SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Taglia/dimensione Altezza - Seduto (max) Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Colore Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Corrente: max Lunghezza dell'onda Altezza Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - Prova Angolo di visione PMS (K) Flusso luminoso @ Corrente/Temperatura Temperatura - Prova Lumen/Watt @ corrente - Test CRI (indice di resa cromatica) Superficie luminescente (LES) Tipo di lente Flusso @ 85°C, Corrente - Test Flusso @ 25°C, Corrente - Test Resistenza termica del pacchetto
SI-B8V081B00WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V081B00WW 11.6600
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ECAD 150 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. * Massa Attivo SI-B8 - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile 1510-SI-B8V081B00WW EAR99 8541.41.0000 150
SPHWH2HDNE05YHW3C1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2HDNE05YHW3C1 5.0675
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ECAD 3774 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC040C Vassoio Design non per nuovi 19,00 mm di lunghezza x 16,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWH2 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1771 EAR99 8541.41.0000 440 Rettangolo 1,62A - 1,50 mm 34,5 V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 4280lm (tipico) 85°C 115 lm/W 80 Diametro 11,00 mm Piatto
SPHWW1HDNA27YHV31F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNA27YHV31F -
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ECAD 1283 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC013B Vassoio Obsoleto 17,00 mm di lunghezza x 17,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 480 Piazza 660mA - 1,50 mm 35,5 V 360mA 115° 3000K 1320 lm (1080 lm ~ 1560 lm) 25°C 103 lm/W 90 Diametro 11,00 mm Piatto
SPHWHAHDNE27YZW3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE27YZW3D3 2.3303
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ECAD 3249 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Vassoio Design non per nuovi 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE27 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,15 A - 1,50 mm 34 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 2033lm (tipico) 85°C 133 lm/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SPMWHT228FD5BAWMS0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT228FD5BAWMS0 0,0461
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ECAD 7863 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,131" lunghezza x 0,110" larghezza (3,32 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) - - SPMWHT228 - 2835 - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 - - - - - - - - - -
SPHWHAHDNE27YZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE27YZV2D3 2.1309
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ECAD 9531 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Vassoio Design non per nuovi 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE27 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,15 A - 1,50 mm 34 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 2139lm (tipico) 85°C 140 lumen/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SI-9W111250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-9W111250WW -
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ECAD 2835 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. - Massa Obsoleto SI-9W111250 - Non applicabile 1510-SI-9W111250WW OBSOLETO 1
STIDMW830112112AAA Samsung Semiconductor, Inc. STIDMW830112112AAA -
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ECAD 5712 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Rotondo-130B - Obsoleto Diametro 130,00 mm MotoreLED - STIDMW83 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 1 Girare - - 5,70 mm 33V - 115° 3000K 1240lm (tipico) - - 80 - Piatto
SI-N8T1312B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8T1312B0WW -
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ECAD 3049 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. SLE-013 Vassoio Obsoleto Diametro 50,00 mm Chip a bordo (COB) Con connettore SI-N8T Bianco, Neutro - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1510-1239 EAR99 8542.39.0001 400 Girare 350mA - 6,10 mm 33,5 V 250 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 1180lm (tipico) 75°C 141 lm/W 80 Diametro 13,50 mm Piatto
SPHWHTL3DA0EF4QTT6 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHTL3DA0EF4QTT6 -
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ECAD 2872 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH351D Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,138" larghezza (3,50 mm x 3,50 mm) 0,097" (2,46 mm) Montaggio superficiale 1414 (3535 metri) SPHWHTL3 Bianco, freddo 3535 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 6.400 3A 3V 1,05 A 128° 5700K 137 lm/W 80 430 lm (400 lm ~ 460 lm) - 2,2°C/W
SPHWH2L3D30CD4QTQ3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2L3D30CD4QTQ3 0,3060
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ECAD 1617 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH351B Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,138" larghezza (3,50 mm x 3,50 mm) 0,081" (2,06 mm) Montaggio superficiale 1414 (3535 metri) SPHWH2 Bianco, freddo 3535 - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.000 1,5 A 2,8 V 350mA 120° 5700K - 70 - - 4°C/W
SPHWHAHDND2VYZTVD2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND2VYZTVD2 1.7850
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ECAD 6024 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDND2 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 920mA - 1,50 mm 34,6 V 360mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 1533lm (tipico) 85°C 123 lm/W - Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHTL3D50EE4UMPF Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHTL3D50EE4UMPF 1.2000
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ECAD 4129 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH351C Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,138" larghezza (3,50 mm x 3,50 mm) 0,097" (2,46 mm) Montaggio superficiale 1414 (3535 metri) SPHWHTL3 Bianco, caldo 1414 scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHTL3D50EE4UMPFTR EAR99 8541.41.0000 800 2A 2,85 V 700mA 128° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 160 lm/W 80 320 lm (290 lm ~ 350 lm) - 3°C/W
SPHWHAHDND27YZT2H4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND27YZT2H4 -
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ECAD 5568 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC013D Vassoio Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDND27 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1897 EAR99 8541.41.0000 2.400 Piazza 920mA - 1,50 mm 34,6 V 360mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 4000K 1505lm (tipico) 85°C 121 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SI-N8V0814B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8V0814B0WW -
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ECAD 5555 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Rotondo-090C Scatola Obsoleto Diametro 90,00 mm ModuloLED Con connettore SI-N8V Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1510-1151 EAR99 8541.41.0000 180 Girare 450mA - 5,75 mm 24 V 350mA 115° Ellisse MacAdam in 4 passaggi da 3000K 1050lm (tipico) 55°C 125 lm/W 80 - Piatto
