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Soppressori di tensione transitoria (TVS)(236)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Capacità @ Frequenza Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) ECCN HTSUS Pacchetto standard Canali unidirezionali Tensione - Standoff inverso (tipico) Tensione - Guasto (Min) Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp Corrente - Impulso di picco (10/1000μs) Potenza-Impulso di picco Protezione della linea elettrica Canali bidirezionali
DF6F6.8MTU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8MTU,LF 0,1067
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 ECAD 4119 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti Sterzo (da binario a binario) DF6F6.8 0,6 pF a 1 MHz UF6 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 5 V (massimo) 6V 24 V 2,5 A (8/20 µs) - SÌ
MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ5V6,LF 0,3400
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MSZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Zener 125 pF a 1 MHz S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 5,6 V 5,3 V 9 V (suggerimento) 12A (8/20μs) 155 W NO
DF6D7M1N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D7M1N,LF 0,3500
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 6-UFDFN Zener DF6D7M1 0,3 pF a 1 MHz 6-DFN (1,25x1) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 5 V (massimo) 6V 12 V (suggerimento) 1A (8/20μs) - NO 2
DF2S16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16CT,L3F 0,1900
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener DF2S16 10 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 12V 15,3 V - - - NO
DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P1CT,L3F 0,3800
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener DF2S 90 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 - 5,6 V 16V 10A (8/20μs) 160 W NO
DF2B36FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B36FU,H3XHF 0,3900
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 ECAD 317 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Automobilistico Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener 6,5 pF a 1 MHz USC scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 28 V (massimo) 32V 60 V 2,5 A (8/20 µs) 150 W NO 1
DF2S5.6CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6CT,L3F 0,1900
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 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener DF2S5.6 40 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 3,5 V 5,3 V - - - NO
MSZ8V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ8V2,LF 0,3400
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 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MSZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Zener 67pF @ 1MHz S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 8,2 V 7,7 V 16,5 V (sugger.) 8,5 A (8/20 µs) 200 W NO
DF5A6.8LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LFUTE85LF 0,4100
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Zener DF5A6.8 6pF @ 1MHz 5-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 5 V 6,5 V - - - NO
MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ30V,LF 0,3500
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 21pF @ 1MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 30 V 28 V 47,5 V (sugger.) 4A (8/20μs) 200 W NO
DF2S5.6ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6ASL,L3F 0,2000
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 ECAD 69 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2S5.6 40 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 3,5 V (massimo) 5,3 V - - - NO
DF5A5.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6JE,LM 0,3100
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOT-553 Zener DF5A5.6 65 pF a 1 MHz ESV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 4.000 4 2,5 V 5,3 V - - - NO
MUZ8V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ8V2,LF 0,3500
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage MUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 67pF @ 1MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 3.000 1 8,2 V 7,7 V 16,5 V (sugger.) 8,5 A (8/20 µs) 200 W NO
DF2B6M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5SL,L3F 0,3700
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2B6 0,3 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 5 V (massimo) 5,5 V 26,5 V (sugger.) 2,5 A (8/20 µs) 37W NO 1
DF5A3.3F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3F(TE85L,F) 0,0801
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 ECAD 5994 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 Zener DF5A3.3 115 pF a 1 MHz SMV scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 1 V 3,1 V - - - NO
DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV,L3F 0,2300
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 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOT-723 Zener DF3A6.8 45 pF a 1 MHz VESM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 8.000 2 - 6,4 V - - - NO
DF2S12FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FU,H3F 0,1800
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 ECAD 37 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener DF2S12 15 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 9V 11,4 V - - - NO
DF2B5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5SL,L3F 0,2400
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2B5 7,2 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 3,3 V (massimo) 3,6 V 11,5 V (sugger.) 5,5 A (8/20 µs) 77 W NO 1
DF3D29FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU,LXHF 0,3900
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Automobilistico Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener 9 pF a 1 MHz SC-70 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 24 V (massimo) 26V 47V 3A (8/20μs) 140 W NO 2
DF5A6.8CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8CJE,LM 0,2800
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOT-553 Zener DF5A6.8 23 pF a 1 MHz ESV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 4.000 4 - 6,4 V - - - NO
DF2B6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4SL,L3F 0,3400
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 ECAD 4331 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Zener DF2B6 0,2 pF a 1 MHz SL2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 5,5 V (massimo) 5,6 V 25 V 2A (8/20μs) 30 W NO 1
DF2S24UCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S24UCT,L3F 0,3300
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SOD-882 Zener DF2S24 1,6 pF a 1 MHz CST2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 19 V (massimo) 22V - - - NO
CUZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ36V,H3F 0,3800
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 ECAD 13 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener 18 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 36V 34 V 63 V (sugger.) 3A (8/20μs) 200 W NO
DF3D29FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU,LF 0,3900
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - - Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Zener DF3D29 9 pF a 1 MHz USM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 2 24 V 26V 47V 3A (8/20μs) 140 W NO
DF2S6P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P2FU,H3F 0,4900
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 ECAD 2806 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener DF2S6 600 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 5,5 V (massimo) 5,6 V 23,7 V 80A (8/20μs) 1900 W (1,9 kW) NO
CUZ6V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ6V2,H3F 0,3500
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage CUZ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 Zener 105 pF a 1 MHz USC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 1 6,2 V 5,8 V 10 V (suggerimento) 11A (8/20μs) 175 W NO
DF2S6.8UFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UFS,L3F -
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 ECAD 8039 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro tagliato (CT) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 2-SMD, cavo piatto Zener DF2S 1,6 pF a 1 MHz fSC scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 19 V (massimo) 22V - - - NO
DF2S5.1SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1SC(TPL3) 0,0438
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 ECAD 8162 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale 0201 (0603 metrico) Zener DF2S5.1 25 pF a 1 MHz SC2 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 1 1,5 V 4,85 V - - - NO
DF5A6.8JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8JE,LM 0,3100
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 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SOT-553 Zener DF5A6.8 45 pF a 1 MHz ESV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 4.000 4 5 V 6,4 V - - - NO
DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF,LF 0,3500
Richiesta di offerta
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo - Scopo generale Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 Zener DF5A6.8 6pF @ 1MHz SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 4 5 V 6,5 V - - - NO
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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