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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tensione - Ingresso | Stile di terminazione | Tipo di uscita | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Resistenza allo stato attivo (max) | Circuito | Tensione - Carico | Carica corrente |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP222G-2(F) | - |  | 6081 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP222G-2 | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP222 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 50 Ohm | SPST-NO (1 modulo A) x 2 | 0 V~350 V | 120 mA | ||
 | TLP172A(F) | - | | 1956 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP172A | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP172 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 400 mA | ||
 | TLP3406SRL(TP,E | 6.7300 | | 5849 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3406S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | TLP3406 | 1,2 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 1,5 A | ||
 | TLP170AM(TPL,E | 1.3400 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP170AM | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori | TLP170 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP (2,54 mm) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 5A991G | 8541.49.8000 | 3.000 | 300 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 700mA | ||
 | TLP3406S(TP,E | 5.2900 | | 7972 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3406S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | TLP3406 | 1,21 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-S-VSON | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 1,5 A | ||
 | TLP3317(TP15,F | 3.4600 | | 11 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3317 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,128", 3,25 mm) | TLP3317 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-USOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 12 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~80 V | 120 mA | ||
 | TLP3120(F) | - | | 8938 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3120 | Tubo | Obsoleto | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | TLP3120 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 75 | 150 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~80 V | 1,25 A | ||
 | TLP241A(LF1,F | 1.8500 | | 7105 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP241A | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP241 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP241A(LF1F | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 150 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 2A | |
| TLP4172G(F) | - | | 3934 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4172G | Tubo | Obsoleto | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP4172 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 50 Ohm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~350 V | 90 mA | |||
 | TLP172A(TP,F) | - | | 3846 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP172A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP172 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 400 mA | ||
| TLP3407SRH(TP,E | 6.7300 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3407S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | TLP3407 | 1,4 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 300 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 1A | ||
 | TLP3127(F | - | | 9912 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3127 | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP3127 | 1,33 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 130 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 1,3 A | ||
 | TLP3546A(TP1,F | 4.0100 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3546A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP3546 | 1,64 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 80 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 3,5 A | ||
 | TLP220D(F) | - | | 5189 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP220D | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP220 | 1,63 VCC | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP220DF | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 8 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~200 V | 250 mA | |
| TLP240A(TP1,F | 1.8800 | | 9673 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP240A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP240 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 500 mA | ||
 | TLP222AF | - | | 2708 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP222A | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP222 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 500 mA | ||
 | TLP3412SRHA(TP,E | 7.4000 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3412S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | TLP3412 | 1,5 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T | scaricamento | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.49.0055 | 2.500 | 1,5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 400 mA | |||
| TLP3106A(F | 4.5900 | | 2772 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3106A | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 1,65 VCC | N/R | CA, CC | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP3106A(F | EAR99 | 8536.41.0030 | 75 | 30 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 4,5 A | |||
| TLP241BF(F | 3.2000 | | 9115 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP241BF | Tubo | Attivo | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | 1,65 VCC | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP241BF(F | EAR99 | 8536.49.0055 | 100 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 2A | |||
| TLP241B(TP5,F | 3.2000 | | 9649 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP241B | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | 1,65 VCC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.49.0055 | 1.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 2A | ||||
| TLP224G-2(F) | 2.4900 | | 7583 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP224G-2 | Tubo | Attivo | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP224 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 35 Ohm | SPST-NO (1 modulo A) x 2 | 0 V~350 V | 120 mA | ||
 | TLP3542(F) | 3.1500 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3542 | Tubo | Attivo | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | TLP3542 | 1,33 Vcc | Perno del PC | CA, CC | 6-DIP (taglio), 5 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 100 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 2,5 A | ||
| TLP240G(TP1,F | 1.8800 | | 7747 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP240G | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP240 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 100 mA | ||
| TLP3121(F) | - | | 9458 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3121 | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP3121 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 1,2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~80 V | 350 mA | ||
 | TLP172GM(TPL,E | 0,7365 | | 9092 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP172GM | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori | TLP172 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP172GM(TPL | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 110 mA | |
| TLP170GM(V4TPL,E | 0,7360 | | 7902 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP170GM | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | TLP170 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SMD | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 5A991G | 8541.49.8000 | 3.000 | 500 ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 110 mA | ||
| TLP3556(TP1,F) | 1.8665 | | 3189 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3556 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP3556 | 1,33 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP3556(TP1F) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 700 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 1A | |
| TLP240G(LF1,F | 1.8800 | | 2587 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP240G | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP240 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP240G(LF1F | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 100 mA | |
 | TLP3403R(TP,F | 4.0700 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3403R | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,108", 2,75 mm) | TLP3403 | 1,8 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,75) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 220 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~20 V | 1A | ||
| TLP170J(TP,F) | 1.4600 | | 6036 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP170J | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP170 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 60 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~600 V | 90 mA |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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