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Sensori, trasduttori(28)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Polarizzazione Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Tecnologia Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Funzione Rilevamento della prossimità Corrente - Fornitura (max) Configurazione dell'uscita Metodo di rilevamento Corrente - Uscita (max) Dimensionepixel Matrice di pixel attivi Lunghezza dell'onda Campo di rilevamento Condizione di prova Corrente - CC diretta (Se) (Max) Distanza di rilevamento Tempo di risposta Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max)
TCS30DPU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30DPU,LF 0,1500
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Polo Nord, Polo Sud Montaggio superficiale 5-SMD, conduttori piatti - Effetto Sala Spingi-tira 2,3 V ~ 3,6 V UFV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3.000 Interruttore omnipolare 1,3 mA 5mA Viaggio di ±2,5 mT, rilascio di ±0,3 mT 25°C
TCD1209DG(8Z,K) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1209DG(8Z,K) 51.1700
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 ECAD 9500 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Vassoio Attivo -25°C~60°C 22-CDIP (0,400", 10,16 mm) CCD 11,4 V ~ 13 V 22-CERDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 50 14 µm x 14 µm -
TCS30DLU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30DLU,LF 0,1500
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Polo Nord, Polo Sud Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto - TCS30 Effetto Sala Aprire lo scarico 2,3 V ~ 3,6 V UFV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore omnipolare 1,3 mA 5mA Viaggio di ±2,5 mT, rilascio di ±0,3 mT 25°C
TCD1205DG(8Z,W) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1205DG(8Z,W) -
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 ECAD 4329 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Vassoio Obsoleto -25°C~60°C 22-CDIP (0,400", 10,16 mm) CCD TCD1205 4,5 V ~ 5,5 V 22-CDIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile TCD1205DG(8ZW) EAR99 8542.39.0001 100 14 µm x 200 µm -
TCS10DPU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10DPU(TE85L,F) -
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 ECAD 3199 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Nord, Polo Sud Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto - TCS10D Effetto Sala Spingi-tira 2,3 V ~ 3,6 V UFV - 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore omnipolare 1,3 mA 5mA Viaggio di ±2,5 mT, rilascio di ±0,3 mT 25°C
TCS10DLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10DLU(TE85L,F) -
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 ECAD 8212 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Nord, Polo Sud Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto - TCS10D Effetto Sala Aprire lo scarico 2,3 V ~ 3,6 V UFV - 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore omnipolare 1,3 mA 5mA Viaggio di ±2,5 mT, rilascio di ±0,3 mT 25°C
TCS10NLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10NLU(TE85L,F) -
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 ECAD 8296 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Nord Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto - TCS10N Effetto Sala Aprire lo scarico 2,3 V ~ 3,6 V UFV - 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore unipolare 1,3 mA 5mA -2,5mT di viaggio, -0,3mT di rilascio 25°C
TCS11NLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS11NLU(TE85L,F) -
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 ECAD 1268 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Nord Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto - TCS11N Effetto Sala Aprire lo scarico 2,3 V ~ 3,6 V UFV - 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore unipolare 1,3 mA 5mA -2,5mT di viaggio, -0,3mT di rilascio 25°C
TCS11DLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS11DLU(TE85L,F) -
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 ECAD 2936 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Nord, Polo Sud Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto - TCS11D Effetto Sala Aprire lo scarico 2,3 V ~ 3,6 V UFV - 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore omnipolare 1,3 mA 5mA Viaggio di ±2,5 mT, rilascio di ±0,3 mT 25°C
TCD1103GFG(8Z) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1103GFG(8Z) -
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 ECAD 3271 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Vassoio Attivo -25°C~60°C Modulo 16-GLCC CCD 3V~4V 16-GLCC (15,2x6) scaricamento 264-TCD1103GFG(8Z) 120 5,5 µm x 64 µm -
TPS850 Toshiba Semiconductor and Storage TPS850 -
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 ECAD 9854 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -30°C ~ 85°C Montaggio superficiale 1210 (3225 metrico), 4 derivazioni Ambiente TPS85 Attuale 2,7 V ~ 5,5 V - scaricamento 3 (168 ore) TPS850-NDR EAR99 8541.49.1050 3.000 NO 640 nm
TCD1103GFG Toshiba Semiconductor and Storage TCD1103GFG 19.5400
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 ECAD 117 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Vassoio Attivo -25°C~60°C Modulo 16-GLCC CCD TCD1103 3V~4V 16-GLCC (15,2x6) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 120 5,5 µm x 64 µm
TCD1209DG(8Z,W) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1209DG(8Z,W) -
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 ECAD 2991 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Vassoio Obsoleto - 22-CDIP (0,400", 10,16 mm) CCD TCD1209 5 V~12 V 22-CDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile TCD1209DG(8ZW) OBSOLETO 0000.00.0000 50 14 µm x 14 µm -
TCS30SPU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30SPU,LF 0,1500
