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Normativa attuale: diodi, transistor(957)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max) | Corrente del regolatore (massima) | Tensione - Limitazione (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5296-1 | 18.6000 |  | 5273 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5296 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1.001mA | 1,29 V | |||
 | CD5309 | 19.2450 | | 7423 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | CD530 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5309 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100 V | 3,3 mA | 2,25 V | ||||
| JANTXV1N5312-1 | 36.4050 | | 4629 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5312 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 4,29 mA | 2,6 V | ||
 | 1N5314/TR | 18.8100 | | 1957 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5314 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5314/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 5,17 mA | 2,9 V | ||
 | JANTXV1N5295UR-1 | 40.2450 | | 1316 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5295 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 902 µA | 1,25 V | ||
| 1N5299UR-1 | 21.8250 | | 6889 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5299 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,32 mA | 1,45 V | |||
| JAN1N5293UR-1/TR | 36.8400 | | 5933 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5293 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5293UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 748μA | 1,15 V | ||
| 1N5291-1 | 21.6600 | | 3775 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5291 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 616μA | 1,1 V | |||
| JANTXV1N5312-1/TR | 36.5700 | | 6824 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5312 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N5312-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 4,29 mA | 2,6 V | ||
| 1N5288/TR | 18.7950 | | 1991 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5288 | 475 mW | DO-7 | - | REACH Inalterato | 150-1N5288/TR | 100 | 100 V | 429 µA | 1,05 V | |||||
| CD5291 | 19.2450 | | 1562 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | CD529 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5291 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100 V | 616μA | 1,1 V | ||||
| 1N5313-1 | 21.6600 | | 9287 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5313 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-1N5313-1 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 4,73 mA | 2,75 V | ||
| 1N5287-1 | 18.7800 | | 8680 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5287 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 363 µA | 1 V | |||
| JANS1N5309UR-1 | 130.1550 | | 9616 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5309 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 3,3 mA | 2,25 V | ||||
| JANTXV1N5284-1 | 36.4050 | | 7234 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5284 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 264μA | 1 V | ||
| JAN1N5285-1/TR | 35.1750 | | 2513 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5285 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JAN1N5285-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 297 µA | 1 V | ||
| CDLL255/TR | 28,5000 | | 5981 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL25 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | - | REACH Inalterato | 150-CDLL255/TR | 100 | 60 V | 9,02 mA | 5,9 V | |||||
| 1N5297-1 | 21.6600 | | 1059 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5297 | 500 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,1mA | 1,35 V | |||
 | CD5299 | 19.2450 | | 1570 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | CD529 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CD5299 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100 V | 1,32 mA | 1,45 V | ||||
| JANS1N5291UR-1/TR | 130.3050 | | 1121 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANS1N5291UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 616μA | 1,1 V | |||
| JANTX1N5284UR-1 | 38.2650 | | 4844 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5284 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 264μA | 1 V | ||
| 1N5299E3 | 18.7950 | | 6429 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 175°C | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5299 | 475 mW | DO-7 | - | REACH Inalterato | 150-1N5299E3 | 1 | 100 V | 1,32 mA | 1,45 V | |||||
| CDLL5304/TR | 25.2900 | | 2994 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | CDLL53 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-CDLL5304/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 V | 1,98 mA | 1,75 V | ||
| CDS5312UR-1/TR | - | | 6942 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | CDS53 | - | REACH Inalterato | 150-CDS5312UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||
| CDS5298UR-1/TR | - | | 9999 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | CDS52 | - | REACH Inalterato | 150-CDS5298UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||
| JANTX1N5295UR-1 | 38.2650 | | 6827 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5295 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 902 µA | 1,25 V | ||
| JANTXV1N5304-1/TR | 36.5700 | | 2669 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N5304 | 500 mW | DO-7 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTXV1N5304-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 1,98 mA | 1,75 V | ||
| CDLL7054/TR | 68.3250 | | 7560 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | CDLL70 | - | REACH Inalterato | 150-CDLL7054/TR | 100 | ||||||||||||||
| CDLL7050/TR | 68.3250 | | 7631 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | CDLL70 | - | REACH Inalterato | 150-CDLL7050/TR | 100 | ||||||||||||||
| JANTX1N5307UR-1/TR | 38.4300 | | 6790 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/463 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | 1N5307 | 500 mW | DO-213AB (MELF, LL41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-JANTX1N5307UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 V | 2,64 mA | 2V |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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