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Diodi(2089)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)
GBJ6M	0,6645	Richiesta di offerta	2848	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBJ	GBJ6	Standard	GBJ	scaricamento	Conformità ROHS3			1242-GBJ6M	EAR99	8541.10.0080	200					1,05 V a 3 A		5 µA a 1000 V		6A		Monofase	1 kV
GBJ30K	1.1205	Richiesta di offerta	6434	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBJ	GBJ30	Standard	GBJ	scaricamento	Conformità ROHS3			1242-GBJ30K	EAR99	8541.10.0080	200					1,05 V a 15 A		5 µA a 800 V		30A		Monofase	800 V
GBJ20D	0,9120	Richiesta di offerta	6810	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBJ	GBJ20	Standard	GBJ	scaricamento	Conformità ROHS3			1242-GBJ20D	EAR99	8541.10.0080	200					1,05 V a 10 A		5 µA a 200 V		20A		Monofase	200 V
GBPC1510T	2.4180	Richiesta di offerta	2180	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 quadrati, GBPC	GBPC1510	Standard	GBPC	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V a 7,5 A		5 µA a 1000 V		15A		Monofase	1 kV
KBPC5010T	4.2700	Richiesta di offerta	331	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Terminale CQ	4 quadrati, KBPC-T	KBPC5010	Standard	KBPC-T	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V a 25 A		5 µA a 1000 V		50A		Monofase	1 kV
KBP202	0,3750	Richiesta di offerta	2207	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBP		Standard	KBP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		KBP202GN	EAR99	8541.10.0080	2.000					1,1 V a 2 A		10 µA a 100 V		2A		Monofase	100 V
M3P100A-100	-	Richiesta di offerta	1695	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo		Standard	Modulo	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	25					1,15 V a 100 A		10 mA a 1000 V		100A		Tre fasi	1 kV
KBPC2506T	2.2995	Richiesta di offerta	3650	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Terminale CQ	4 quadrati, KBPC-T	KBPC2506	Standard	KBPC	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V a 12,5 A		5 µA a 600 V		25A		Monofase	600 V
GBPC25010T	2.5305	Richiesta di offerta	6504	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Terminale CQ	4 quadrati, GBPC	GBPC25010	Standard	GBPC	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	200					1,1 V a 12,5 A		5 µA a 100 V		25A		Monofase	1 kV
KBPC2504W	2.2995	Richiesta di offerta	3961	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 quadrati, KBPC-W	KBPC2504	Standard	KBPC-W	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V a 12,5 A		5 µA a 400 V		25A		Monofase	400 V
M3P75A-160	-	Richiesta di offerta	4030	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo 5-SMD		Standard	5-SMD	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	24					1,15 V a 75 A		10 µA a 1600 V		75A		Tre fasi	1,6kV
GBU4D	0,4725	Richiesta di offerta	9290	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBU	GBU4	Standard	GBU	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		GBU4DGN	EAR99	8541.10.0080	500					1,1 V a 4 A		5 µA a 200 V		4A		Monofase	200 V
GBU15B	0,6120	Richiesta di offerta	4357	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBU	GBU15	Standard	GBU	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		GBU15BGN	EAR99	8541.10.0080	500					1,1 V a 15 A		5 µA a 100 V		15A		Monofase	100 V
KBL404G	0,5385	Richiesta di offerta	1146	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBL	KBL404	Standard	KBL	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		KBL404GGN	EAR99	8541.10.0080	500					1,1 V a 4 A		5 µA a 400 V		4A		Monofase	400 V
GBU15M	0,6120	Richiesta di offerta	3489	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBU	GBU15	Standard	GBU	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		GBU15MGN	EAR99	8541.10.0080	500					1,1 V a 15 A		5 µA a 1000 V		15A		Monofase	1 kV
KBPM304G	-	Richiesta di offerta	8131	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBPM		Standard	KBPM	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	KBPM304GGN	EAR99	8541.10.0080	900					1,1 V a 3 A		5 µA a 50 V		3A		Monofase	400 V