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Polo Sud Montaggio superficiale 5-SMD, conduttori piatti - Effetto Sala Spingi-tira 2,3 V ~ 3,6 V UFV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3.000 Interruttore unipolare 1,3 mA 5mA Viaggio di 2,5 mT, rilascio di 0,3 mT 25°C
TCD1305DG(8Z,AW) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1305DG(8Z,AW) -
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 ECAD 4628 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Vassoio Attivo -25°C~60°C 22-CDIP (0,400", 10,16 mm) CCD TCD1305 4,5 V ~ 5,5 V 22-CDIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS TCD1305DG(8ZAW) 0000.00.0000 100 8 µm x 64 µm -
TCS40DPR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS40DPR,LF 0,3500
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 ECAD 338 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Polo Nord, Polo Sud Montaggio superficiale SOT-23-3 Derivazioni piatte - TCS40 Effetto Sala Spingi-tira 2,3 V ~ 5,5 V SOT-23F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore omnipolare 1,6 mA (sugger.) 5mA Viaggio di ±4,4 mT, rilascio di ±0,9 mT 25°C
TCS20DLR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS20DLR,LF -
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 ECAD 2186 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Nord, Polo Sud Montaggio superficiale SOT-23-3 Derivazioni piatte - TCS20D Effetto Sala Aprire lo scarico 2,3 V ~ 5,5 V SOT-23F scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore omnipolare 1,6 mA (sugger.) 5mA Viaggio di ±4,4 mT, rilascio di ±0,9 mT 25°C
TCD1304DG(8Z,K) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1304DG(8Z,K) 36.2700
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 ECAD 9605 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Vassoio Attivo -25°C~60°C 22-CDIP (0,400", 10,16 mm) CCD 3 V ~ 5,5 V 22-CERDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 8 µm x 200 µm -
TCS40DLR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS40DLR,LF 0,1100
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Polo Nord, Polo Sud Montaggio superficiale SOT-23-3 Derivazioni piatte - TCS40 Effetto Sala Aprire lo scarico 2,3 V ~ 5,5 V SOT-23F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore omnipolare 1,6 mA (sugger.) 5mA Viaggio di ±4,4 mT, rilascio di ±0,9 mT 25°C
TCS11SLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS11SLU(TE85L,F) -
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 ECAD 9194 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Sud Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto - TCS11S Effetto Sala Aprire lo scarico 2,3 V ~ 3,6 V UFV - 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore unipolare 1,3 mA 5mA Viaggio di 2,5 mT, rilascio di 0,3 mT 25°C
TCS10SPU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10SPU(TE85L,F) -
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 ECAD 1384 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Sud Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto - TCS10S Effetto Sala Spingi-tira 2,3 V ~ 3,6 V UFV - 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore unipolare 1,3 mA 5mA Viaggio di 2,5 mT, rilascio di 0,3 mT 25°C
TCD1304DG(8Z,AW) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1304DG(8Z,AW) -
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 ECAD 5591 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Vassoio Obsoleto - 22-CDIP (0,400", 10,16 mm) CCD TCD1304 3V 22-CDIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8542.39.0001 50 8 µm x 200 µm -
TCS30NPU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30NPU,LF 0,4700
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Polo Nord Montaggio superficiale 5-SMD, conduttori piatti - Effetto Sala Spingi-tira 2,3 V ~ 3,6 V UFV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3.000 Interruttore unipolare 1,3 mA 5mA -2,5mT di viaggio, -0,3mT di rilascio 25°C
TCS10SLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10SLU(TE85L,F) -
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 ECAD 4948 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Sud Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto - TCS10S Effetto Sala Aprire lo scarico 2,3 V ~ 3,6 V UFV - 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore unipolare 1,3 mA 5mA Viaggio di 2,5 mT, rilascio di 0,3 mT 25°C
TCS10NPU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10NPU(TE85L,F) -
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 ECAD 3696 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Nord Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto - TCS10N Effetto Sala Spingi-tira 2,3 V ~ 3,6 V UFV scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore unipolare 1,3 mA 5mA -2,5mT di viaggio, -0,3mT di rilascio 25°C
TCS20DPR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS20DPR,LF -
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 ECAD 7989 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Polo Nord, Polo Sud Montaggio superficiale SOT-23-3 Derivazioni piatte - TCS20D Effetto Sala Spingi-tira 2,3 V ~ 5,5 V SOT-23F scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Interruttore omnipolare 1,6 mA (sugger.) 5mA Viaggio di ±4,4 mT, rilascio di ±0,9 mT 25°C
TLP1243(C8) Toshiba Semiconductor and Storage TLP1243(C8) -
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 ECAD 7876 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -30°C ~ 95°C - - Non amplificato TLP124 - 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 200 Fototransistor - 30 mA 0,197" (5 mm) 15 µs 35 V 50 mA
TPS853 Toshiba Semiconductor and Storage TPS853 -
Richiesta di offerta
 ECAD 1363 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -30°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto Ambiente TPS85 Attuale 2,2 V ~ 5,5 V SMD (2,1 L x 2,0 L x 0,7 A) scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.1050 3.000 NO 600 nm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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