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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tensione - Ingresso | Stile di terminazione | Tipo di uscita | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Resistenza allo stato attivo (max) | Circuito | Tensione - Carico | Carica corrente |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP4590A(TP5,F | 3.6500 |  | 4333 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4590A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 1,1 ~ 1,4 VCC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 1.500 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | |||||
 | TLP3341(TP15,F) | 3.9500 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3341 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,128", 3,25 mm) | TLP3341 | 1,15 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-USOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 10 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 140 mA | ||
 | TLP3109A(TP,F | 4.9400 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3109A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP3109 | 1,65 VCC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 65 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 3A | |||
 | TLP3407SRA(TP,E | 7.4000 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3407S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | TLP3407 | 1,2 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T | scaricamento | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 300 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 1A | |||
| TLP3823F(LF4,F | 8.0700 | | 3503 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3823F | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 1,64 Vcc | N/R | CA, CC | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.49.0055 | 50 | 150 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 3A | ||||
| TLP4590AF(D4TP4F | 4.4400 | | 5076 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 1,27 V CC | N/R | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.000 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | ||||
 | TLP4006G(F) | 2.6700 | | 618 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4006G | Tubo | Attivo | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP4006 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP4006GF | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 25 Ohm | SPST-NO + SPST-NC (1 Modulo A e B) | 0 V~350 V | 120 mA | |
| TLP241B(D4,F | 3.2000 | | 3417 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP241B | Tubo | Attivo | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | 1,65 VCC | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.49.0055 | 100 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 2A | ||||
| TLP3406SRHA(TPE | 6.0600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3406SRHA | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | 0,8 ~ 3 VCC | - | CA, CC | S-VSON4T (2x1,45) | scaricamento | 1 (illimitato) | 2.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 1,5 A | ||||||
 | TLP176GA(TP,F) | - | | 1354 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP176GA | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP176 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 35 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~400 V | 120 mA | ||
| TLP3407SR(TP,E | 6.7300 | | 4673 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-LDFN | 1,2 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T (2x1,45) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 300 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 1A | |||
 | TLP3403(TP,F | 4.0400 | | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3403 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | TLP3403 | 1,27 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,45) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 220 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~20 V | 1A | ||
| TLP179D(F) | 1.3500 | | 3999 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP179D | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP179 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP179DF | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~200 V | 50 mA | |
| TLP3442(TP,F | 4.0700 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3442 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | TLP3442 | 1,27 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,45) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 20 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 100 mA | ||
| TLP3131(TP,F) | - | | 6185 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3131 | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP3131 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 1,5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~20 V | 300 mA | ||
 | TLP3548(TP1,F | 5.0763 | | 4588 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3548 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP3548 | 1,64 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP3548(TP1F | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~400 V | 400 mA | |
 | TLP241B(D4,TP1,F | 3.2000 | | 5126 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP241B | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | 1,65 VCC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.49.0055 | 1.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 2A | ||||
 | TLP3553A(TP1,F | 3.2500 | | 2215 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3553A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP3553 | 1,64 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 50 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 4A | ||
| TLP241B(LF1,F | 3.2000 | | 1623 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP241B | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | 1,65 VCC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 264-TLP241B(LF1F | EAR99 | 8536.49.0055 | 100 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 2A | ||
| TLP222A(TP1,F) | - | | 4307 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP222A | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP222 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP222A(TP1F) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 500 mA | |
| TLP4176A(TP,F | 2.5200 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 2,5 Ohm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 500 mA | |||
| TLP4590A(D4TP5,F | 3.6500 | | 3326 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4590A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 1,1 ~ 1,4 VCC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 1.500 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | |||||
| TLP3103(F) | - | | 8444 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3100 | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | TLP3103 | 1,33 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 75 | 70 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 2,3 A | ||
| TLP4590AF(D4,F | 4.4400 | | 1545 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | 1,27 V CC | N/R | CA, CC | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | ||||
 | TLP797J(F) | 1.7800 | | 8741 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP797J | Tubo | Attivo | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP797 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 6-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP797JF | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 35 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~600 V | 100 mA | |
| TLP3547(TP1,F | 8.6400 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3547 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP3547 | 1,64 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 50 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 5A | ||
 | TLP197G(TP,F) | 2.3700 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP197G | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | TLP197 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 35 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 120 mA | ||
| TLP3476S(TP,E | 7.4100 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3476S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | 1,24 Vcc | - | CA, CC | S-VSON4T (2x1,45) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 2.500 | 1,5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~400 V | 400 mA | |||||
| TLP241B(F | 3.2000 | | 7493 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP241B | Tubo | Attivo | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | 1,65 VCC | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP241B(F | EAR99 | 8536.49.0055 | 100 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 2A | |||
 | TLP172GM(TPR,E | 1.9500 | | 25 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP172GM | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori | TLP172 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 110 mA |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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