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COB, motori, moduli, strisce(2790)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Taglia/dimensione Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Colore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Corrente: max Lunghezza dell'onda Altezza Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - Prova Angolo di visione PMS (K) Flusso luminoso @ Corrente/Temperatura Temperatura - Prova Lumen/Watt @ corrente - Test CRI (indice di resa cromatica) Superficie luminescente (LES) Tipo di lente
SPHWHAHDNG28YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG28YZV3D2 3.3332
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 ECAD 5277 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG28 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 2596lm (tipico) 85°C 104 lm/W - Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNE27YZT3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE27YZT3D4 4.8900
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 ECAD 246 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE27 Bianco, Neutro scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNE27YZT3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,15 A - 1,70 mm 33,6 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 2344lm (tipico) 85°C 155 lumen/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWW1HDNC23YHTN3F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNC23YHTN3F -
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 ECAD 5421 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026B Vassoio Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, Neutro - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 300 Piazza 1,3 A - 1,50 mm 35,5 V 720mA 115° 4000K 3897 lm (3429 lm ~ 4365 lm) 25°C 152 lm/W 70 Diametro 17,00 mm Piatto
SI-B8V051280US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V051280US 6.8800
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 ECAD 313 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-Q282A Vassoio Attivo 275,00 mm di lunghezza x 18,00 mm di larghezza MotoreLED - SI-B8 Bianco, caldo scaricamento Non applicabile 1510-2281 EAR99 8541.41.0000 400 Striscia luminosa lineare - - 5,80 mm 11V 450mA - 3000K 920lm (tipico) 40°C 186 lm/W 80 - Piatto
SPHWW1HDND25YHV2B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDND25YHV2B3 -
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 ECAD 3337 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC033B Gen3 Nastro e bobina (TR) Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 1.050 Piazza 1,62A - 1,50 mm 35,5 V 900mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 5119 lm (4771 lm ~ 5467 lm) 25°C 160 lm/W 80 Diametro 17,00 mm Piatto
SPHWHAHDNB25YZR3D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNB25YZR3D1 -
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 ECAD 6534 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC006D Vassoio Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNB25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 2.400 Piazza 460mA - 1,50 mm 34,6 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 975lm (tipico) 85°C 157 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNG27YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZR3D2 3.2872
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 ECAD 1477 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG27 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 3416lm (tipico) 85°C 137 lm/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SL-PGR2W52SBGL Samsung Semiconductor, Inc. SL-PGR2W52SBGL -
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 ECAD 4957 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Tipo T Gen2 Vassoio Attivo 150,00 mm di lunghezza x 65,00 mm di larghezza ModuloLED - SL-PGR2 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile 1510-1704 EAR99 8541.41.0000 12 Rettangolo 1A - 43,70 mm 30 V 700mA - 5000K 2300lm (tipico) 58°C 119 lm/W 76 - Una cupola
SPHWHAHDNG27YZR3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZR3DB 5.2000
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 ECAD 99 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG27 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNG27YZR3DB EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,44A - 1,50 mm 34 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 3433lm (tipico) 85°C 140 lumen/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNE25YZW2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZW2DB 1.3923
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 ECAD 7736 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNE25YZW2DB EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 900mA - 1,50 mm 34 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 2700K 2305lm (tipico) 85°C 151 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SI-B8T342B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T342B2CUS 12.2800
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 ECAD 189 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Serie V Gen2 Massa Obsoleto 1.120,00 mm di lunghezza x 18,00 mm di larghezza ModuloLED - SI-B8 Bianco, Neutro scaricamento 1 (illimitato) 1510-SI-B8T342B2CUS EAR99 8541.41.0000 200 Striscia luminosa lineare 900mA - 5,50 mm 46,4 V 700mA - 4000K 5620lm (tipico) 50°C 173 lm/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNC25YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZT3D2 1.2304
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 ECAD 7634 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNC25 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 690mA - 1,50 mm 34,6 V 270 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 1494lm (tipico) 85°C 160 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNG25YZT3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG25YZT3DB 5.1000
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 ECAD 100 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG25 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNG25YZT3DB EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,44A - 1,50 mm 34 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 3950lm (tipico) 85°C 161 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWH2HDNA05YHW3C1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2HDNA05YHW3C1 2.7247
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 ECAD 4524 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC010C Vassoio Design non per nuovi 15,00 mm di lunghezza x 12,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWH2 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1751 EAR99 8541.41.0000 624 Rettangolo 405mA - 1,50 mm 34,5 V 270 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 1070lm (tipico) 85°C 115 lm/W 80 diametro 6,00 mm Piatto
SPHWW1HDNC25YHW32G Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNC25YHW32G -
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 ECAD 4454 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026B Gen2 Vassoio Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-2056 EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 1,3 A - 1,50 mm 35,5 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 3760 lm (3550 lm ~ 3970 lm) 25°C 147 lm/W 80 Diametro 17,00 mm Piatto