SI-B8A071B00WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8A071B00WW 12.7000
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ECAD 288 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. SE retroilluminato standard Massa Attivo 1.100,00 mm di lunghezza x 13,00 mm di larghezza ModuloLED - SI-B8 Bianco, caldo/bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile 1510-SI-B8A071B00WW EAR99 8541.41.0000 150 Striscia luminosa lineare 400mA - 6,00 mm 41,5 V 176 mA 160° 2700K, 6500K 1160 lm, 1280 lm 40°C 159 lm/W, 175 lm/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNF25YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF25YZW3D4 5.6800
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ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF25 Bianco, caldo scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNF25YZW3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,38 A - 1,70 mm 33,6 V 540mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 2968lm (tipico) 85°C 164 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNL251ZU2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNL251ZU2D3 6.9310
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ECAD 5373 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Vassoio Design non per nuovi 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNL251 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 2,76A - 1,50 mm 51V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3500K 9071lm (tipico) 85°C 165 lm/W 80 Diametro 22,00 mm Piatto
SPMWH3326FP7GBP0S0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH3326FP7GBP0S0 -
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ECAD 2645 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM302Z Plus Nastro e bobina (TR) Attivo 0,118" lunghezza x 0,118" larghezza (3,00 mm x 3,00 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1212 (3030 metri) SPMWH3326 Bianco, freddo 3030 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPMWH3326FP7GBP0S0TR EAR99 8541.41.0000 40.000 200mA 6,2 V 150mA 120° 6500K 133 lm/W 90 - 124 lm (115 lm ~ 133 lm) 12°C/W
SPHWHAHDNA25YZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA25YZU3D4 1.6400
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ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNA25 Bianco, caldo scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNA25YZU3D4 EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 230 mA - 1,65 mm 33,6 V 90 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 534lm (tipico) 85°C 177 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNE25YZT2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZT2DB 1.3923
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ECAD 9628 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE25 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNE25YZT2DB EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 900mA - 1,50 mm 34 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 4000K 2520lm (tipico) 85°C 165 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWH2L3D30DD4QTP3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2L3D30DD4QTP3 0,2745
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ECAD 6878 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LH351B Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 0,138" lunghezza x 0,138" larghezza (3,50 mm x 3,50 mm) 0,081" (2,06 mm) Montaggio superficiale 1414 (3535 metri) SPHWH2 Bianco, freddo 3535 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 10.000 1,5 A 2,8 V 350mA 120° 5700K 179 lm/W 75 175 lm (160 lm ~ 190 lm) - 4°C/W
SPHWHAHDNF25YZQ3D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF25YZQ3D1 -
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ECAD 3541 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC019D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 970 mA - 1,50 mm 34,6 V 540mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi 5700K 2756 lm (2894 lm ~ 2825 lm) 85°C 148 lm/W 80 Diametro 17,00 mm Una cupola
SPHWH2HDNC08YHU2C1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2HDNC08YHU2C1 4.0532
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ECAD 1813 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC020C Vassoio Design non per nuovi 15,00 mm di lunghezza x 12,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWH2 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 624 Rettangolo 810mA - 1,50 mm 34,5 V 540mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3500K 1780lm (tipico) 85°C 96 lm/W 92 diametro 8,00 mm Piatto
SI-B8R341550WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R341550WW -
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ECAD 3687 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-F552A Vassoio Obsoleto 550,00 mm di lunghezza x 18,00 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, freddo - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.41.0000 280 Striscia luminosa lineare - - 5,20 mm 24,7 V 1,35 A 115° Ellisse MacAdam in 4 passaggi da 5000K 4650lm (sugger.) 60°C 139 lm/W 80 - Piatto
SI-B8P112250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8P112250WW -
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ECAD 2800 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Dito-SQ30B Vassoio Obsoleto 259,00 mm di lunghezza x 250,00 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.41.0000 60 Rettangolo 900mA - 5,80 mm 15,3 V 700mA 115° Ellisse MacAdam a 4 passaggi da 6500K 1440lm (tipico) 35°C 134 lm/W 80 - Piatto
SPHWW1HDNA2VYHU31F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNA2VYHU31F -
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ECAD 1639 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC013B Vassoio Obsoleto 17,00 mm di lunghezza x 17,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-2027 EAR99 8541.41.0000 480 Piazza 660mA - 1,60 mm 35,5 V - 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 1427 lm (1374 lm ~ 1749 lm) 25°C - - Diametro 11,00 mm Piatto
SPHWHAHDNK25YZP3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK25YZP3D4 10.1300
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ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHHAHDNK25 Bianco, freddo scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNK25YZP3D4 EAR99 8541.41.0000 160 Piazza 2,76A - 1,70 mm 33,6 V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 6500K 6421lm (tipico) 85°C 177 lm/W 80 Diametro 22,00 mm Piatto
SPHWHAHDNG25YZR3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG25YZR3DC 6.2100
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ECAD 80 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen3 Plus Scatola Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNG25YZR3DC EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,44A - 1,50 mm 33,7 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 4268lm (tipico) 85°C 176 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPMWH22286D5WARKS2 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH22286D5WARKS2 0,0044
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ECAD 3930 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LM281BA+ Nastro e bobina (TR) Attivo 0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm) 0,030" (0,75 mm) Montaggio superficiale 1113 (2835 metri) SPMWH22286 Bianco, freddo 2835 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 4.000 70 mA 3,1 V 60mA 120° 5000K 134 lm/W 80 - 25 lm (24 lm ~ 26 lm) 25°C/W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock