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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Taglia/dimensione Altezza - Seduto (max) Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Colore Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Corrente: max Lunghezza dell'onda Altezza Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente-Prova Angolo di visione PMS (K) Flusso luminoso @ Corrente/Temperatura Temperatura - Prova Lumen/Watt @ corrente - Test CRI (indice di resa cromatica) Superficie luminescente (LES) Tipo di lente Flusso @ 85°C, Corrente - Test Flusso @ 25°C, Corrente - Test Resistenza termica del pacchetto
SI-B8V261280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V261280WW -
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ECAD 6327 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Serie F Gen3 Vassoio Obsoleto 279,70 mm di lunghezza x 39,80 mm di larghezza ModuloLED - SI-B8 Bianco, caldo scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 160 Striscia luminosa lineare 1,8 A - 5,20 mm 23 V 1,12A - Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 4335 lm (3900 lm ~ 4815 lm) 65°C 168 lm/W 80 - Piatto
SI-B8T051280US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T051280US 7.0200
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ECAD 1 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-Q282A Vassoio Attivo 275,00 mm di lunghezza x 18,00 mm di larghezza MotoreLED - SI-B8 Bianco, Neutro scaricamento Non applicabile 1510-2283 EAR99 8541.41.0000 400 Striscia luminosa lineare - - 5,80 mm 11V 450mA - 4000K 1000lm (tipico) 40°C 202 lm/W 80 - Piatto
SPHWW1HDNB25YHV31G Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNB25YHV31G -
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ECAD 6356 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC019B Gen2 Vassoio Obsoleto 17,00 mm di lunghezza x 17,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-2033 EAR99 8541.41.0000 480 Piazza 980 mA - 1,50 mm 35,5 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 2819 lm (2646 lm ~ 2992 lm) 25°C 147 lm/W 80 Diametro 12,40 mm Piatto
SPMWH3326MD7WAW3SA Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH3326MD7WAW3SA -
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ECAD 8543 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM301Z Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0,118" lunghezza x 0,118" larghezza (3,00 mm x 3,00 mm) 0,024" (0,60 mm) Montaggio superficiale 1212 (3030 metri) SPMWH3326 Bianco, caldo 3030 scaricamento 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 5.000 400mA 2,75 V 65 mA 120° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 145 lm/W 90 - 26 lm (24 lm ~ 27 lm) 12°C/W
SPHWHAHDNC27YZU2H0 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC27YZU2H0 -
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ECAD 9236 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC009D Vassoio Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNC27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1880 EAR99 8541.41.0000 2.400 Piazza 690mA - 1,50 mm 34,6 V 270 mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3500K 1122lm (tipico) 85°C 120 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SCS9VT90HPL2A0S03F Samsung Semiconductor, Inc. SCS9VT90HPL2A0S03F -
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ECAD 1024 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Conformità ROHS3 1510-SCS9VT90HPL2A0S03FTR EAR99 8541.41.0000 1
SPMWH3228FD5WAU0SC Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH3228FD5WAU0SC -
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ECAD 6736 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM281BZ+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH3228 Bianco, caldo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 40.000 160 mA 3V 150mA 120° 3500K 127 lm/W 80 - 57 lm (55 lm ~ 59 lm) 25°C/W
SPHWHAHDNF28YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF28YZT3D2 2.5640
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ECAD 8340 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF28 Bianco, Neutro scaricamento EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,38 A - 1,50 mm 34,6 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 2121lm (tipico) 85°C 114 lm/W - Diametro 14,50mm Piatto
SI-B8U10128001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U10128001 -
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ECAD 8494 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Dito-RT64B Vassoio Obsoleto 230,00 mm di lunghezza x 273,00 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.41.0000 60 Rettangolo 1,6 A - 6,70 mm 12V 700mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 1320lm (tipico) 35°C 157 lm/W 80 - Piatto
SPMWH22296Q7SGT0S1 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH22296Q7SGT0S1 0,0081
