- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Normativa attuale: diodi, transistor(1067)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max) | Corrente del regolatore (massima) | Tensione - Limitazione (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANS1N5299UR-1/TR | 130.3050 |  | 8863 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5299UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,32 mA | 1,45 V | |||
 | 1N5296UR-1/TR | 21.9800 | | 8565 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 100 V | 1.001mA | 1,29 V | ||||||
 | CMJ2700 TR PBFREE | 6.2800 | | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Effetto campo del silicio | Montaggio superficiale | SOD-123F | CMJ2700 | 500 mW | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 V | 3,1mA | 2,7 V | ||
 | 1N5287UR-1/TR | 22.1800 | | 5628 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 100 V | 363μA | 1 V | ||||||
 | 1N5313/TR | 21.8400 | | 1045 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5313 | 500 mW | DO-7 | - | REACH Inalterato | 150-1N5313/TR | 100 | 100 V | 4,73 mA | 2,75 V | |||||
| 1N5311UR-1 | 22.0350 | | 3361 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5311 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 3,96 mA | 2,5 V | |||
| JAN1N5305UR-1/TR | 30.4950 | | 8932 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5305 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5305UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 2,2 mA | 1,85 V | ||
| CDS5298UR-1 | - | | 1884 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | CDS52 | - | REACH Inalterato | 150-CDS5298UR-1 | 50 | ||||||||||||||
| CDLL5297 | 21.9450 | | 2662 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL52 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 V | 1,1mA | 1,35 V | |||
| JAN1N5302-1 | 31.5150 | | 6010 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5302 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,65mA | 1,6 V | ||
| CD5299B | 19.2450 | | 6141 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | Morire | CD529 | - | Morire | - | REACH Inalterato | 150-CD5299B | 1 | 100 V | 1,32 mA | 1,45 V | |||||
| JANS1N5313UR-1/TR | 130.3050 | | 4873 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5313UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 4,73 mA | 2,75 V | |||
| JANTX1N5308UR-1 | 38.2650 | | 9019 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5308 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 2,97mA | 2,15 V | ||
| JANHCA1N5298 | - | | 1274 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANHCA1N5298 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,21mA | 1,4 V | |||
| JANS1N5304-1 | 99.8700 | | 7833 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5304 | 500 mW | DO-7 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,98 mA | 1,75 V | |||
| JANTXV1N5283UR-1/TR | 40.4100 | | 3781 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5283 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N5283UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 242μA | 1 V | ||
| JANHCA1N5309 | - | | 5395 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANHCA1N5309 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 3,3 mA | 2,25 V | |||
 | 1N5304 | 1.7500 | | 1 | 0.00000000 | Stato Solido Inc. | - | Massa | Attivo | -55°C~200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5304 | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2383-1N5304 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | ||||||
| JANTX1N5314UR-1/TR | 24.1350 | | 3393 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5314 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5314UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 5,17 mA | 2,9 V | ||
| 1N5295-1/TR | 18.7950 | | 6547 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5295 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5295-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 902μA | 1,25 V | ||
| JANTXV1N5309-1/TR | 49.8150 | | 3667 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5309 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N5309-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 3,3 mA | 2,25 V | ||
| JANTXV1N5303-1 | 36.4050 | | 8406 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5303 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,76 mA | 1,65 V | ||
| JANHCA1N5301 | - | | 1894 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANHCA1N5301 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,54 mA | 1,55 V | |||
 | JANS1N5307-1/TR | 100.0200 | | 1196 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5307-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 2,64 mA | 2V | |||
| 1N5296-1 | 18.6000 | | 5273 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5296 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1.001mA | 1,29 V | |||
 | 1N5283-1/TR | 18.6900 | | 2302 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5283 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | REACH Inalterato | 150-1N5283-1/TR | 100 | 100 V | 242μA | 1 V | |||||
| CD5309 | 19.2450 | | 7423 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | CD530 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5309 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100 V | 3,3 mA | 2,25 V | ||||
| JANTXV1N5312-1 | 36.4050 | | 4629 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5312 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 4,29 mA | 2,6 V | ||
| 1N5314/TR | 18.8100 | | 1957 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5314 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5314/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 5,17 mA | 2,9 V | ||
| JANTXV1N5295UR-1 | 40.2450 | | 1316 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5295 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 902μA | 1,25 V |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)