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Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Taglia/dimensione	Altezza - Seduto (max)	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tipo	Caratteristiche	Numero del prodotto base	Colore	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Corrente: max	Lunghezza dell'onda	Altezza	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - Prova	Angolo di visione	PMS (K)	Flusso luminoso @ Corrente/Temperatura	Temperatura - Prova	Lumen/Watt @ corrente - Test	CRI (indice di resa cromatica)	Superficie luminescente (LES)	Tipo di lente	Flusso @ 85°C, Corrente - Test	Flusso @ 25°C, Corrente - Test	Resistenza termica del pacchetto
SPHWHAHDNL251ZQ3Q7	-	Richiesta di offerta	2056	Samsung Semiconduttori, Inc.	LC060D	Vassoio	Obsoleto	28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNL251	Bianco, freddo		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)			EAR99	8541.41.0000	1.280	Piazza	2,76A	-	1,50 mm	52V	1,08 A	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi 5700K	8151lm (tipico)	85°C	145 lm/W	80	Diametro 22,00 mm	Piatto
SPHWHAHDNK23YZV3D4	10.1300	Richiesta di offerta	157	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB DGe4	Massa	Attivo	28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNK23	Bianco, caldo		scaricamento	Conformità ROHS3	2A (4 settimane)	REACH Inalterato	1510-SPHWHAHDNK23YZV3D4	EAR99	8541.41.0000	160	Piazza	2,76A	-	1,70 mm	33,6 V	1,08 A	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K	6561lm (tipico)	85°C	181 lm/W	70	Diametro 22,00 mm	Piatto
SPHWHAHDNB25YZP3D4	2.4100	Richiesta di offerta	500	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB DGe4	Massa	Attivo	13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNB25	Bianco, freddo		scaricamento	Conformità ROHS3	2A (4 settimane)	REACH Inalterato	1510-SPHWHAHDNB25YZP3D4	EAR99	8541.41.0000	500	Piazza	460mA	-	1,65 mm	33,6 V	180mA	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 6500K	1071lm (tipico)	85°C	177 lm/W	80	Diametro 9,80 mm	Piatto
SPHWHAHDNF27YZR3C2	1.7162	Richiesta di offerta	3856	Samsung Semiconduttori, Inc.	Serie C Gen2	Vassoio	Attivo	19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNF27	Bianco, freddo		scaricamento					EAR99	8541.41.0000	500	Piazza	920mA	-	1,50 mm	35 V	600mA	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K	2372lm (tipico)	85°C	113 lm/W	90	diametro 8,50 mm	Piatto
SI-N8T0814B0WW	-	Richiesta di offerta	7275	Samsung Semiconduttori, Inc.	Rotondo-090C	Scatola	Obsoleto	Diametro 90,00 mm				ModuloLED	Con connettore	SI-N8T	Bianco, Neutro		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		1510-1145	EAR99	8541.41.0000	180	Girare	450mA	-	5,75 mm	24 V	350mA	115°	Ellisse MacAdam in 4 passaggi da 4000K	1100lm (tipico)	55°C	131 lm/W	80	-	Piatto
SL-B8R2N60L1WW	-	Richiesta di offerta	7966	Samsung Semiconduttori, Inc.	inFlux_L03	Vassoio	Obsoleto	559,50 mm di lunghezza x 23,70 mm di larghezza				ModuloLED	Con connettore	SL-B8R2	Bianco, freddo		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile		1510-1342	EAR99	8541.41.0000	224	Striscia luminosa lineare	1,15 A	-	5,90 mm	18,1 V	1,15 A	115°	5000K	2930lm (tipico)	65°C	141 lm/W	80	-	Piatto
SPHWHAHDNC25YZV3D2	1.2304	Richiesta di offerta	1259	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB D Gen2	Vassoio	Design non per nuovi	13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNC25	Bianco, caldo		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)			EAR99	8541.41.0000	1.000	Piazza	690mA	-	1,50 mm	34,6 V	270 mA	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K	1418lm (tipico)	85°C	152 lm/W	80	Diametro 9,80 mm	Piatto
SPMWH3228FD5WAU0SG	-	Richiesta di offerta	9939	Samsung Semiconduttori, Inc.	LM281BZ+	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm)	0,030" (0,75 mm)	Montaggio superficiale	1113 (2835 metri)			SPMWH3228	Bianco, caldo	2835	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)			EAR99	8541.41.0000	40.000		160mA			3V	150mA	120°	3500K			144 lm/W	80			-	65 lm (63 lm ~ 66 lm)	25°C/W
SPHWHAHDNF28YZU3D2	2.5640	Richiesta di offerta	5125	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB D Gen2	Vassoio	Attivo	19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNF28	Bianco, caldo		scaricamento					EAR99	8541.41.0000	500	Piazza	1,38 A	-	1,50 mm	34,6 V	540mA	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K	2056lm (tipico)	85°C	110 lm/W	-	Diametro 14,50 mm	Piatto