GBU4J	0,4725	Richiesta di offerta	4987	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBU	GBU4	Standard	GBU	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		GBU4JGN	EAR99	8541.10.0080	500					1,1 V a 4 A		5 µA a 600 V		4A		Monofase	600 V
KBPM208G	-	Richiesta di offerta	8538	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBPM		Standard	KBPM	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	KBPM208GGN	EAR99	8541.10.0080	1.000					1,1 V a 2 A		5 µA a 50 V		2A		Monofase	800 V
KBPM306G	-	Richiesta di offerta	1588	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBPM		Standard	KBPM	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	KBPM306GGN	EAR99	8541.10.0080	900					1,1 V a 3 A		5 µA a 50 V		3A		Monofase	600 V
GBPC1506W	2.4180	Richiesta di offerta	5670	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 quadrati, GBPC-W	GBPC1506	Standard	GBPC-W	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		GBPC1506WGS	EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V a 7,5 A		5 µA a 600 V		15A		Monofase	600 V
GBJ15K	0,7875	Richiesta di offerta	3176	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBJ	GBJ15	Standard	GBJ	scaricamento	Conformità ROHS3			1242-GBJ15K	EAR99	8541.10.0080	200					1,05 V a 7,5 A		10 µA a 800 V		15A		Monofase	800 V
GBJ35J	1.5132	Richiesta di offerta	3595	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBJ	GBJ35	Standard	GBJ	scaricamento	Conformità ROHS3			1242-GBJ35J	EAR99	8541.10.0080	200					1,1 V a 17,5 A		10 µA a 600 V		35A		Monofase	600 V
GBPC1502T	2.4180	Richiesta di offerta	1510	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Terminale CQ	4 quadrati, GBPC	GBPC1502	Standard	GBPC	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V a 7,5 A		5 µA a 200 V		15A		Monofase	200 V
GBPC2504T	4.2000	Richiesta di offerta	100	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Terminale CQ	4 quadrati, GBPC	GBPC2504	Standard	GBPC	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	50					1,1 V a 12,5 A		5 µA a 400 V		25A		Monofase	400 V
1N8030-GA	-	Richiesta di offerta	5782	Semiconduttore GeneSiC	-	Tubo	Obsoleto		Foro passante	TO-257-3	1N8030	SiC (carburo di silicio) Schottky	TO-257	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	10	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)		650 V		1,39 V a 750 mA	0 ns	5 µA a 650 V	-55°C ~ 250°C	750mA	76 pF a 1 V, 1 MHz
S300DR	63.8625	Richiesta di offerta	7570	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Telaio, montaggio con perno	DO-205AB, DO-9, Prigioniero	S300	Standard, polarità inversa	DO-205AB (DO-9)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		S300DRGN	EAR99	8541.10.0080	8	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)		200 V		1,2 V a 300 A		10 µA a 100 V	-60°C ~ 200°C	300A	-
MBRTA50045	-	Richiesta di offerta	3338	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto		Montaggio su telaio	Tre Torri		Schottky	Tre Torri	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	18	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)	1 paio di catodo comune	45 V	250A	700 mV a 250 A		1 mA a 45 V	-55°C ~ 150°C
1N1204AR	4.2345	Richiesta di offerta	8105	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Telaio, montaggio con perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero	1N1204AR	Standard, polarità inversa	DO-4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		1242-1064	EAR99	8541.10.0080	250	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)		400 V		1,1 V a 12 A		10 µA a 50 V	-65°C ~ 200°C	12A	-
GBJ30D	1.1205	Richiesta di offerta	7632	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBJ	GBJ30	Standard	GBJ	scaricamento	Conformità ROHS3			1242-GBJ30D	EAR99	8541.10.0080	200					1,05 V a 15 A		5 µA a 200 V		30A		Monofase	200 V
W01M	-	Richiesta di offerta	7665	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	4-Circolare, WOM		Standard	WOM	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	1.000					1 V a 1 A		10 µA a 100 V		1,5 A		Monofase	100 V