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Optoelettronica(6540)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Taglia/dimensione Altezza - Seduto (max) Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Colore Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Corrente: max Lunghezza dell'onda Altezza Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente-Prova Angolo di visione PMS (K) Flusso luminoso @ Corrente/Temperatura Temperatura - Prova Lumen/Watt @ corrente - Test CRI (indice di resa cromatica) Superficie luminescente (LES) Tipo di lente Flusso @ 85°C, Corrente - Test Flusso @ 25°C, Corrente - Test Resistenza termica del pacchetto
SI-B8R141560LD Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R141560LD 14.2400
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 ECAD 209 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-S562N Vassoio Design non per nuovi 560,00 mm di lunghezza x 24,00 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 224 Striscia luminosa lineare 720mA - 5,80 mm 35,2 V 400mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 2290lm (tipico) 50°C 163 lm/W 80 - Piatto
SCS8VT93HPL2VKS03F Samsung Semiconductor, Inc. SCS8VT93HPL2VKS03F -
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 ECAD 3956 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM102A Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0,053" lunghezza x 0,053" larghezza (1,34 mm x 1,34 mm) 0,020" (0,52 mm) Montaggio superficiale 0505 (1313 metri) Bianco, caldo SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 8.000 250 mA 5,9 V 150mA 145° 3000K 116 lm/W 80 103 lm (95 lm ~ 111 lm) - 2°C/O
SPHWHAHDNG25YZQ3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG25YZQ3DB 2.6368
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 ECAD 2963 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNG25YZQ3DB EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,44A - 1,50 mm 34 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi 5700K 3943lm (tipico) 85°C 161 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNA25YZP3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA25YZP3D4 1.6400
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 ECAD 400 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNA25 Bianco, freddo scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNA25YZP3D4 EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 230 mA - 1,65 mm 33,6 V 90 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 6500K 540lm (tipico) 85°C 179 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWH1L5N603YEV5A2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH1L5N603YEV5A2 0,8300
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 ECAD 5531 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH502C Nastro e bobina (TR) Attivo 0,197" lunghezza x 0,197" larghezza (5,00 mm x 5,00 mm) 0,031" (0,80 mm) Montaggio superficiale 2020 (5050 metri) SPHWH1 Bianco, caldo SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 2.000 880mA 6,1 V 640mA 120° Ellisse MacAdam in 5 passaggi da 3000K - 70 - - 3°C/W
SPHWHAHDNM271ZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNM271ZV2D3 9.7811
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 ECAD 3216 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Vassoio Design non per nuovi 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNM271 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 4.14A - 1,50 mm 50 V 1,62A 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 11195lm (tipico) 85°C 138 lm/W 90 Diametro 22,00 mm Piatto
SPMWH1221FD7GBWMSA Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1221FD7GBWMSA 0,2900
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 ECAD 1 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM282B Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1221 Bianco, caldo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 160 mA 6,3 V 150mA 120° 2700K 109 lm/W 90 - 103 lm (98 lm ~ 108 lm) 15°C/W
SPHWHAHDNC25YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZR3D2 1.2304
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 ECAD 5520 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNC25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 690mA - 1,50 mm 34,6 V 270 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 1506lm (tipico) 85°C 161 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPMWH1228FD5WAVKSE Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1228FD5WAVKSE 0,0077
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 ECAD 6908 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM281B+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1228 Bianco, caldo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 160 mA 3,1 V 150mA 120° 3000K 140 lumen/W 80 - 65 lm (63 lm ~ 67 lm) 25°C/W
SPHWHAHDNE25YZU3D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZU3D1 -
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 ECAD 3150 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC016D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,15 A - 1,50 mm 34,6 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 2376lm (tipico) 85°C 153 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNH27YZU3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNH27YZU3DC 7.3600
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 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen3 Plus Scatola Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNH27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNH27YZU3DC EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,8 A - 1,50 mm 33,7 V 900mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 4293lm (tipico) 85°C 142 lm/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SCS9VT93HPL2VKS03F Samsung Semiconductor, Inc. SCS9VT93HPL2VKS03F -
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 ECAD 4160 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM102A Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0,053" lunghezza x 0,053" larghezza (1,34 mm x 1,34 mm) 0,020" (0,52 mm) Montaggio superficiale 0505 (1313 metri) Bianco, caldo SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 8.000 250 mA 5,9 V 150mA 145° 3000K 98 lm/W 90 87 lm (79 lm ~ 95 lm) - 2°C/O
SPMWHT328FD7WARKS0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT328FD7WARKS0 0,0753
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 ECAD 3034 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM301A Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,118" lunghezza x 0,118" larghezza (3,00 mm x 3,00 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1212 (3030 metri) SPMWHT328 Bianco, freddo 3030 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 40.000 500mA 2,85 V 150mA 115° 5000K 108 lm/W 90 46 lm (42 lm ~ 50 lm) - 7°C/O
SPMWHT541MD5WAVKS2 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT541MD5WAVKS2 0,0680
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 ECAD 5601 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM561B Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,197" lunghezza x 0,118" larghezza (5,00 mm x 3,00 mm) 0,035" (0,90 mm) Montaggio superficiale 4-SMD, piazzola esposta conduttore piatto SPMWHT541 Bianco, caldo 5630 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 150mA 2,95 V 65 mA 120° 3000K 146 lm/W 80 - 28 lm (27 lm ~ 29 lm) 16°C/W
SPHWW1HDNB2VYHT32F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNB2VYHT32F -