SI-B8T07128LWW	7.5000	Richiesta di offerta	7206	Samsung Semiconduttori, Inc.	LT-S282L	Vassoio	Design non per nuovi	279,70 mm di lunghezza x 23,80 mm di larghezza				ModuloLED	Con connettore	SI-B8	Bianco, Neutro		-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.41.0000	224	Striscia luminosa lineare	360mA	-	5,80 mm	35,2 V	200mA	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K	1120lm (tipico)	50°C	159 lm/W	80	-	Piatto
SI-N8V2816B0WW	-	Richiesta di offerta	4006	Samsung Semiconduttori, Inc.	Rotondo-130C	Scatola	Obsoleto	Diametro 130,00 mm				ModuloLED	Con connettore	SI-N8V	Bianco, caldo		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		1510-1153	EAR99	8541.41.0000	80	Girare	750mA	-	5,80 mm	39,7 V	700mA	115°	Ellisse MacAdam in 4 passaggi da 3000K	3330lm (tipico)	55°C	120 lm/W	80	-	Piatto
SPHWHAHDND27YZT3D2	1.4944	Richiesta di offerta	8544	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB D Gen2	Vassoio	Design non per nuovi	13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDND27	Bianco, Neutro		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)			EAR99	8541.41.0000	1.000	Piazza	920mA	-	1,50 mm	34,6 V	360mA	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K	1670lm (tipico)	85°C	134 lm/W	90	Diametro 9,80 mm	Piatto
STOIMW757809IC0E31	-	Richiesta di offerta	2476	Samsung Semiconduttori, Inc.	Array all'aperto	Scatola	Obsoleto	-				ModuloLED	-	STOIMW757	Bianco, freddo		-	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile			EAR99	8541.41.0000	4	-	-	-	-	-	-	-	5700K	6800lm (tipico)	-	-	70	-	-
SCP8UT78HEL1ULS06E	0,4000	Richiesta di offerta	27	Samsung Semiconduttori, Inc.	LM101B	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0,067" lunghezza x 0,067" larghezza (1,70 mm x 1,70 mm)	0,018" (0,45 mm)	Montaggio superficiale	0606 (1616 metri)			SCP8UT78	Bianco, caldo	SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)			EAR99	8541.41.0000	4.000		350mA			2,8 V	65 mA	120°	Ellisse MacAdam in 5 passaggi da 3500K			181 lm/W	80			-	33 lm (31 lm ~ 35 lm)	2°C/O
SPHWHAHDNC27YZW2G8	-	Richiesta di offerta	3906	Samsung Semiconduttori, Inc.	LC009D	Vassoio	Obsoleto	13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNC27	Bianco, caldo		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)		1510-1884	EAR99	8541.41.0000	2.400	Piazza	690mA	-	1,50 mm	34,6 V	270 mA	115°	Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 2700K	1038lm (tipico)	85°C	111 lm/W	90	Diametro 9,80 mm	Piatto
SPHWHAHDNG25YZU2D2	3.0059	Richiesta di offerta	7700	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB D Gen2	Vassoio	Design non per nuovi	19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNG25	Bianco, caldo		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)			EAR99	8541.41.0000	500	Piazza	1,84A	-	1,50 mm	34,6 V	720mA	115°	Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3500K	3872lm (tipico)	85°C	155 lumen/W	80	Diametro 14,50 mm	Piatto
SPMWH1229AD5SGQMSB	0,0231	Richiesta di offerta	6374	Samsung Semiconduttori, Inc.	LM283B	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	0,138" lunghezza x 0,110" larghezza (3,50 mm x 2,80 mm)	0,030" (0,75 mm)	Montaggio superficiale	1113 (2835 metri)			SPMWH1229	Bianco, freddo	2835	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)			EAR99	8541.41.0000	40.000		110mA			9,4 V	100mA	120°	5700K			131 lm/W	80			-	123 lm (118 lm ~ 128 lm)	15°C/W
SPHWW1HDN825YHV2B3	-	Richiesta di offerta	3354	Samsung Semiconduttori, Inc.	LC006B Gen3	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWW1	Bianco, caldo		scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.41.0000	1.750	Piazza	320mA	-	1,50 mm	35,5 V	180mA	115°	Ellisse MacAdam a 2 passaggi 3300K	983 lm (887 lm ~ 1079 lm)	25°C	154 lm/W	80	diametro 8,00 mm	Piatto
SPHWHAHDNC27YZT3D4	3.3200	Richiesta di offerta	500	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB DGe4	Massa	Attivo	13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNC27	Bianco, Neutro		scaricamento	Conformità ROHS3	2A (4 settimane)	REACH Inalterato	1510-SPHWHAHDNC27YZT3D4	EAR99	8541.41.0000	500	Piazza	690mA	-	1,65 mm	33,6 V	270 mA	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K	1399lm (tipico)	85°C	154 lm/W	90	Diametro 9,80 mm	Piatto
