840 mV a 30 A | 1 mA a 80 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MSRT150140A | 38.5632 | ![]() | 8008 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRT150 | Standard | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1400 V | 150A | 1,2 V a 150 A | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | ||||||
![]() | GC02MPS12-220 | 1.3770 | ![]() | 2249 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | GC02MPS12 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220-2 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1242-1323 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,8 V a 2 A | 0 ns | 2 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 12A | 127 pF a 1 V, 1 MHz | |||
![]() | MBRT40045DL | 88.1588 | ![]() | 2897 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MBRT40045 | Schottky | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 45 V | 200 A (CC) | 580 mV a 200 A | 5 mA a 45 V | -40°C ~ 100°C | ||||||
![]() | S300Z | 85.1955 | ![]() | 9287 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-205AB, DO-9, Prigioniero | S300 | Standard | DO-205AB (DO-9) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S300ZGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 2000 V | 1,2 V a 300 A | 10 µA a 1600 V | -60°C ~ 180°C | 300A | - | |||||
![]() | FST100200 | 65.6445 | ![]() | 6424 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 50A | 920 mV a 50 A | 1 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | 1N3767 | 6.2320 | ![]() | 3763 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 1N3767 | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N3767GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 900 V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | |||||
![]() | S40Q | 10.3200 | ![]() | 791 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,1 V a 40 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 190°C | 40A | - | |||||||
![]() | S12MR | 4.2345 | ![]() | 1370 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | S12M | Standard, polarità inversa | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S12MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 12 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 12A | - | |||||
![]() | GB10SLT12-220 | - | ![]() | 1093 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-2 | GB10SLT12 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220-2 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,8 V a 10 A | 0 ns | 40 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 520 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||
![]() | MBRH200200 | 70.0545 | ![]() | 1699 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | Schottky | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 920 mV a 200 A | 1 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 200A | - | |||||||
| GC50MPS12-247 | - | ![]() | 2395 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-247-2 | GC50MPS12 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247-2 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1242-1340 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,8 V a 50 A | 0 ns | 40 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 212A | 3263pF a 1 V, 1 MHz | ||||
![]() | GB10SLT12-247D | - | ![]() | 6041 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247 | - | 1 (illimitato) | 1242-1315 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 12A | 1,9 V a 5 A | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||
![]() | MURT30040R | 98.7424 | ![]() | 9128 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MURT30040 | Standard | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MURT30040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 400 V | 150A | 1,35 V a 150 A | 150 n | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C |

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