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ECAD 3484 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM283BS+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH22296 Bianco, Neutro 2835 scaricamento EAR99 8541.41.0000 4.000 70 mA 9,4 V 60mA 120° 4000K 105 lm/W 90 - 59 lm (56 lm ~ 61 lm) 15°C/W
SPHWW1HDN825YHT3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN825YHT3B3 -
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ECAD 8089 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC006B Gen3 Nastro e bobina (TR) Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, Neutro scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 1.750 Piazza 320mA - 1,50 mm 35,5 V 180 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 983 lm (887 lm ~ 1079 lm) 25°C 154 lm/W 80 diametro 8,00 mm Piatto
SI-B8R342B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R342B2CUS 12.2800
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ECAD 588 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Serie V Gen2 Vassoio Obsoleto 1.120,00 mm di lunghezza x 18,00 mm di larghezza ModuloLED - SI-B8 Bianco, freddo scaricamento Non applicabile 1510-SI-B8R342B2CUS EAR99 8541.41.0000 200 Striscia luminosa lineare 900mA - 5,50 mm 46,4 V 700mA - 5000K 5690lm (tipico) 50°C 175 lm/W 80 - Piatto
SPHWHAHDND25YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND25YZW2D2 1.5196
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ECAD 2353 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDND25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 920mA - 1,50 mm 34,6 V 360mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 2700K 1764lm (tipico) 85°C 142 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWW1HDNB25YHV31H Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNB25YHV31H 3.6262
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ECAD 5952 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC019B Gen2 Vassoio Design non per nuovi 17,00 mm di lunghezza x 17,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-2034 EAR99 8541.41.0000 480 Piazza 980 mA - 1,50 mm 35,5 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 2906 lm (2819 lm ~ 2992 lm) 25°C 152 lm/W 80 Diametro 12,40 mm Piatto
SPMWHT327FD3GBTMS0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT327FD3GBTMS0 -
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ECAD 2844 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM302A Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0,118" lunghezza x 0,118" larghezza (3,00 mm x 3,00 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1212 (3030 metri) Bianco, Neutro 3030 - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 200mA 6,3 V 150mA 120° 4000K 132 lm/W 70 - 125 lm (117 lm ~ 133 lm) 12°C/W
SPHRD3L3DH20C5W43B Samsung Semiconductor, Inc. SPHRD3L3DH20C5W43B 1.9900
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ECAD 1 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH351H Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,138" larghezza (3,50 mm x 3,50 mm) 0,093 pollici (2,36 mm) Montaggio superficiale 1414 (3535 metri) Rosso 3535 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.000 1A 660 nm (650 nm ~ 670 nm) 2,07 V 700mA 130° 1058 mW (995 mW ~ 1120 mW) 25°C - 3°C/W
SPHWW1HDNE25YHU34H Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNE25YHU34H 7.1427
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ECAD 1153 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC040B Gen2 Vassoio Design non per nuovi 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-2099 EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 1,9 A - 1,50 mm 35,5 V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 5670 lm (5480 lm ~ 5860 lm) 25°C 148 lm/W 80 Diametro 17,00 mm Piatto
SPHWW1HDNE25YHT24G Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNE25YHT24G 7.6916
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ECAD 5748 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC040B Gen2 Vassoio Design non per nuovi 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, Neutro - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-2092 EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 1,9 A - 1,50 mm 35,5 V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 4000K 5635 lm (5245 lm ~ 6025 lm) 25°C 147 lm/W 80 Diametro 17,00 mm Piatto
SI-B8R11225001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R11225001 -
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ECAD 6874 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Dito-SQ30B Scatola Obsoleto 259,00 mm di lunghezza x 250,00 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, freddo - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.41.0000 60 Rettangolo 900mA - 5,80 mm 15 V 700mA 115° Ellisse MacAdam in 4 passaggi da 5000K 1540lm (tipico) 35°C 147 lm/W 80 - Piatto
SI-B8R09B280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R09B280WW -