SPHCW1HDNE25YHR34J Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDNE25YHR34J -
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 ECAD 7900 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC040B Scatola Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHCW1 Bianco, freddo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 1,9 A - 1,50 mm 35,5 V 1,08 A - Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 5440lm (tipico) 25°C 142 lm/W 80 Diametro 17,00 mm Piatto
SPHWHAHDNH23YZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNH23YZR3D4 7.8200
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 ECAD 197 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNH23 Bianco, freddo scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNH23YZR3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 2,3 A - 1,70 mm 33,6 V 900mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 5554lm (tipico) 85°C 184 lm/W 70 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHCW1HDNC25YHRT3F Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDNC25YHRT3F 5.3506
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 ECAD 4692 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026B Vassoio Design non per nuovi 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHCW1 Bianco, freddo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 300 Piazza 1,3 A - 1,50 mm 35,5 V 720mA 115° 5000K 3360 lm (2900 lm ~ 3820 lm) 25°C 131 lm/W 80 Diametro 17,00 mm Piatto
SPHWHAHDNC27YZW2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC27YZW2DB 0,8297
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 ECAD 5506 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNC27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNC27YZW2DB EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 540 mA - 1,50 mm 34 V 270 mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 2700K 1158lm (tipico) 85°C 126 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SI-B8T281510WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T281510WW -
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 ECAD 5318 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. * Vassoio Obsoleto SI-B8 - Non applicabile 1510-SI-B8T281510WW EAR99 8541.41.0000 1
SPHWHAHDNA27YZU3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA27YZU3D2 0,5645
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 ECAD 3945 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNA27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 230 mA - 1,50 mm 34,6 V 90 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 419lm (tipico) 85°C 135 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SI-B8T11156HUS Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T11156HUS 11.2500
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 ECAD 1 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-H562D Massa Attivo 560,00 mm di lunghezza x 18,00 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.41.0000 280 Striscia luminosa lineare - - 5,80 mm 22,5 V 480mA - 4000K 2020lm (tipico) 50°C 187 lm/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNA27YZV3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA27YZV3DC 1.4800
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 ECAD 490 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen3 Plus Scatola Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNA27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNA27YZV3DC EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 180mA - 1,50 mm 33,7 V 90 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 428lm (tipico) 85°C 164 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHCW1HDN945YHR3KE Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDN945YHR3KE -
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 ECAD 1238 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC008B Scatola Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHCW1 Bianco, freddo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 672 Piazza 420mA - 1,60 mm 36,5 V 240mA - Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 1244lm (tipico) 25°C 142 lm/W 80 diametro 8,00 mm Piatto
SPHWHAHDNK23YZR3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK23YZR3D3 5.6897
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 ECAD 6899 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Vassoio Design non per nuovi 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNK23 Bianco, freddo scaricamento EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 2,76A - 1,50 mm 34 V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 6679lm (tipico) 85°C 182 lm/W 70 Diametro 22,00 mm Piatto
SI-N8U1712B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8U1712B0WW -
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 ECAD 3266 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Rotondo-050D Vassoio Obsoleto Diametro 50,00 mm ModuloLED - SI-N8U Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile 1510-1663 EAR99 8541.41.0000 360 Girare 700mA - 3,70 mm 23,7 V 700mA 115° 3500K 2120lm (tipico) 25°C 128 lm/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNF25YZR3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF25YZR3DB 4.0800
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 ECAD 249 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNF25YZR3DB EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,08 A - 1,50 mm 34 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 3013lm (tipico) 85°C 164 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNK28YZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK28YZV2D2 4.4532
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 ECAD 9513 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Attivo 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNK28 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 2,76A - 1,50 mm 34,6 V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 3952lm (tipico) 85°C 106 lm/W - Diametro 22,00 mm Piatto
SI-B8T341560WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T341560WW -
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 ECAD 3524 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-F562A Vassoio Obsoleto 560,00 mm di lunghezza x 18,00 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, Neutro - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1510-1121 EAR99 8541.41.0000 40 Striscia luminosa lineare - - 5,20 mm 24,7 V 1,35 A 115° Ellisse MacAdam in 4 passaggi da 4000K 4510lm (tipico) - 135 lm/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNF25YZW3J3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF25YZW3J3 -
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 ECAD 4178 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC019D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1934 EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,38 A - 1,50 mm 34,6 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 2458lm (tipico) 85°C 132 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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