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Normativa attuale - Diodi, transistor(957)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max) | Corrente del regolatore (massima) | Tensione - Limitazione (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTXV1N5293-1/TR | 36.5700 |  | 1573 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5293 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N5293-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 748 µA | 1,15 V | ||
 | 1N5298UR-1 | 21.8250 | | 3407 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5298 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,21mA | 1,4 V | |||
| JANTX1N5297UR-1/TR | 40.7850 | | 5239 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5297 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5297UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,1mA | 1,35 V | ||
| JANS1N5296UR-1 | 130.1550 | | 3710 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5296 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1.001mA | 1,29 V | |||
| JAN1N5304-1/TR | 31.6650 | | 1254 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5304 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5304-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,98 mA | 1,75 V | ||
 | 1N5290/TR | 18.7950 | | 4010 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5290 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5290/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 517μA | 1,05 V | ||
 | 1N5306UR-1/TR | 21.9800 | | 5878 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 100 V | 2,42 mA | 1,95 V | ||||||
| CDS5298UR-1/TR | - | | 9999 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | CDS52 | - | REACH Inalterato | 150-CDS5298UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||
| JANTX1N5284UR-1 | 38.2650 | | 4844 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5284 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 264μA | 1 V | ||
| JANTXV1N5309UR-1/TR | 40.9500 | | 6389 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5309 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N5309UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 3,3 mA | 2,25 V | ||
| 1N5294UR-1/TR | 22.0050 | | 9157 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5294 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5294UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 825μA | 1,2 V | ||
| JANTX1N5303UR-1/TR | 38.4300 | | 4028 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5303 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5303UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,76 mA | 1,65 V | ||
| JANTX1N5292UR-1/TR | 38.4300 | | 8279 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5292 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5292UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 682μA | 1,13 V | ||
| JANTXV1N5302-1 | 36.4050 | | 5287 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5302 | 500 mW | DO-7 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,65mA | 1,6 V | |||
| JANS1N5314UR-1/TR | 131.5650 | | 2009 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5314UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 5,17 mA | 2,9 V | |||
| 1N7048-1/TR | 7.3650 | | 3850 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 1N7048 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N7048-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||
 | 1N5284UR-1/TR | 22.0050 | | 8107 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5284 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5284UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 264μA | 1 V | ||
| JAN1N5311-1/TR | 29.0400 | | 4755 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5311 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5311-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 3,96 mA | 2,5 V | ||
| JANS1N5312UR-1/TR | 130.3050 | | 2721 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5312UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 4,29 mA | 2,6 V | |||
| 1N5304UR-1/TR | 22.0050 | | 9121 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5304 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5304UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,98 mA | 1,75 V | ||
| JANS1N5290UR-1/TR | 130.3050 | | 8143 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5290UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 517μA | 1,05 V | |||
| CDS5297UR-1 | - | | 4260 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | CDS52 | - | REACH Inalterato | 150-CDS5297UR-1 | 50 | ||||||||||||||
| CDS5307UR-1 | - | | 8509 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | CDS53 | - | REACH Inalterato | 150-CDS5307UR-1 | 50 | ||||||||||||||
| 1N5299E3/TR | 18.9900 | | 1814 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5299 | 475 mW | DO-7 | - | REACH Inalterato | 150-1N5299E3/TR | 100 | 100 V | 1,32 mA | 1,45 V | |||||
| 1N5310/TR | 18.7950 | | 6706 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5310 | 500 mW | DO-7 | - | REACH Inalterato | 150-1N5310/TR | 100 | 100 V | 3,63 mA | 2,35 V | |||||
| JANS1N5284-1/TR | 100.0200 | | 9916 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5284-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 264μA | 1 V | |||
| 1N5312UR-1/TR | 21.8250 | | 5032 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5312 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5312UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 4,29 mA | 2,6 V | ||
| CDLL5291 | 25.0950 | | 3456 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL52 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 V | 616μA | 1,1 V | |||
| JAN1N5304UR-1/TR | 36.8400 | | 7448 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5304 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5304UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,98 mA | 1,75 V | ||
| JANTXV1N5305-1 | 36.4800 | | 8942 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5305 | 500 mW | DO-7 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | 2266-JANTXV1N5305-1 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 2,2 mA | 1,85 V |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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