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Soppressori di tensione transitoria (TVS)(236)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Capacità @ Frequenza | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Canali unidirezionali | Tensione - Standoff inverso (tipico) | Tensione - Guasto (Min) | Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp | Corrente - Impulso di picco (10/1000μs) | Potenza-Impulso di picco | Protezione della linea elettrica | Canali bidirezionali |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CUHZ20V,H3F | 0,3600 |  | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CUHZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, cavo piatto | Zener | 180 pF a 1 MHz | US2H | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 20 V | 18,8 V | 20,6 V (sugger.) | 36A (8/20μs) | 2100 W (2,1 kW) | NO | |||
 | DF2B29FU,H3F | 0,3400 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | - | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | Zener | DF2B29 | 9 pF a 1 MHz | USC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 24 V | 26V | 47V | 3A (8/20μs) | 140 W | NO | 1 | ||
 | DF2B7ACT,L3F | 0,2000 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2B7 | 8,5 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 5,5 V (massimo) | 5,8 V | 20 V | 4A (8/20μs) | 80 W | NO | 1 | |||
 | CEZ5V6,L3F | 0,3100 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CEZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | Zener | 125 pF a 1 MHz | ESC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 | 5,6 V | 5,3 V | 9 V (suggerimento) | 12A (8/20μs) | 155 W | NO | |||
| CEZ6V8,L3F | 0,3100 | | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CEZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | Zener | 88pF @ 1MHz | ESC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 | 6,8 V | 6,4 V | 13 V (suggerimento) | 10A (8/20μs) | 180 W | NO | |||
 | DF2S6M4SL,L3F | 0,2900 | | 72 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | DF2S6 | 0,35 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5,5 V (massimo) | 5,6 V | 15 V | 2A | 30 W | NO | ||
 | DF2B5M4CT,L3F | 0,3100 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2B5 | 0,2 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 3,6 V (massimo) | 4V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | 1 | |||
 | DF5A6.2FU(TE85L,F) | 0,4300 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Zener | DF5A6.2 | 55 pF a 1 MHz | USV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 4 | 3V | 5,8 V | - | - | - | NO | ||
 | DF5A3.6CJE,LM | 0,3100 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-553 | Zener | DF5A3.6 | 52pF @ 1MHz | ESV | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 4 | 1,8 V | 3,4 V | - | - | - | NO | ||
 | DF2B12M2SC,L3F | 0,0750 | | 3966 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | DF2B12 | 0,2 pF a 1 MHz | SC2 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 8 V (massimo) | 10 V | 18 V (suggerimento) | 1A (8/20μs) | - | NO | 1 | ||
| DF2B26M4SL,L3F | 0,3200 | | 84 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | DF2B26 | 0,2 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 24 V (massimo) | 21 V | 31,5 V (sugger.) | 500mA (8/20μs) | 19 W | NO | 1 | ||
 | MSZ6V8,LF | 0,3400 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | MSZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Zener | 88pF @ 1MHz | S-Mini | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 6,8 V | 6,4 V | 13 V (suggerimento) | 10A (8/20μs) | 180 W | NO | |||
| DF2B18FU,H3F | 0,3400 | | 29 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | - | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | Zener | DF2B18 | 9 pF a 1 MHz | USC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 12V | 16,2 V | 33V | 2,5 A (8/20 µs) | 80 W | NO | 1 | ||
 | DF2S8.2CT,L3F | 0,2000 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2S8.2 | 20 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 6,5 V | 7,7 V | - | - | - | NO | ||
 | DF3A3.6FV(TPL3,Z) | - | | 6430 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-723 | Zener | DF3A | 110 pF a 1 MHz | VESM | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 2 | 1,8 V | 3,4 V | - | - | - | NO | ||
| MSZ6V2,LF | 0,3400 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | MSZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Zener | 105 pF a 1 MHz | S-Mini | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 6,2 V | 5,8 V | 10 V (suggerimento) | 11A (8/20μs) | 175 W | NO | |||
| MSZ36V,LF | 0,3700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | MSZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Zener | 18 pF a 1 MHz | S-Mini | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 36V | 34 V | 63 V (sugger.) | 3A (8/20μs) | 200 W | NO | |||
 | DF3A6.2LFU,LF | 0,3000 | | 2334 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 125°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | Zener | DF3A6 | 6,5 pF a 1 MHz | USM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2 | 5 V (massimo) | 5,9 V | - | - | - | NO | ||
| DF3A5.6LFU,LF | 0,3000 | | 30 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | Zener | DF3A5.6 | 8 pF a 1 MHz | USM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2 | 3,5 V | 5,3 V | - | - | - | NO | ||
| DF2B7ASL,L3F | 0,1800 | | 95 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 0201 (0603 metrico) | Zener | DF2B7 | 8,5 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 5,5 V | 5,8 V | 20 V | 4A (8/20μs) | 80 W | NO | 1 | ||
| DF2B7M3SC,L3F | - | | 4392 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | DF2B | 0,1 pF a 1 MHz | SC2 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 5 V (massimo) | 6V | 13 V (suggerimento) | 1A (8/20μs) | 50 W | NO | 1 | |||
 | MUZ36V,LF | 0,3800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | MUZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | Zener | 18 pF a 1 MHz | USM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 36V | 34 V | 63 V (sugger.) | 3A (8/20μs) | 200 W | NO | |||
| CUHZ6V2,H3F | 0,4600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CUHZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, cavo piatto | Zener | 735pF @ 1MHz | US2H | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 | 6,2 V | 5,8 V | 6,1 V (sugger.) | 87A (8/20μs) | 1800 W (1,8 kW) | NO | |||
| DF2S5M4SL,L3F | 0,3000 | | 98 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | DF2S5 | 0,35 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 3,6 V (massimo) | 3,7 V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | |||
 | DF5G5M4N,LF | 0,3800 | | 7561 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 5-XFDFN | Zener | DF5G5M4 | 0,2 pF a 1 MHz | 5-DFN (1,3x0,8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 5 | 3,6 V (massimo) | 4V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | ||
 | DF2S5M5CT,L3F | 0,3900 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | 0,6 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 3,3 V (massimo) | 3,6 V | 15 V | 2,5 A (8/20 µs) | 37W | NO |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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