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Soppressori di tensione transitoria (TVS)(236)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Capacità @ Frequenza | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Canali unidirezionali | Tensione - Standoff inverso (tipico) | Tensione - Guasto (Min) | Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp | Corrente - Impulso di picco (10/1000μs) | Potenza-Impulso di picco | Protezione della linea elettrica | Canali bidirezionali |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CEZ8V2,L3F | 0,3100 |  | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CEZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | Zener | 67pF @ 1MHz | ESC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 | 8,2 V | 7,7 V | 16,5 V (sugger.) | 8,5 A (8/20 µs) | 200 W | NO | ||||
 | DF2B7AFU,H3F | 0,2200 | | 26 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | Zener | DF2B7 | 8,5 pF a 1 MHz | USC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 5,5 V (massimo) | 5,8 V | 20 V | 4A (8/20μs) | 80W | NO | 1 | |||
| CEZ20V,L3F | 0,3100 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CEZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | Zener | 29 pF a 1 MHz | ESC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 | 20 V | 18,8 V | 30,5 V (sugger.) | 5A (8/20μs) | 200 W | NO | ||||
 | DF5A6.2JE,LM | 0,3100 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-553 | Zener | DF5A6.2 | 55 pF a 1 MHz | ESV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 4 | 3V | 5,8 V | - | - | - | NO | |||
 | MUZ5V6,LF | 0,3600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | MUZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | Zener | 125 pF a 1 MHz | USM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 5,6 V | 5,3 V | 9 V (suggerimento) | 12A (8/20μs) | 155 W | NO | ||||
 | MSZ12V,LF | 0,3400 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | MSZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Zener | 44 pF a 1 MHz | S-Mini | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 12V | 11,4 V | 26 V (sugger.) | 7A (8/20μs) | 200 W | NO | ||||
 | DF5A6.2CFU(TE85L,F | 0,4400 | | 14 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Zener | DF5A6.2 | 25 pF a 1 MHz | USV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 4 | 5 V | 5,8 V | - | - | - | NO | |||
 | CSLZ10V,L3F | 0,2200 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CSLZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | CSLZ | 16 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 | 8 V (massimo) | 9,4 V | 18 V (suggerimento) | 2,5 A (8/20 µs) | 60 W | NO | |||
 | CUHZ36V,H3F | 0,3600 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CUHZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, cavo piatto | Zener | 105 pF a 1 MHz | US2H | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 36V | 34 V | 41,2 V (sugger.) | 23A (8/20μs) | 2100 W (2,1 kW) | NO | ||||
| CSLZ6V2,L3F | 0,2200 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CSLZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | CSLZ | 30 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 | 5 V (massimo) | 5,8 V | 10,5 V (sugger.) | 2,5 A (8/20 µs) | 87 W | NO | |||
 | DF2S6.8CT,L3F | 0,1900 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2S6.8 | 25 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | - | 6,4 V | - | - | - | NO | |||
 | DF3A5.6LFV(TPL3,Z) | 0,3900 | | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-723 | Zener | DF3A5.6 | 8 pF a 1 MHz | VESM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 2 | 3,5 V | 5,3 V | - | - | - | NO | |||
| CUHZ8V2,H3F | 0,4600 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CUHZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, cavo piatto | Zener | 450 pF a 1 MHz | US2H | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 8,2 V | 7,7 V | 8,5 V (sugger.) | 68A (8/20μs) | 1900 W (1,9 kW) | NO | ||||
| MUZ24V,LF | 0,3500 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | MUZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | Zener | 26 pF a 1 MHz | USM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 24 V | 22,8 V | 36,5 V (sugger.) | 4,5 A (8/20 µs) | 200 W | NO | ||||
 | DF2S6.8MFS,L3M | 0,3700 | | 30 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-923 | Zener | DF2S6.8 | 0,45 pF a 1 MHz | SOD-923 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5 V (massimo) | 6V | 15 V | 3A | 45 W | NO | ||||
| CSLZ5V6,L3F | 0,2200 | | 940 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CSLZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | CSLZ | 35 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 | 3,5 V (massimo) | 5,3 V | 9 V (suggerimento) | 2,5 A (8/20 µs) | 72 W | NO | |||
 | DF2S6.8MFS,L3F | 0,4800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, cavo piatto | Zener | DF2S6.8 | 0,5 pF a 1 MHz | fSC | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5 V (massimo) | 6V | 15 V (suggerimento) | 1A (8/20μs) | - | NO | |||
 | CUZ8V2,H3F | 0,3500 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CUZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | Zener | 67pF @ 1MHz | USC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 8,2 V | 7,7 V | 16,5 V (sugger.) | 8,5 A (8/20 µs) | 200 W | NO | ||||
 | DF2S6.2FS,L3M | 0,1800 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-923 | Zener | DF2S6.2 | 32 pF a 1 MHz | SOD-923 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5 V | 5,8 V | - | - | - | NO | |||
 | DF2S6.2CT,L3F | 0,2000 | | 66 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2S6.2 | 32 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5 V | 5,8 V | - | - | - | NO | |||
| DF2B6.8AFS,L3M | - | | 2977 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-923 | Zener | DF2B | 9 pF a 1 MHz | SOD-923 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 5 V (massimo) | 5,8 V | 7 V (suggerimento) | 1A (8/20μs) | - | NO | 1 | ||
| CEZ12V,L3F | 0,3100 | | 23 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CEZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | Zener | 44 pF a 1 MHz | ESC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 | 12V | 11,4 V | 26 V (sugger.) | 7A (8/20μs) | 200 W | NO | ||||
 | DF2B5M4ASL,L3F | 0,3500 | | 546 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | DF2B5 | 0,15 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 3,6 V (massimo) | 4V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | 1 | |||
| DF2S6M4CT,L3F | 0,2900 | | 30 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2S6 | 0,35 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5,5 V (massimo) | 5,6 V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | ||||
| DF5A6.2LJE,LM | 0,3300 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-553 | Zener | DF5A6.2 | 6,5 pF a 1 MHz | ESV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 4 | 5 V | 5,9 V | - | - | - | NO | |||
| DF5A5.6LJE,LM | 0,3400 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-553 | Zener | DF5A5.6 | 8 pF a 1 MHz | ESV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 4 | - | 5,3 V | - | - | - | NO | |||
| DF2B36FU,H3F | 0,3400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | - | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | Zener | DF2B36 | 6,5 pF a 1 MHz | USC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 28 V | 32V | 40 V | 1A (8/20μs) | 150 W | NO | 1 | |||
| DF2S5M4CT,L3F | 0,2900 | | 640 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2S5 | 0,35 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 3,6 V (massimo) | 3,7 V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | ||||
| DF2B5M5CT,L3F | 0,4800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | 0,3 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 3,3 V (massimo) | 3,6 V | 15 V | 2,5 A (8/20 µs) | 37 W | NO | 1 | ||||
| MUZ12V,LF | 0,3500 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | MUZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | Zener | 44 pF a 1 MHz | USM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 12V | 11,4 V | 26 V (sugger.) | 7A (8/20μs) | 200 W | NO |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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