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ECAD 5418 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-R286A Vassoio Obsoleto 280,00 mm di lunghezza x 55,00 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, freddo - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile 1510-1638 EAR99 8541.41.0000 60 Rettangolo 540 mA - 7,40 mm 32,3 V 290mA 115° Ellisse MacAdam in 4 passaggi da 5000K 1545 lm (1390 lm ~ 1700 lm) 50°C 165 lm/W 80 - Piatto
SL-P7T2W52MBGL Samsung Semiconductor, Inc. SL-P7T2W52MBGL -
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ECAD 7730 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Tipo T Gen2 Vassoio Attivo - ModuloLED IP66 SL-P7T2 Bianco, Neutro scaricamento Non applicabile EAR99 8541.41.0000 12 Rettangolo 1A - - 30 V 700mA - 4000K - 58°C - 76 (suggerimento) - Piatto
SPMWHT325AD5YBP0SC Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT325AD5YBP0SC -
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ECAD 5263 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM362A Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0,142" lunghezza x 0,091" larghezza (3,60 mm x 2,30 mm) 0,028" (0,70 mm) Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo Bianco, freddo 3623 - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 200mA 5,96 V 100mA 120° 6500K 143 lm/W 80 - 85 lm (75 lm ~ 95 lm) 15°C/W
SPMWH3228FD7WAR0SA Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH3228FD7WAR0SA -
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ECAD 7821 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM281BZ+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH3228 Bianco, freddo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 40.000 160 mA 3V 150mA 120° 5000K 107 lm/W 90 - 48 lm (47 lm ~ 50 lm) 25°C/W
SPMWH1221FD5GBVKSA Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1221FD5GBVKSA 0,0172
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ECAD 9169 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM282B Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1221 Bianco, caldo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 40.000 160 mA 6,3 V 150mA 120° 3000K 111 lm/W 80 - 105 lm (100 lm ~ 110 lm) 15°C/W
SPMWH1221FD7GBVKSB Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1221FD7GBVKSB 0,0238
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ECAD 1544 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM282B Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1221 Bianco, caldo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 40.000 160 mA 6,3 V 150mA 120° 3000K 122 lm/W 90 - 115 lm (110 lm ~ 120 lm) 15°C/W
SPHWHAHDNL271ZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNL271ZV2D3 6.9310
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ECAD 7549 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Vassoio Design non per nuovi 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNL271 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 2,76A - 1,50 mm 51V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 7549lm (tipico) 85°C 137 lm/W 90 Diametro 22,00 mm Piatto
SPMWH1221FQ7GBPKSB Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1221FQ7GBPKSB 0,0124
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ECAD 7863 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM282B+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1221 Bianco, freddo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 160 mA 6,3 V 150mA 120° 6500K 113 lm/W 90 - 107 lm (103 lm ~ 111 lm) 15°C/W
SPHWHAHDNB25YZU3F5 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNB25YZU3F5 -
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ECAD 4721 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC006D Vassoio Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNB25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1854 EAR99 8541.41.0000 2.400 Piazza 460mA - 1,50 mm 34,6 V 180 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 902lm (tipico) 85°C 145 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNH27YZT3C2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNH27YZT3C2 2.6171
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ECAD 2037 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Serie C Gen2 Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNH27 Bianco, Neutro scaricamento EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,38 A - 1,50 mm 35 V 900mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 3562lm (tipico) 85°C 113 lm/W 90 Diametro 11,50 mm Piatto
SPMWH12224D7W8R0SA Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH12224D7W8R0SA 0,0379
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ECAD 8634 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM286B Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH12224 Bianco, freddo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 45 mA 18 V 40mA 120° 5000K 119 lm/W 90 - 83 lm (78 lm ~ 88 lm) 20°C/W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock