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Soppressori di tensione transitoria (TVS)(236)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Capacità @ Frequenza Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) ECCN HTSUS Pacchetto standard Canali unidirezionali Tensione - Standoff inverso (tipico) Tensione - Guasto (Min) Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp Corrente - Impulso di picco (10/1000μs) Potenza-Impulso di picco Protezione della linea elettrica Canali bidirezionali
MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ30V,LF 0,3500
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 21pF @ 1MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 30 V 28 V 47,5 V (sugger.) 4A (8/20μs) 200W NO
DF2S12FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FU,H3F 0,1800
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 ECAD 37 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener DF2S12 15 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 9V 11,4 V - - - NO
DF5A6.8CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8CJE,LM 0,2800
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOT-553 Zener DF5A6.8 23 pF a 1 MHz ESV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 4.000 4 - 6,4 V - - - NO
DF5A6.8JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8JE,LM 0,3100
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 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOT-553 Zener DF5A6.8 45 pF a 1 MHz ESV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 4.000 4 5 V 6,4 V - - - NO
DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF,LF 0,3500
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 Zener DF5A6.8 6pF @ 1MHz SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 5 V 6,5 V - - - NO
DF3A5.6FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6FV,L3F 0,2300
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 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOT-723 Zener DF3A5.6 65 pF a 1 MHz VESM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 8.000 2 - 5,3 V - - - NO
DF3A5.6F,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6F,LF 0,3500
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 ECAD 4992 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Zener DF3A5.6 65 pF a 1 MHz S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 2 2,5 V 5,3 V - - - NO
DF3A3.3CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3CT(TPL3) 0,0549
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 ECAD 7033 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-101, SOT-883 Zener DF3A3.3 115 pF a 1 MHz CST3 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 2 1 V 3,1 V - - - NO
DF3S6.8ECT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3S6.8ECT(TPL3) -
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 ECAD 5029 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Scopo generale Montaggio superficiale SC-101, SOT-883 Zener DF3S 37 pF a 1 MHz CST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 2 5 V (massimo) 5,3 V - - - NO
DF5G7M2N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G7M2N,LF -
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 ECAD 8234 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Scopo generale Montaggio superficiale 5-XFDFN Sterzo (da binario a binario) DF5G7M2 0,2 pF a 1 MHz 5-DFN (1,3x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 5.000 4 5,5 V (massimo) 6V 20 V 2,5 A (8/20 µs) 50 W NO
DF2S5.1SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1SC(TPL3) 0,0438
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 ECAD 8162 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 0201 (0603 metrico) Zener DF2S5.1 25 pF a 1 MHz SC2 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 1,5 V 4,85 V - - - NO
DF3A6.2LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFU,LF 0,3000
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 ECAD 2334 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 125°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener DF3A6 6,5 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 2 5 V (massimo) 5,9 V - - - NO
DF3A6.2FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FUTE85LF 0,3400
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 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener DF3A6.2 55 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 2 3V 5,8 V - - - NO
DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FU,LF 0,3000
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 ECAD 13 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 125°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener DF3A6.8 45 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 2 - 6,4 V - - - NO
CUZ12V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ12V,H3F 0,3500
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener 44 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 12V 11,4 V 26 V (sugger.) 7A (8/20μs) 200W NO
DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N,LF -
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 ECAD 2284 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Scopo generale Montaggio superficiale 10-UFDFN Zener DF10 0,2 pF a 1 MHz 10-DFN (2,5x1) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 5,5 V (massimo) 5,6 V 25 V 2A (8/20μs) 30 W NO 4
DF5A5.6FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6FTE85LF 0,4100
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 ECAD 17 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 Zener DF5A5.6 65 pF a 1 MHz SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 2,5 V 5,3 V - - - NO
MSZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V8,LF 0,3400
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MSZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Zener 88pF @ 1MHz S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 6,8 V 6,4 V 13 V (suggerimento) 10A (8/20μs) 180 W NO
DF2S6.8FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8FS,L3M 0,1700
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 ECAD 657 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-923 Zener DF2S6.8 25 pF a 1 MHz SOD-923 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 5 V (massimo) 6,4 V 9 V (suggerimento) - - NO
DF2B7M3SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M3SC,L3F -
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 ECAD 4392 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2B 0,1 pF a 1 MHz SC2 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 5 V (massimo) 6V 13 V (suggerimento) 1A (8/20μs) 50 W NO 1
DF2B18FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU,H3F 0,3400
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 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - - Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener DF2B18 9 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 12V 16,2 V 33V 2,5 A (8/20 µs) 80W NO 1
DF3A3.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.6CT(TPL3) 0,0549
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 ECAD 8258 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-101, SOT-883 Zener DF3A3.6 110 pF a 1 MHz CST3 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 2 1 V 3,1 V - - - NO
DF2B7M3SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M3SL,L3F 0,3400
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2B7 0,1 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 5,5 V (massimo) 6V 20 V 2,5 A (8/20 µs) 50 W NO 1
DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT,L3F 0,4000
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener 0,6 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 5 V (massimo) 5,5 V 15 V 2,5 A (8/20 µs) 37 W NO
DF2S8.2CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2CT,L3F 0,2000
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener DF2S8.2 20 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 6,5 V 7,7 V - - - NO
DF3D36FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU,LF 0,3600
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 ECAD 3784 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - - Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 - DF3D36 7pF @ 1MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 28 V 32V - - - NO 2
DF2S5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5CT,L3F 0,3900
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener 0,6 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 3,3 V (massimo) 3,6 V 15 V 2,5 A (8/20 µs) 37 W NO
CEZ6V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ6V2,L3F 0,3100
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 ECAD 702 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CEZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 Zener 105 pF a 1 MHz ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 8.000 1 6,2 V 5,8 V 10 V (suggerimento) 11A (8/20μs) 175 W NO
CSLZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ16V,L3F 0,2200
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CSLZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener CSLZ 10,5 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 10.000 1 12 V (massimo) 15,3 V 30 V (suggerimento) 2,5 A (8/20 µs) - NO
DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N,LF 0,3800
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 5-XFDFN Zener DF5G6M4 0,2 pF a 1 MHz 5-DFN (1,3x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 5.000 5 5,5 V (massimo) 5,6 V 15 V 2A (8/20μs) 30 W NO
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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