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 ECAD 3368 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC019B Vassoio Obsoleto 17,00 mm di lunghezza x 17,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, Neutro - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-2045 EAR99 8541.41.0000 480 Piazza 980 mA - 1,50 mm 35,5 V - 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 2318 lm (2040 lm ~ 2596 lm) 25°C - - Diametro 12,40 mm Piatto
SPMWH3326MD3WATYSA Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH3326MD3WATYSA -
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 ECAD 7937 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM301Z Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0,118" lunghezza x 0,118" larghezza (3,00 mm x 3,00 mm) 0,024" (0,60 mm) Montaggio superficiale 1212 (3030 metri) SPMWH3326 Bianco, Neutro 3030 scaricamento 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 50.000 400mA 2,75 V 65 mA 120° 4000K 185 lm/W 70 - 33 lm (31 lm ~ 34 lm) 12°C/W
SPHWH1L5N607XEW3A2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH1L5N607XEW3A2 1.0200
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 ECAD 3 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH508C generale Nastro e bobina (TR) Attivo 0,197" lunghezza x 0,197" larghezza (5,00 mm x 5,00 mm) 0,031" (0,80 mm) Montaggio superficiale 2020 (5050 metri) SPHWH1 Bianco, caldo 2020 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWH1L5N607XEW3A2TR EAR99 8541.41.0000 2.000 220 mA 24,5 V 160 mA 120° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 120 lm/W 90 - 470 lm (450 lm ~ 490 lm) 3°C/W
SPMWH1229AQ5SGQKSA Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1229AQ5SGQKSA 0,0095
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 ECAD 3165 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM283B+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1229 Bianco, freddo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 110mA 9,4 V 100mA 120° 5700K 126 lm/W 80 - 118 lm (114 lm ~ 122 lm) 15°C/W
SPHCW1HDN825YHR3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDN825YHR3B3 -
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 ECAD 3245 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC006B Gen3 Nastro e bobina (TR) Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHCW1 Bianco, freddo scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 1.750 Piazza 320mA - 1,50 mm 35,5 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 988 lm (887 lm ~ 1089 lm) 25°C 155 lumen/W 80 diametro 8,00 mm Piatto
SPMWH1229AQ5SGTMSA Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1229AQ5SGTMSA 0,0103
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 ECAD 1508 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM283B+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1229 Bianco, Neutro 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 110mA 9,4 V 100mA 120° 4000K 125 lm/W 80 - 117 lm (113 lm ~ 121 lm) 15°C/W
SPHWHAHDNF25YZP3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF25YZP3D2 2.4908
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 ECAD 3596 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,38 A - 1,50 mm 34,6 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 6500K 3026lm (tipico) 85°C 162 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SCP9WTF1HEL1WUG34E Samsung Semiconductor, Inc. SCP9WTF1HEL1WUG34E 0,2179
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 ECAD 2510 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH181B Nastro e bobina (TR) Attivo 0,093" lunghezza x 0,093" larghezza (2,36 mm x 2,36 mm) 0,019" (0,48 mm) Montaggio superficiale 2-SMD, senza piombo SCP9WTF1 Bianco, caldo SMD scaricamento 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 1,4A 2,9 V 350mA 120° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 113 lm/W 90 115 lm (100 lm ~ 130 lm) - 2°C/O
SI-B9U463B20WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B9U463B20WW 8.5849
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 ECAD 5997 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. VGen3 Vassoio Attivo 1.120,00 mm di lunghezza x 18,00 mm di larghezza ModuloLED - SI-B9 Bianco, caldo scaricamento Conformità ROHS3 1510-SI-B9U463B20WW EAR99 8541.41.0000 110 Striscia luminosa lineare 2.02A - 3,70 mm 45 V 1.01A 118° 3500K 6690 lm (6140 lm ~ 7350 lm) 65°C 147 lm/W 90 - Piatto
SPMWH1221FD7GBP0SB Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1221FD7GBP0SB 0,0233
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 ECAD 6275 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM282B Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1221 Bianco, freddo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 40.000 160 mA 6,3 V 150mA 120° 6500K 127 lm/W 90 - 120 lm (115 lm ~ 125 lm) 15°C/W
SPMWH3228FD5WAQKS2 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH3228FD5WAQKS2 0,0179
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 ECAD 7831 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM281BZ Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH3228 Bianco, freddo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 40.000 160 mA 3,1 V 150mA 120° 5700K 129 lm/W 80 - 60 lm (58 lm ~ 62 lm) 25°C/W
SPHWHAHDNF25YZU3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF25YZU3DC 4.6900
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 ECAD 226 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen3 Plus Scatola Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNF25YZU3DC EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,08 A - 1,50 mm 33,7 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 3161lm (tipico) 85°C 174 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNE27YZV3D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE27YZV3D1 -
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 ECAD 4789 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC016D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,15 A - 1,50 mm 34,6 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 1970lm (tipico) 85°C 127 lm/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SPMWH1228FD5WARMS4 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH1228FD5WARMS4 0,3500
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 ECAD 34 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM281B Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH1228 Bianco, freddo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 160 mA 3,1 V 150mA 120° 5000K 148 lm/W 80 - 69 lm (67 lm ~ 71 lm) 25°C/W
SPMWH3228FD7WAV0SE Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH3228FD7WAV0SE -
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 ECAD 7111 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM281BZ+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH3228 Bianco, caldo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 40.000 160 mA 3V 150mA 120° 3000K 113 lm/W 90 - 51 lm (49 lm ~ 53 lm) 25°C/W
SPHWHAHDNA27YZU3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA27YZU3D3 0,5872
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 ECAD 4233 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNA27 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 230 mA - 1,50 mm 34 V 90 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 441lm (tipico) 85°C 144 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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  • Standard Product Unit

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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