SPHWW1HDNC25YHV3B3	-	Richiesta di offerta	1242	Samsung Semiconduttori, Inc.	LC026B Gen3	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWW1	Bianco, caldo		scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.41.0000	1.050	Piazza	1,3 A	-	1,50 mm	35,5 V	720mA	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K	4038 lm (3770 lm ~ 4306 lm)	25°C	158 lm/W	80	Diametro 17,00 mm	Piatto
SPHWHAHDNH23YZV3D4	7.8200	Richiesta di offerta	239	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB DGe4	Massa	Attivo	19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNH23	Bianco, caldo		scaricamento	Conformità ROHS3	2A (4 settimane)	REACH Inalterato	1510-SPHWHAHDNH23YZV3D4	EAR99	8541.41.0000	250	Piazza	2,3 A	-	1,70 mm	33,6 V	900mA	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K	5403lm (tipico)	85°C	179 lm/W	70	Diametro 14,50 mm	Piatto
SPHWHAHDNK25YZQ3N3	-	Richiesta di offerta	5216	Samsung Semiconduttori, Inc.	LC040D	Vassoio	Obsoleto	28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHHAHDNK25	Bianco, freddo		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)		1510-1963	EAR99	8541.41.0000	1.280	Piazza	2,76A	-	1,50 mm	34,6 V	1,08 A	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi 5700K	5588lm (tipico)	85°C	150 lm/W	80	Diametro 22,00 mm	Piatto
SPHWHAHDNK25YZP3D2	5.3353	Richiesta di offerta	7710	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB D Gen2	Vassoio	Design non per nuovi	28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHHAHDNK25	Bianco, freddo		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)			EAR99	8541.41.0000	320	Piazza	2,76A	-	1,50 mm	34,6 V	1,08 A	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 6500K	6138lm (tipico)	85°C	164 lm/W	80	Diametro 22,00 mm	Piatto
SI-B8V081B00WW	11.6600	Richiesta di offerta	150	Samsung Semiconduttori, Inc.	*	Massa	Attivo							SI-B8			-	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile		1510-SI-B8V081B00WW	EAR99	8541.41.0000	150
SPHWH2HDNE05YHW3C1	5.0675	Richiesta di offerta	3774	Samsung Semiconduttori, Inc.	LC040C	Vassoio	Design non per nuovi	19,00 mm di lunghezza x 16,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWH2	Bianco, caldo		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)		1510-1771	EAR99	8541.41.0000	440	Rettangolo	1,62A	-	1,50 mm	34,5 V	1,08 A	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K	4280lm (tipico)	85°C	115 lm/W	80	Diametro 11,00 mm	Piatto
SPHWW1HDNA27YHV31F	-	Richiesta di offerta	1283	Samsung Semiconduttori, Inc.	LC013B	Vassoio	Obsoleto	17,00 mm di lunghezza x 17,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWW1	Bianco, caldo		-	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)			EAR99	8541.41.0000	480	Piazza	660mA	-	1,50 mm	35,5 V	360mA	115°	3000K	1320 lm (1080 lm ~ 1560 lm)	25°C	103 lm/W	90	Diametro 11,00 mm	Piatto
SPHWHAHDNE27YZW3D3	2.3303	Richiesta di offerta	3249	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB DGen3	Vassoio	Design non per nuovi	19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNE27	Bianco, caldo		scaricamento					EAR99	8541.41.0000	500	Piazza	1,15 A	-	1,50 mm	34 V	450mA	115°	Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K	2033lm (tipico)	85°C	133 lm/W	90	Diametro 14,50 mm	Piatto
SPMWHT228FD5BAWMS0	0,0461	Richiesta di offerta	7863	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	0,131" lunghezza x 0,110" larghezza (3,32 mm x 2,80 mm)	0,030" (0,75 mm)	-	-			SPMWHT228	-	2835	-	Conforme alla direttiva RoHS	2A (4 settimane)			EAR99	8541.41.0000	4.000		-			-	-	-	-			-	-			-	-	-
SPHWHAHDNE27YZV2D3	2.1309	Richiesta di offerta	9531	Samsung Semiconduttori, Inc.	COB DGen3	Vassoio	Design non per nuovi	19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza				Chip a bordo (COB)	-	SPHWHAHDNE27	Bianco, caldo		scaricamento					EAR99	8541.41.0000	500	Piazza	1,15 A	-	1,50 mm	34 V	450mA	115°	Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K	2139lm (tipico)	85°C	140 lumen/W	90	Diametro 14,50 mm	Piatto
SI-9W111250WW	-	Richiesta di offerta	2835	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Massa	Obsoleto							SI-9W111250			-		Non applicabile		1510-SI-9W111250WW	OBSOLETO		1