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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tensione - Ingresso Stile di terminazione Tipo di uscita Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Resistenza allo stato attivo (max) Circuito Tensione - Carico Carica corrente
TLP170D(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP170D(TP,F) 0,8229
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ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP170D Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP170 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 2.500 8 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 200 mA
TLP4176A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4176A(F 2.5200
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ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP4176A(F EAR99 8536.41.0030 100 2,5 Ohm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~60 V 500 mA
TLP3241(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3241(TP15,F) -
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ECAD 2660 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3241 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, conduttori piatti TLP3241 1,3 V CC Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-SSOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 1.500 10 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 140 mA
TLP3106(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3106(F -
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ECAD 6627 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3100 Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP3106 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 75 40 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~30 V 4A
TLP3107(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3107(F 3.9800
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ECAD 1706 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3100 Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP3107 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 75 60 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 3,3 A
TLP4172G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP4172G(F) -
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ECAD 3934 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4172G Tubo Obsoleto Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP4172 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 100 50 Ohm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~350 V 90 mA
TLP4206G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP4206G(F) 3.2000
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ECAD 2707 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4206G Massa Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP4206 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 8-SOP (2,54mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP4206GF EAR99 8536.41.0030 50 25 Ohm SPST-NC (1 modulo B) x 2 0 V~350 V 120 mA
TLP3317(TP15,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3317(TP15,F 3.4600
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ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3317 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,128", 3,25 mm) TLP3317 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-USOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8541.49.8000 1.500 12 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~80 V 120 mA
TLP223J(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP223J(D4TP1,F 1.6600
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ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) 1,27 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD - 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 1.500 60 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~600 V 90 mA
TLP220D(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP220D(F) -
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ECAD 5189 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP220D Tubo Obsoleto Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP220 1,63 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP220DF EAR99 8536.41.0030 100 8 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 250 mA
TLP3825(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825(LF1,F 8.0700
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ECAD 4197 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3825 Tubo Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 1,64 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8536.49.0055 50 500 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 1,5 A
TLP4590A(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A(D4TP1,F 3.6500
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ECAD 9736 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4590A Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SMD (0,300", 7,62 mm) 1,1 ~ 1,4 VCC Scheda SMD (SMT). CA, CC 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 1.500 600 mOhm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~60 V 1,2A
TLP3127(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3127(F -
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ECAD 9912 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3127 Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP3127 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 100 130 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 1,3 A
TLP3825(LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825(LF5,F 8.0700
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ECAD 3195 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3825 Tubo Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 1,64 Vcc N/R CA, CC 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8536.49.0055 50 500 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 1,5 A
TLP241A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241A(TP1,F 1.8500
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ECAD 110 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP241A Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP241 1,27 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 1.500 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 2A
TLP3556(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3556(TP1,F) 1.8665
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ECAD 3189 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3556 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP3556 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile TLP3556(TP1F) EAR99 8536.41.0030 1.500 700 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 1A
TLP3120(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3120(F) -
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ECAD 8938 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3120 Tubo Obsoleto Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano TLP3120 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP (2,54 mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 75 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~80 V 1,25 A
TLP3109(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3109(F 4.8900
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ECAD 2605 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3100 Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP3109 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 75 70 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 2A
TLP241B(D4,TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241B(D4,TP5,F 3.2000
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ECAD 2299 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP241B Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano 1,65 VCC Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8536.49.0055 1.500 200 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 2A
TLP3475SRHA(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3475SRHA(TP,E 7.4000
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ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3475S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,079", 2,00 mm) TLP3475 1,5 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC S-VSON4T scaricamento 3 (168 ore) 5A991G 8536.41.0030 2.500 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 400 mA
TLP220A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP220A(F) -
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ECAD 4514 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP220A Tubo Obsoleto Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP220 1,63 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP220AF EAR99 8536.41.0030 100 2 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 500 mA
TLP3475SRHA4(TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3475SRHA4(TPE 21.5100
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ECAD 7647 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3475S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 16-LDFN 1,5 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC S-VSON16T (2x6,25) scaricamento 3 (168 ore) EAR99 8541.49.8000 500 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 250 mA
TLP4590A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A(F 3.6500
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ECAD 8265 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4590A Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 1,27 Vcc - CA, CC 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP4590A(F 50 600 mOhm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~60 V 1,2A
TLP241BF(D4TP4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241BF(D4TP4,F 3.2300
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ECAD 989 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP241BF Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano 1,65 VCC Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8536.49.0055 1.000 200 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 2A
TLP241A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241A(F 1.8500
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ECAD 6281 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP241A Tubo Attivo Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP241 1,27 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8536.41.0030 100 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 2A
TLP3407SRH(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3407SRH(TP,E 6.7300
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ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3407S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,079", 2,00 mm) TLP3407 1,4 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC S-VSON4T scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 2.500 300 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 1A
TLP3409S(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3409S(TP,E 5.3700
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ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3409S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,079", 2,00 mm) TLP3409 1,27 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-S-VSON scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 2.500 600 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 650 mA
TLP3475S(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3475S(TP,E 5.3200
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ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3475S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,079", 2,00 mm) TLP3475 1,24 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-S-VSON scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 2.500 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 400 mA
TLP3406SRL(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRL(TP,E 6.7300
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ECAD 5849 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3406S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,079", 2,00 mm) TLP3406 1,2 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC S-VSON4T scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 2.500 200 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~30 V 1,5 A
TLP240GA(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240GA(F 1.8800
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ECAD 85 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP240GA Tubo Attivo Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP240 1,27 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8536.41.0030 100 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~400 V 120 mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock