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Optoelettronica(6540)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Taglia/dimensione Altezza - Seduto (max) Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Colore Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Corrente: max Lunghezza dell'onda Altezza Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente-Prova Angolo di visione PMS (K) Flusso luminoso @ Corrente/Temperatura Temperatura - Prova Lumen/Watt @ corrente - Test CRI (indice di resa cromatica) Superficie luminescente (LES) Tipo di lente Flusso @ 85°C, Corrente - Test Flusso @ 25°C, Corrente - Test Resistenza termica del pacchetto
SPHWW1HDNC28YHV22F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNC28YHV22F -
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 ECAD 9004 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026B Scatola Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 1,3 A - 1,50 mm 35,5 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 2712 lm (2440 lm ~ 2983 lm) 25°C 106 lm/W 95 Diametro 17,00 mm Piatto
SL-B8U7N90L1WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8U7N90L1WW -
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 ECAD 8141 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. inFlux_L09 Vassoio Obsoleto 559,50 mm di lunghezza x 39,60 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SL-B8U7 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.41.0000 150 Striscia luminosa lineare 1,38 A - 5,90 mm 48,2 V 1,38 A 115° 3500K 8530lm (tipico) 65°C 128 lm/W 80 - Piatto
SPMWHT327FD3GBVMS0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT327FD3GBVMS0 -
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 ECAD 5389 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM302A Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0,118" lunghezza x 0,118" larghezza (3,00 mm x 3,00 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1212 (3030 metri) Bianco, caldo 3030 - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 200mA 6,3 V 150mA 120° 3000K 127 lm/W 70 - 120 lm (112 lm ~ 128 lm) 12°C/W
SCP9UTJ5HEL1ULJF6E Samsung Semiconductor, Inc. SCP9UTJ5HEL1ULJF6E 0,3475
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 ECAD 3180 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH231B Nastro e bobina (TR) Attivo 0,110" lunghezza x 0,110" larghezza (2,80 mm x 2,80 mm) 0,019" (0,48 mm) Montaggio superficiale 1111 (2828 metri) SCP9UTJ5 Bianco, caldo SMD scaricamento 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 2.000 2A 2,9 V 700mA 120° Ellisse MacAdam in 5 passaggi da 3500K 118 lm/W 90 240 lm (210 lm ~ 270 lm) - 2°C/O
SCP8UTF1HEL1UUN34E Samsung Semiconductor, Inc. SCP8UTF1HEL1UUN34E 0,2179
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 ECAD 7463 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH181B Nastro e bobina (TR) Attivo 0,093" lunghezza x 0,093" larghezza (2,36 mm x 2,36 mm) 0,019" (0,48 mm) Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Bianco, caldo SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SCP8UTF1HEL1UUN34ETR EAR99 8541.41.0000 4.000 1,4A 2,9 V 350mA 120° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 163 lm/W 80 165 lm (150 lm ~ 180 lm) - 2°C/O
SI-N9W1312B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N9W1312B0WW -
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 ECAD 9833 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. SLE-013 Vassoio Obsoleto Diametro 50,00 mm ModuloLED - SI-N9W Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile 1510-1682 OBSOLETO 0000.00.0000 400 Girare 350mA - 6,10 mm 33,5 V 250 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 950lm (tipico) 75°C 113 lm/W 90 Diametro 13,50 mm Piatto
SPHWW1HDN827YHW2CF Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN827YHW2CF -
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 ECAD 6908 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC006B Scatola Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 672 Piazza 320mA - 1,50 mm 35,5 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 2700K 786 lm (695 lm ~ 876 lm) 25°C 123 lm/W 90 diametro 8,00 mm Piatto
SPHWW1HDND25YHV33P Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDND25YHV33P -
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 ECAD 2291 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC033B Scatola Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 1,62A - 1,50 mm 35,5 V 900mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 4437 lm (3815 lm ~ 5058 lm) 25°C 139 lm/W 80 Diametro 17,00 mm Piatto
SPHWHAHDNG25YZQ3K4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG25YZQ3K4 -
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 ECAD 6410 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1944 EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi 5700K 3588lm (tipico) 85°C 144 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPMWH12224D7W8WKSA Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH12224D7W8WKSA 0,0372
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 ECAD 8301 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH12224 - 2835 - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 8.000 - - - - - - - - - -
SPHWW1HDN945YHV3KH Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN945YHV3KH 1.7743
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 ECAD 5687 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC008B Gen2 Vassoio Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-2004 EAR99 8541.41.0000 672 Piazza 430 mA - 1,50 mm 36,5 V 240mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 1263 lm (1185 lm ~ 1340 lm) 25°C 144 lm/W 80 diametro 8,00 mm Piatto
SPMWHT327FD5GBPMS3 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT327FD5GBPMS3 0,4300
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 ECAD 4036 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM302A Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,118" lunghezza x 0,118" larghezza (3,00 mm x 3,00 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1212 (3030 metri) SPMWHT327 Bianco, freddo 3030 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 200mA 6,3 V 150mA 120° 6500K 128 lm/W 80 - 121 lm (117 lm ~ 125 lm) 12°C/W
SPHWHAHDNF27YZT2D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZT2D1 -
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 ECAD 2583 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC019D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF27 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 970 mA - 1,50 mm 34,6 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 2520 lm (2337 lm ~ 2454 lm) 85°C 135 lm/W 90 Diametro 17,00 mm Una cupola
SPHWH2HDNA05YHRTC1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2HDNA05YHRTC1 2.7247
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 ECAD 1393 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC010C Vassoio Design non per nuovi 15,00 mm di lunghezza x 12,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWH2 Bianco, freddo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1747 EAR99 8541.41.0000 624 Rettangolo 405mA - 1,50 mm 34,5 V 270 mA 115° 5000K 1260lm (tipico) 85°C 135 lm/W 80 diametro 6,00 mm Piatto
SPHWHAHDNA27YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA27YZW3DB 1.3700
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 ECAD 370 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNA27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNA27YZW3DB EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 360mA - 1,50 mm 34 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 392lm (tipico) 85°C 64 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SPMWH1228FD5WAUMSE Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1228FD5WAUMSE 0,0082
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 ECAD 5729 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM281B+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1228 Bianco, caldo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 160 mA 3,1 V 150mA 120° 3500K 142 lm/W 80 - 66 lm (64 lm ~ 68 lm) 25°C/W
SPHWHAHDNC25YZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZV2D2 1.2099
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 ECAD 5903 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNC25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 690mA - 1,50 mm 34,6 V 270 mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 1418lm (tipico) 85°C 152 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNG27YZU2J8 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZU2J8 -
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 ECAD 4642 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1956 EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3500K 2990lm (tipico) 85°C 120 lm/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNG25YZU3K3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG25YZU3K3 -
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 ECAD 4676 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1949 EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 3488lm (tipico) 85°C 140 lumen/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SI-B8V07128LWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V07128LWW 7.5000
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 ECAD 4502 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-S282L Vassoio Design non per nuovi 279,70 mm di lunghezza x 23,80 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 224 Striscia luminosa lineare 360mA - 5,80 mm 35,2 V 200mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 1080lm (tipico) 50°C 153 lm/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNB27YZU2E0 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNB27YZU2E0 -
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 ECAD 8626 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC006D Vassoio Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNB27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1861 EAR99 8541.41.0000 2.400 Piazza 460mA - 1,50 mm 34,6 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3500K 768lm (tipico) 85°C 123 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SPMWHT541MD5WAPMSD Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT541MD5WAPMSD 0,0747
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 ECAD 6056 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM561B Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,197" lunghezza x 0,118" larghezza (5,00 mm x 3,00 mm) 0,035" (0,90 mm) Montaggio superficiale 4-SMD, piazzola esposta conduttore piatto SPMWHT541 Bianco, freddo 5630 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 2.500 150mA 2,95 V 65 mA 120° 6500K 177 lm/W 80 - 34 lm (32 lm ~ 36 lm) 16°C/W
SPMWHT327FD5GBW0S0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT327FD5GBW0S0 -
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 ECAD 4671 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM302A Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0,118" lunghezza x 0,118" larghezza (3,00 mm x 3,00 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1212 (3030 metri) Bianco, caldo 3030 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 200mA 6,3 V 150mA 120° 2700K 121 lm/W 80 - 114 lm (102 lm ~ 126 lm) 12°C/W
SPHWHAHDNK28YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK28YZV3D2 5.2933
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 ECAD 8306 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Attivo 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNK28 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 2,76A - 1,50 mm 34,6 V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 3952lm (tipico) 85°C 106 lm/W - Diametro 22,00 mm Piatto
SPHWHAHDNG28YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG28YZW2D2 2.9890
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 ECAD 1309 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG28 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 2700K 2470lm (tipico) 85°C 99 lm/W - Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNB27YZW2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNB27YZW2D3 0,9372
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 ECAD 9936 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNB27 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 460mA - 1,50 mm 34 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 2700K 809lm (tipico) 85°C 132 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNB27YZT2D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNB27YZT2D1 -
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 ECAD 1386 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC006D Vassoio Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNB27 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 2.400 Piazza 460mA - 1,50 mm 34,6 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 4000K 824lm (tipico) 85°C 132 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHTL3DA0EF4TPS6 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHTL3DA0EF4TPS6 -
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 ECAD 3933 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH351D Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,138" larghezza (3,50 mm x 3,50 mm) 0,097" (2,46 mm) Montaggio superficiale 1414 (3535 metri) SPHWHTL3 Bianco, Neutro 3535 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 6.400 3A 3V 1,05 A 128° 4000K 130 lm/W 80 410 lm (380 lm ~ 440 lm) - 2,2°C/W
SPHWHAHDNG25YZQ3D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG25YZQ3D1 -
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 ECAD 3140 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi 5700K 3767lm (tipico) 85°C 151 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPMWH1229AQ5SGP0SB Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1229AQ5SGP0SB 0,0126
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 ECAD 3127 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM283B+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1229 Bianco, freddo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 110mA 9,4 V 100mA 120° 6500K 134 lm/W 80 - 126 lm (121 lm ~ 131 lm) 15°C/W
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