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Normativa attuale: diodi, transistor(957)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max) | Corrente del regolatore (massima) | Tensione - Limitazione (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTX1N5301-1/TR | 35.1750 |  | 2195 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5301 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5301-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,54 mA | 1,55 V | ||
| 1N5299 | 18.6000 | | 2946 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 175°C | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5299 | 475 mW | DO-7 | - | REACH Inalterato | 150-1N5299 | 1 | 100 V | 1,32 mA | 1,45 V | |||||
 | 1N5290UR-1E3 | 22.0050 | | 4457 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5290 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5290UR-1E3 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 517μA | 1,05 V | ||
| JANTXV1N5288UR-1 | 40.2450 | | 7989 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5288 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 429 µA | 1,05 V | |||
| JANS1N5298UR-1 | 130.1550 | | 6716 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5298 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,21mA | 1,4 V | |||
 | CD5308 | 19.2450 | | 8363 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | CD530 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5308 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100 V | 2,97mA | 2,15 V | ||||
 | CDLL252 | 28.3200 | | 1393 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL25 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 70 V | 6,82 mA | 4,46 V | |||
 | JANS1N5291-1/TR | 100.0200 | | 1706 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5291-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 616μA | 1,1 V | |||
| 1N5313UR-1 | 21.8250 | | 1260 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5313 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 4,73 mA | 2,75 V | |||
| 1N5304/TR | 18.7950 | | 8446 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5304 | 475 mW | DO-7 | - | REACH Inalterato | 150-1N5304/TR | 100 | 100 V | 1,98 mA | 1,75 V | |||||
| CD5295 | 19.2450 | | 7183 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | CD529 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5295 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100 V | 902 µA | 1,25 V | ||||
| JANS1N5307UR-1 | 130.1550 | | 1836 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5307 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 2,64 mA | 2V | |||
| 1N5298/TR | 18.7950 | | 9033 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5298 | 500 mW | DO-7 | - | REACH Inalterato | 150-1N5298/TR | 100 | 100 V | 1,21mA | 1,4 V | |||||
| JAN1N5309-1/TR | 31.6650 | | 7056 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5309 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5309-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 3,3 mA | 2,25 V | ||
| JANTXV1N5290UR-1 | - | | 1689 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Interrotto alla SIC | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5290 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 517μA | 1,05 V | ||
 | CDLL7053 | 68.1450 | | 7948 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | CDLL70 | - | REACH Inalterato | 150-CDLL7053 | 1 | ||||||||||||||
| JANHCA1N5306 | - | | 2369 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANHCA1N5306 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 2,42 mA | 1,95 V | |||
| JANS1N5285-1/TR | 100.0200 | | 8577 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5285-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 297 µA | 1 V | |||
| CDLL7055 | 68.1450 | | 7990 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | CDLL70 | - | REACH Inalterato | 150-CDLL7055 | 1 | ||||||||||||||
| JANS1N5303UR-1 | 130.1550 | | 9437 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5303 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,76 mA | 1,65 V | |||
| JAN1N5292-1 | 31.5150 | | 7039 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5292 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 682μA | 1,13 V | ||
| CDLL5293/TR | 25.2900 | | 9528 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL52 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CDLL5293/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 V | 748μA | 1,15 V | ||
| JANTX1N5310-1/TR | 31.9350 | | 2185 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5310 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5310-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 3,63 mA | 2,35 V | ||
| JANTX1N5293UR-1 | 38.2650 | | 4026 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5293 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 748μA | 1,15 V | ||
| JAN1N5288UR-1 | 36.6900 | | 8875 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5288 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 429 µA | 1,05 V | ||
| JANKCA1N5303 | - | | 1413 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANKCA1N5303 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,76 mA | 1,65 V | |||
| JANTX1N5309-1/TR | 36.5700 | | 8984 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5309 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5309-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 3,3 mA | 2,25 V | ||
| CD5313 | 19.2450 | | 6827 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | CD531 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5313 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100 V | 4,73 mA | 2,75 V | ||||
| JAN1N5313UR-1/TR | 30.4650 | | 7569 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5313 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5313UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 4,73 mA | 2,75 V | ||
| 1N5296 | 18.6000 | | 4794 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 175°C | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5296 | 475 mW | DO-7 | - | REACH Inalterato | 150-1N5296 | 1 | 100 V | 1.001mA | 1,29 V |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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