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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tensione - Ingresso | Stile di terminazione | Tipo di uscita | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Resistenza allo stato attivo (max) | Circuito | Tensione - Carico | Carica corrente |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP3553(F) | 3.3300 |  | 7879 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3553 | Tubo | Attivo | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP3553 | 1,33 Vcc | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 80 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~20 V | 3A | ||
| TLP3558A(F | 2.7000 | | 7182 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3558A | Tubo | Attivo | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP3558 | 1,64 Vcc | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~200 V | 700mA | ||
 | TLP176GA(F) | - | | 1697 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP176GA | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP176 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP176GAF | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 35 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~400 V | 120 mA | |
 | TLP241B(TP1,F | 3.2000 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP241B | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP241 | 1,65 VCC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 2A | ||
 | TLP227A(F) | - | | 6561 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP227A | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP227 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 500 mA | ||
 | TLP3240(TP15,F) | - | | 2258 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3240 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, conduttori piatti | TLP3240 | 1,3 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-SSOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 14 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 120 mA | ||
| TLP3115(F) | - | | 4000 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3115 | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP3115 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP3115F | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 1,5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 300 mA | |
 | TLP3475R(TP,F | 4.0700 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3475R | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,108", 2,75 mm) | TLP3475 | 1,8 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,75) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 1,5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~50 V | 300 mA | ||
 | TLP4590A(LF1,F | 3.6500 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4590A | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD (0,300", 7,62 mm) | 1,27 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 50 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | ||||||
| TLP3544(TP1,F) | 5.2000 | | 1309 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3544 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP3544 | 1,33 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 60 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 3,5 A | ||
 | TLP3406SRH(TP,E | 6.7300 | | 43 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3406S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | TLP3406 | 1,4 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 1,5 A | ||
 | TLP206GA(TP,F) | 1.8386 | | 8168 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP206GA | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP206 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 8-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP206GA(TPF) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 35 Ohm | SPST-NO (1 modulo A) x 2 | 0 V~400 V | 120 mA | |
| TLP3556A(TP1,F | 3.5000 | | 8764 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3556A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP3556 | 1,64 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 2A | ||
 | TLP592G(F) | - | | 2830 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP592G | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP592 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP592GF | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 110 mA | |
 | TLP176AM(E | 1.4400 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP176AM | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori | TLP176 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP176AM(E(O | EAR99 | 8536.41.0030 | 125 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 700mA | |
 | TLP3823F(F | 8.0700 | | 8722 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3823F | Tubo | Attivo | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP3823 | 1,64 Vcc | Perno del PC | CA, CC | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP3823F(F(O | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 150 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 3A | |
| TLP172AM(TPR,E | 1.9200 | | 22 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP172AM | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori | TLP172 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 500 mA | ||
| TLP3149(F | 3.6700 | | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3149 | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | 1,65 VCC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP3149(F | EAR99 | 8536.49.0055 | 100 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 1,5 A | |||
| TLP3109(TP,F | 2.1012 | | 7262 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP3109 | 1,33 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 70 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 2A | ||
 | TLP4590A(D4LF5,F | 3.6500 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4590A | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 1,27 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | 50 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | |||||||
| TLP3544(LF1,F) | 5.2000 | | 4661 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3544 | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP3544 | 1,33 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | TLP3544(LF1F) | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 60 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 3,5 A | ||
| TLP222G(F) | - | | 8973 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP222G | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP222 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 120 mA | ||
| TLP176G(F) | - | | 8009 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP176G | Tubo | Obsoleto | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP176 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP176GF | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 35 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 120 mA | |
 | TLP3475(TP,F | 4.0700 | | 27 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3475 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | TLP3475 | 1,27 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,45) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 1,5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~50 V | 300 mA | ||
 | TLP4227G-2(F) | 3.0000 | | 48 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4227G-2 | Tubo | Attivo | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP4227 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 25 Ohm | SPST-NC (1 modulo B) x 2 | 0 V~350 V | 150 mA | ||
| TLP3431(TP,F | 4.2500 | | 2885 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3431 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | TLP3431 | 1,27 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,45) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 1,2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~20 V | 450 mA | ||
| TLP170D(F) | 1.4400 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP170D | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP170 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 8 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~200 V | 200 mA | ||
| TLP3119(F) | - | | 7697 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3119 | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP3119 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP3119F | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~80 V | 200 mA | |
| TLP171A(TP,F | 1.6600 | | 228 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP171A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP171 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 400 mA | ||
| TLP4227G(F) | 1.6600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4227G | Tubo | Attivo | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP4227 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP4227GF | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 25 Ohm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~350 V | 150 mA |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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