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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MURT30005R | - | ![]() | 4624 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Standard | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MURT30005RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 50 V | 150A | 1,3 V a 150 A | 100 n | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||
![]() | S85KR | 11.8980 | ![]() | 9142 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | S85K | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S85KRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,1 V a 85 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 180°C | 85A | - | |||||
![]() | FST100200 | 65.6445 | ![]() | 6424 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 50A | 920 mV a 50 A | 1 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | 1N3767 | 6.2320 | ![]() | 3763 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 1N3767 | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N3767GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 900 V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | |||||
![]() | GD2X30MPS12D | 17.3000 | ![]() | 170 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | GD2X | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247-3 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1242-GD2X30MPS12D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 55 A (CC) | 1,8 V a 30 A | 20 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | ||||
![]() | MBR20035CT | 90.1380 | ![]() | 5331 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR20035 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR20035CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 35 V | 200 A (CC) | 650 mV a 100 A | 5 mA a 20 V | ||||||
![]() | FST12020 | 70.4280 | ![]() | 9170 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FST12020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 20 V | 120 A (CC) | 650 mV a 120 A | 2 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||
![]() | FR70J05 | 17.5905 | ![]() | 3949 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR70J05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,4 V a 70 A | 500 n | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 70A | - | |||||
![]() | MBRF20080 | - | ![]() | 4037 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 80 V | 100A | 840 mV a 100 A | 1 mA a 80 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MBRH15020L | - | ![]() | 2417 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D-67 | Schottky | D-67 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 580 mV a 150 A | 3 mA a 20 V | 150A | - | |||||||||
![]() | MBRT300100 | 107.3070 | ![]() | 6200 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT300100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 150A | 880 mV a 150 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||
![]() | MBR60020CTRL | - | ![]() | 7338 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Torre Gemella | Schottky | Torre Gemella | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 20 V | 300A | 580 mV a 300 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MBR12045CT | 68.8455 | ![]() | 3087 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR12045 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1019 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 120 A (CC) | 650 mV a 60 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||
![]() | MBR30035CT | 94.5030 | ![]() | 8692 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR30035 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1050 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 35 V | 150A | 650 mV a 150 A | 8 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||
![]() | MBRT40040 | 118.4160 | ![]() | 1032 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT40040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 200A | 750 mV a 200 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||
![]() | MBRF12035 | - | ![]() | 4279 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 35 V | 60A | 700 mV a 60 A | 1 mA a 35 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MBRTA50045R | - | ![]() | 7024 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 45 V | 250A | 700 mV a 250 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | GC10MPS12-220 | 4.1910 | ![]() | 1450 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | GC10MPS12 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220-2 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1242-1331 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,8 V a 10 A | 0 ns | 10 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 54A | 660pF a 1 V, 1 MHz | |||
![]() | 1N3767R | 6.2320 | ![]() | 5351 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 1N3767R | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N3767RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 900 V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | |||||
![]() | MBRH24030R | 76.4925 | ![]() | 6265 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | MBRH24030 | Schottky | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 720 mV a 240 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 240A | - | ||||||
![]() | MBR40040CTL | - | ![]() | 4528 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Torre Gemella | Schottky | Torre Gemella | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 200A | 600 mV a 200 A | 3 mA a 40 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MUR2X100A02 | 52.2000 | ![]() | 3389 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MUR2X100 | Standard | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1312 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2 Indipendente | 200 V | 100A | 1 V a 100 A | 75 ns | 25 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | ||||
![]() | MBRH24045R | 76.4925 | ![]() | 6093 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | MBRH24045 | Schottky | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 45 V | 720 mV a 240 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | 240A | - | ||||||
![]() | MBR30035CTR | 98.8100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR30035 | Schottky, Polarità inversa | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1089 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 35 V | 150A | 700 mV a 150 A | 1 mA a 35 V | -55°C ~ 150°C | |||||
![]() | FST6345M | - | ![]() | 8594 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 30A | 700 mV a 30 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||
![]() | MURF10010R | - | ![]() | 2428 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Standard | TO-244 | - | 1 (illimitato) | MURF10010RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 100 V | 50A | 1,3 V a 50 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | ||||||
![]() | FR12JR02 | 9.2235 | ![]() | 2195 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 800 mV a 12 A | 250 n | 25 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 12A | - | ||||||
![]() | UFT14040 | - | ![]() | 9945 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-249AB | Standard | TO-249AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 400 V | 70A | 1,3 V a 70 A | 85 ns | 25 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
![]() | MSRTA6001 | 109.2000 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Modulo 3-SMD | - | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MSRTA6001GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | - | 1600 V | 600 A (CC) | -55°C ~ 150°C | ||||||||
| FR40MR05 | 17.1300 | ![]() | 193 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1 V a 40 A | 500 n | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 40A | - |

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