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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Capacità @ Frequenza | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Canali unidirezionali | Tensione - Standoff inverso (tipico) | Tensione - Guasto (Min) | Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp | Corrente - Impulso di picco (10/1000μs) | Potenza-Impulso di picco | Protezione della linea elettrica | Canali bidirezionali |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DF2S6.8MFS,L3M | 0,3700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-923 | Zener | DF2S6.8 | 0,45 pF a 1 MHz | SOD-923 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5 V (massimo) | 6V | 15 V | 3A | 45 W | NO | ||||
![]() | CSLZ5V6,L3F | 0,2200 | ![]() | 940 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CSLZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | CSLZ | 35 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 | 3,5 V (massimo) | 5,3 V | 9 V (suggerimento) | 2,5 A (8/20 µs) | 72 W | NO | |||
![]() | CUZ8V2,H3F | 0,3500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CUZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | Zener | 67pF @ 1MHz | USC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 8,2 V | 7,7 V | 16,5 V (sugger.) | 8,5 A (8/20 µs) | 200 W | NO | ||||
![]() | DF2S6.2CT,L3F | 0,2000 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2S6.2 | 32 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5 V | 5,8 V | - | - | - | NO | |||
![]() | DF2B6.8AFS,L3M | - | ![]() | 2977 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-923 | Zener | DF2B | 9 pF a 1 MHz | SOD-923 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 5 V (massimo) | 5,8 V | 7 V (suggerimento) | 1A (8/20μs) | - | NO | 1 | ||
![]() | CEZ12V,L3F | 0,3100 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CEZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | Zener | 44 pF a 1 MHz | ESC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 | 12V | 11,4 V | 26 V (sugger.) | 7A (8/20μs) | 200 W | NO | ||||
![]() | DF2B5M4ASL,L3F | 0,3500 | ![]() | 546 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | DF2B5 | 0,15 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 3,6 V (massimo) | 4V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | 1 | |||
![]() | DF10G7M1N,LF | - | ![]() | 4099 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | HDMI | Montaggio superficiale | 10-UFDFN | Sterzo (da binario a binario) | DF10 | 0,3 pF a 1 MHz | 10-DFN (2,5x1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 4 | 5 V (massimo) | 6V | 12 V (suggerimento) | 1A (8/20μs) | - | SÌ | |||
![]() | DF3A6.2FV,L3F | 0,3200 | ![]() | 9211 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-723 | Zener | DF3A6.2 | 55 pF a 1 MHz | VESM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 2 | - | 5,8 V | - | - | - | NO | |||
![]() | DF2S6M4CT,L3F | 0,2900 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2S6 | 0,35 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5,5 V (massimo) | 5,6 V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | ||||
![]() | DF5A6.2LJE,LM | 0,3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-553 | Zener | DF5A6.2 | 6,5 pF a 1 MHz | ESV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 4 | 5 V | 5,9 V | - | - | - | NO | |||
![]() | DF5A5.6LJE,LM | 0,3400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-553 | Zener | DF5A5.6 | 8 pF a 1 MHz | ESV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 4 | - | 5,3 V | - | - | - | NO | |||
![]() | DF2B36FU,H3F | 0,3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | - | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | Zener | DF2B36 | 6,5 pF a 1 MHz | USC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 28 V | 32V | 40 V | 1A (8/20μs) | 150 W | NO | 1 | |||
![]() | DF2S5M4CT,L3F | 0,2900 | ![]() | 640 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2S5 | 0,35 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 3,6 V (massimo) | 3,7 V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | ||||
![]() | DF2S6.8MFS,L3F | 0,4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, cavo piatto | Zener | DF2S6.8 | 0,5 pF a 1 MHz | fSC | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5 V (massimo) | 6V | 15 V (suggerimento) | 1A (8/20μs) | - | NO | |||
![]() | DF2S6P2CTC,L3F | 0,4100 | ![]() | 4595 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | USB | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | DF2S6 | 600 pF a 1 MHz | CST2C | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5,5 V (massimo) | 5,6 V | - | 80A | - | NO | |||
![]() | DF3A5.6LFV(TPL3,Z) | 0,3900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-723 | Zener | DF3A5.6 | 8 pF a 1 MHz | VESM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 2 | 3,5 V | 5,3 V | - | - | - | NO | |||
![]() | MUZ24V,LF | 0,3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | MUZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | Zener | 26 pF a 1 MHz | USM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 24 V | 22,8 V | 36,5 V (sugger.) | 4,5 A (8/20 µs) | 200 W | NO | ||||
![]() | DF2B5M5CT,L3F | 0,4800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | 0,3 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 3,3 V (massimo) | 3,6 V | 15 V | 2,5 A (8/20 µs) | 37W | NO | 1 | ||||
![]() | MUZ12V,LF | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | MUZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | Zener | 44 pF a 1 MHz | USM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 | 12V | 11,4 V | 26 V (sugger.) | 7A (8/20μs) | 200 W | NO | ||||
![]() | DF2S6.2ASL,L3F | 0,1900 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | DF2S6.2 | 32 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 5 V (massimo) | 5,8 V | - | - | - | NO | |||
![]() | DF3A3.3FV,L3F | 0,2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOT-723 | Zener | DF3A3.3 | 115 pF a 1 MHz | VESM | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 2 | - | 3,1 V | - | - | - | NO | |||
![]() | DF3D6.8MS,LF | 0,2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-75, SOT-416 | Sterzo (da binario a binario) | DF3D6.8 | 0,5 pF a 1 MHz | SSM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2 | 5 V (massimo) | 6V | 11 V (suggerimento) | 1A (8/20μs) | - | SÌ | |||
![]() | DF3A6.8LFU,LF | 0,3700 | ![]() | 176 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | Zener | DF3A6.8 | 6pF @ 1MHz | USM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2 | 5 V | 6,5 V | - | - | - | NO | |||
![]() | DF6D6M4N,LF | - | ![]() | 8348 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 6-UFDFN | Zener | DF6D6M4 | 0,2 pF a 1 MHz | 6-DFN (1,25x1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 5,5 V (massimo) | 5,6 V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | 2 | |||
![]() | DF5A5.6LFU(TE85L,F | 0,4800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Zener | DF5A5.6 | 8 pF a 1 MHz | USV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 4 | 3,5 V | 5,3 V | - | - | - | NO | |||
![]() | CSLZ12V,L3F | 0,2200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | CSLZ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | CSLZ | 13pF @ 1MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 | 9 V (massimo) | 11,4 V | 28 V (sugger.) | 2,5 A (8/20 µs) | 72 W | NO | |||
![]() | DF2S30FS,L3M | 0,1700 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-923 | Zener | DF2S30 | 7pF @ 1MHz | SOD-923 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 23 V (massimo) | 28 V | - | - | - | NO | |||
![]() | DF2S20CT,L3F | 0,1900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Scopo generale | Montaggio superficiale | SOD-882 | Zener | DF2S20 | 9 pF a 1 MHz | CST2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 1 | 15 V | 18,8 V | - | - | - | NO | |||
![]() | DF2B6M4ASL,L3F | 0,3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 2-SMD, senza piombo | Zener | DF2B6 | 0,15 pF a 1 MHz | SL2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 5,5 V (massimo) | 5,6 V | 15 V | 2A (8/20μs) | 30 W | NO | 1 |

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